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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

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2025-06-30 標簽：晶圓機器視碳化硅 167 0

自動對刀技術(shù)對碳化硅襯底切割起始位置精度的提升及厚度均勻性優(yōu)化

摘要：碳化硅襯底切割對起始位置精度與厚度均勻性要求極高，自動對刀技術(shù)作為關鍵技術(shù)手段，能夠有效提升切割起始位置精度，進而優(yōu)化厚度均勻性。本文深入探討自動...

2025-06-26 標簽：碳化硅晶圓厚度 TTV厚度 186 0

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摘要：碳化硅襯底切割過程中，進給量與磨粒磨損狀態(tài)緊密關聯(lián)，二者協(xié)同調(diào)控對提升切割質(zhì)量與效率至關重要。本文深入剖析兩者相互作用機制，探討協(xié)同調(diào)控模型構(gòu)建方...

2025-06-25 標簽：碳化硅晶圓厚度 TTV 205 0

羅姆新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導體性能

在SiC（碳化硅）等功率半導體的電氣仿真中，以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問題。但是，這次開發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。

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隨著全球能源需求不斷上升，我國“雙碳”戰(zhàn)略的逐步推進和新能源行業(yè)的快速發(fā)展，近年來光伏儲能充電系統(tǒng)(PCS-Photovoltaic Storage C...

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基于進給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)

碳化硅襯底切割過程中，厚度不均勻問題嚴重影響其后續(xù)應用性能。傳統(tǒng)固定進給量切割方式難以適應材料特性與切割工況變化，基于進給量梯度調(diào)節(jié)的方法為提升切割厚度...

2025-06-13 標簽：碳化硅晶圓厚度 TTV厚度 216 0

安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹

安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態(tài)斷路器和大電流開關系...

2025-06-13 標簽：MOSFET 安森美 JFET 753 0

碳化硅在多種應用場景中的影響

對碳化硅技術(shù)進行商業(yè)化應用時，需要持續(xù)關注材料缺陷、器件可靠性和相關封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實用知識，幫助了解碳化硅如何為功率半導...

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切割進給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關系及工藝優(yōu)化

引言在碳化硅襯底加工過程中，切割進給量是影響其厚度均勻性的關鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關系，并進行工藝優(yōu)化，對提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導體器件制...

2025-06-12 標簽：半導體碳化硅晶圓厚度 233 0

碳化硅襯底厚度測量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究

在碳化硅襯底厚度測量中，探頭溫漂與材料各向異性均會影響測量精度，且二者相互作用形成耦合效應。深入研究這種耦合影響，有助于揭示測量誤差根源，為優(yōu)化測量探頭...

2025-06-11 標簽：測量碳化硅晶圓厚度 325 0

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新傾佳電子楊茜致力于推動...

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碳化硅襯底高溫加工場景下測量探頭溫漂的動態(tài)修正方法

引言碳化硅襯底高溫加工過程中，溫度的劇烈變化會引發(fā)測量探頭溫漂，嚴重影響襯底厚度等參數(shù)的測量精度，進而干擾加工工藝的精準控制。探尋有效的動態(tài)修正方法，...

2025-06-06 標簽：測量碳化硅晶圓厚度 221 0

基于芯干線氮化鎵與碳化硅的100W電源適配器方案

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碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇

碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V，是電力電子設計中的關鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。

2025-06-04 標簽：SiC 碳化硅驅(qū)動電壓 462 0

新型功率器件的老化測試方法

隨著技術(shù)的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)...

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碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀器的選型指南與應用場景分析

引言碳化硅襯底 TTV（總厚度變化）厚度是衡量其質(zhì)量的關鍵指標，直接影響半導體器件性能。合理選擇測量儀器對準確獲取 TTV 數(shù)據(jù)至關重要，不同應用場...

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使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開關模式電源系統(tǒng)的損耗

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