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技術(shù)資料#LMG3411R050 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護的 600V 50mΩ GaN

科技綠洲 ? 2025-02-25 15:36 ? 次閱讀

LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,LMG341x 的固有優(yōu)勢包括:超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)(可將開關(guān)損耗降低多達 80%),以及低開關(guān)節(jié)點振鈴(可降低 EMI)。這些優(yōu)勢實現(xiàn)了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓撲結(jié)構(gòu)。

LMG341xR050 通過集成一組獨特的功能來簡化設(shè)計、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能,從而為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅(qū)動可實現(xiàn) 100 V/ns 開關(guān),Vds 振鈴接近于零,電流限制響應(yīng)小于 100 ns,可防止意外擊穿事件,過熱關(guān)斷可防止熱失控,系統(tǒng)接口信號提供自我監(jiān)控功能。

*附件:具有過流保護功能的 LMG341xR050 600V 50mΩ 集成 GaN Fet 功率級數(shù)據(jù)表.pdf

特性

  • TI GaN FET 的可靠性符合應(yīng)用內(nèi)硬開關(guān)加速應(yīng)力曲線的要求
  • 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計
    • 優(yōu)于共源共柵或獨立 GaN FET 的系統(tǒng)性能
    • 低電感 8 mm x 8 mm QFN 封裝,易于設(shè)計和布局
    • 可調(diào)節(jié)的驅(qū)動強度,用于開關(guān)性能和 EMI 控制
    • 數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號
    • 僅需 +12 V 非穩(wěn)壓電源
  • 集成柵極驅(qū)動器
    • 零共源電感
    • MHz作時傳播延遲為 20 ns
    • 用于補償閾值變化的微調(diào)柵極偏置電壓可確??煽康拈_關(guān)
    • 25 至 100V/ns 用戶可調(diào)轉(zhuǎn)換速率
  • 強大的保護
    • 無需外部保護元件
    • 過流保護,響應(yīng)小于 100 ns
    • 大于 150 V/ns 的轉(zhuǎn)換速率抗擾度
    • 瞬態(tài)過壓抗擾度
    • 過熱保護
    • 所有電源軌上的欠壓鎖定 (UVLO) 保護
  • 強大的保護
    • LMG3410R050 :鎖存過流保護
    • LMG3411R050 :逐周期過流保護

參數(shù)

image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:LMG341xR050
  • ?類型?:600V 50mΩ 集成 GaN FET 功率級
  • ?特點?:具有過流保護、過溫保護、欠壓鎖定(UVLO)等保護功能,集成柵極驅(qū)動,適用于高密度功率轉(zhuǎn)換設(shè)計。

2. 主要特性

  • ?高性能?:GaN FET 提供超低輸入和輸出電容,零反向恢復(fù)電荷,減少開關(guān)損耗。
  • ?集成柵極驅(qū)動?:直接驅(qū)動架構(gòu),提供高達 100V/ns 的開關(guān)速度,近零 Vds 振鈴。
  • ?保護功能?:
    • ?過流保護?:快速響應(yīng)(<100ns),LMG3410R050 為鎖存型,LMG3411R050 為逐周期型。
    • ?過溫保護?:超過 165°C 時關(guān)斷 GaN FET。
    • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:在柵極驅(qū)動電源、LDO 5V 或負電源低于閾值時保護設(shè)備。
  • ?可調(diào)驅(qū)動強度?:通過 RDRV 引腳設(shè)置,控制開關(guān)性能和 EMI。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

4. 電氣特性

  • ?最大漏源電壓?:600V
  • ?連續(xù)漏極電流?:@Tj = 25°C 時為 34A,@Tj = 125°C 時為 12A
  • ?柵極驅(qū)動電壓?:9.5V 至 18V
  • ?開關(guān)特性?:
    • 上升時間:2.9ns 至 32ns(取決于 RDRV 設(shè)置)
    • 下降時間:8.9ns 至 26ns
    • 傳播延遲:16ns 至 32ns

5. 熱性能

  • ?熱阻?:
    • 結(jié)到環(huán)境熱阻(RθJA):24.4°C/W
    • 結(jié)到頂部外殼熱阻(RθJC(top)):7.9°C/W
    • 結(jié)到底部外殼熱阻(RθJC(bot)):1.0°C/W

6. 功能框圖與引腳描述

image.png

  • ?功能框圖?:顯示了內(nèi)部降壓-升壓轉(zhuǎn)換器、LDO、故障輸出等關(guān)鍵組件。
  • ?引腳描述?:詳細說明了每個引腳的功能,包括漏極、源極、柵極驅(qū)動輸入、故障輸出等。

7. 設(shè)計指南與布局建議

  • ?設(shè)計指南?:提供了典型應(yīng)用電路、設(shè)計要求和詳細設(shè)計步驟。
  • ?布局建議?:強調(diào)了最小化功率環(huán)路電感、信號地連接、旁路電容放置等關(guān)鍵布局考慮因素。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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