LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,該器件的固有優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復(可將開關損耗降低多達 80%)以及低開關節(jié)點振鈴(可降低 EMI)。這些優(yōu)勢實現(xiàn)了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓撲結構。
LMG341xR150 通過集成一組獨特的功能來簡化設計、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能,從而為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅動可在接近零的 V 電壓下實現(xiàn) 100 V/ns 的開關DS 系列振鈴、小于 100ns 的電流限制響應可針對意外的擊穿事件進行自我保護,過熱關斷可防止熱失控,系統(tǒng)接口信號提供自我監(jiān)控功能。
*附件:具有集成驅動器和保護功能的 LMG341xR150 600V、150mΩ、GaN FET 數(shù)據(jù)表 .pdf
特性
- TI GaN 工藝通過加速可靠性應用內(nèi)硬開關配置文件認證
- 支持高密度電源轉換設計
- 優(yōu)于共源共柵或獨立 GaN FET 的系統(tǒng)性能
- 低電感 8 mm × 8 mm QFN 封裝,易于設計和布局
- 可調(diào)節(jié)的驅動強度,用于開關性能和 EMI 控制
- 數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號
- 只需要 +12 V 的非穩(wěn)壓電源
- 集成柵極驅動器
- 零共源電感
- 高頻設計的傳播延遲為 20ns
- 用于補償閾值變化的微調(diào)柵極偏置電壓可確保可靠的開關
- 25V/ns 至 100V/ns 可調(diào)轉換速率
- 強大的保護
- 無需外部保護元件
- 具有 <100 ns 響應的過流保護
- 大于 150V/ns 的轉換速率抗擾度
- 瞬態(tài)過壓抗擾度
- 過熱保護
- 所有電源軌上的欠壓鎖定 (UVLO) 保護
- 設備選項:
- LMG3410R150 :鎖存過流保護
- LMG3411R150 :逐周期過流保護
參數(shù)
方框圖
1. 產(chǎn)品概述
- ?產(chǎn)品型號?:LMG341xR150(包括LMG3410R150和LMG3411R150)
- ?特性?:600V GaN FET,集成驅動器和保護功能,低電感8mm×8mm QFN封裝
- ?優(yōu)勢?:高功率密度、高效率、超低的輸入和輸出電容、無反向恢復電荷
2. 主要特性
- ?集成驅動器?:
- 零共源電感
- 20ns傳播延遲
- 可調(diào)整的門極偏置電壓和斜率
- ?保護功能?:
- 過流保護(<100ns響應)
- 過溫保護
- 欠壓鎖定(UVLO)保護
- 瞬態(tài)過壓免疫
- ?設備選項?:
- LMG3410R150:鎖存式過流保護
- LMG3411R150:逐周期過流保護
3. 應用領域
4. 電氣特性
- ?最大漏源電壓?:600V
- ?連續(xù)漏極電流?:
- @Tj = 25℃:17A
- @Tj = 100℃:13.5A
- ?導通電阻?:
- @Tj = 25℃:150mΩ
- @Tj = 125℃:250mΩ
5. 開關特性
- ?最大dv/dt?:>100V/ns
- ?傳播延遲?:
- 開通:14.4ns(RDRV = 15kΩ, VNEG = -14V)
- 關斷:24ns(RDRV = 15kΩ, VNEG = -14V)
- ?故障延遲?:50ns(過流故障到FAULT引腳變低)
6. 熱信息
- ?結到環(huán)境熱阻?(RθJA):28.6°C/W
- ?結到頂部外殼熱阻?(RθJC(top)):9.9°C/W
- ?結到底部外殼熱阻?(RθJC(bot)):1.4°C/W
7. 布局指南
- ?電源環(huán)路電感?:最小化電源環(huán)路電感以減少電壓應力和EMI。
- ?信號地連接?:源極引腳也是信號地參考,信號地平面應通過低阻抗連接到源極。
- ?旁路電容器?:驅動器的旁路電容器應放置在靠近IC的位置,以最小化阻抗。
8. 應用和實施
- ?典型應用?:提供了半橋配置的典型應用電路圖和設計步驟。
- ?設計注意事項?:包括斜率選擇、信號電平轉換、Bootstrap電路設計等。
9. 電源供應建議
- ?隔離電源供應?:推薦使用隔離電源供應高側設備,以減少寄生參數(shù)并提高設計效率。
- ?Bootstrap二極管?:在半橋配置中,可以使用Bootstrap二極管為頂部開關提供浮動電源,但需謹慎選擇二極管并管理Bootstrap電壓。
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