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基于進給量梯度調節的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術

新啟航半導體有限公司 ? 2025-06-13 10:07 ? 次閱讀

碳化硅襯底切割過程中,厚度不均勻問題嚴重影響其后續應用性能。傳統固定進給量切割方式難以適應材料特性與切割工況變化,基于進給量梯度調節的方法為提升切割厚度均勻性提供了新思路,對推動碳化硅襯底加工技術發展具有重要價值。

技術原理分析

梯度調節依據

碳化硅硬度高、脆性大,切割起始階段,材料表面完整,刀具與材料接觸狀態穩定,可采用相對較大的進給量提高加工效率 。隨著切割深入,刀具磨損加劇,材料內部應力分布改變,若仍保持大進給量,易導致局部切割力過大,造成厚度不均 。此時依據切割深度、刀具磨損狀態等因素,逐步減小進給量,能有效控制切割力在合理范圍,維持材料均勻去除,保證厚度均勻性 。

調節機制

構建以切割深度為自變量,進給量為因變量的梯度調節函數 。通過傳感器實時監測切割深度、刀具振動、切割力等參數,將數據反饋至控制系統 。控制系統依據預設的梯度調節模型,動態調整進給量 。例如,在切割初期 0 - 1mm 深度,設定進給量為 0.5mm/min;1 - 3mm 深度,進給量逐漸降至 0.3mm/min;3mm 深度后,保持 0.2mm/min 。同時,結合刀具磨損補償算法,進一步優化進給量調節策略,確保切割過程穩定 。

實驗設計與效果驗證

實驗方案

選取相同規格的碳化硅襯底,設置對照組與實驗組 。對照組采用傳統固定進給量(0.3mm/min)切割;實驗組采用基于進給量梯度調節的切割方式 。實驗過程中,利用高精度位移傳感器監測切割深度,力傳感器采集切割力數據,振動傳感器記錄刀具振動情況 。切割完成后,使用光學干涉儀對襯底進行多點厚度測量,獲取厚度數據 。

數據分析

對比兩組實驗數據,分析進給量梯度調節對切割力波動、刀具振動幅度以及襯底厚度均勻性的影響 。計算厚度標準差、變異系數等指標,定量評估厚度均勻性 。繪制切割力、振動幅值隨切割深度變化曲線,直觀展示梯度調節技術對加工穩定性的提升作用 。通過有限元模擬輔助分析,驗證實驗結果的可靠性,揭示進給量梯度調節提升厚度均勻性的內在機理 。

技術實施要點

調節參數設定

依據碳化硅襯底規格、刀具性能等確定梯度調節的關鍵參數 。包括初始進給量、梯度變化區間、調節步長等 。通過預實驗或模擬仿真,優化參數組合,找到不同工況下的最佳調節方案 。例如,對于較薄的襯底,適當減小初始進給量和調節步長;對于硬度更高的碳化硅材料,加大梯度變化區間 。

系統集成與優化

將傳感器、控制系統、執行機構等進行高效集成,確保數據采集、處理與指令執行的及時性和準確性 。優化控制算法,提高系統對復雜工況的適應性 。加強各部件之間的協同配合,減少信號傳輸延遲和干擾,保障進給量梯度調節的精確實施 。

高通量晶圓測厚系統運用第三代掃頻OCT技術,精準攻克晶圓/晶片厚度TTV重復精度不穩定難題,重復精度達3nm以下。針對行業厚度測量結果不一致的痛點,經不同時段測量驗證,保障再現精度可靠。?

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我們的數據和WAFERSIGHT2的數據測量對比,進一步驗證了真值的再現性:

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(以上為新啟航實測樣品數據結果)

該系統基于第三代可調諧掃頻激光技術,相較傳統雙探頭對射掃描,可一次完成所有平面度及厚度參數測量。其創新掃描原理極大提升材料兼容性,從輕摻到重摻P型硅,到碳化硅、藍寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用:?

對重摻型硅,可精準探測強吸收晶圓前后表面;?

點掃描第三代掃頻激光技術,有效抵御光譜串擾,勝任粗糙晶圓表面測量;?

通過偏振效應補償,增強低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比;

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(以上為新啟航實測樣品數據結果)

支持絕緣體上硅和MEMS多層結構測量,覆蓋μm級到數百μm級厚度范圍,還可測量薄至4μm、精度達1nm的薄膜。

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(以上為新啟航實測樣品數據結果)

此外,可調諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力,在極端環境中抗干擾性強,顯著提升重復測量穩定性。

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(以上為新啟航實測樣品數據結果)

系統采用第三代高速掃頻可調諧激光器,擺脫傳統SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴,憑借卓越抗干擾性實現小型化設計,還能與EFEM系統集成,滿足產線自動化測量需求。運動控制靈活,適配2-12英寸方片和圓片測量。

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