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粒度控制在結(jié)晶過程中的從小規(guī)模試驗到放大應(yīng)用
引言 結(jié)晶作為API生產(chǎn)的最后一道工序,除了用于純化外,還可以實現(xiàn)晶型與粒度控制。晶型和粒度影響口服藥物生物利用度。其中,粒度分布(PSD)是一個重要的...
遭遇翻車?外媒:LG可卷曲OLED電視市場銷量持續(xù)低迷
據(jù)國外媒體報道,LG電子在2019年推出的可卷曲OLED電視,在去年10月份開始出貨,但從相關(guān)媒體的報道來看,這一技術(shù)含量頗高的電視,目前的出貨量并不樂觀。
冷油器受到各種介質(zhì)等影響會產(chǎn)生腐蝕,腐蝕形式基本有兩種,電化學(xué)腐蝕和化學(xué)腐蝕。腐蝕后就會產(chǎn)生管板滲漏的情況,所以做好冷油器管板防腐工作非常有必要。
Inphi借助Cadence技術(shù)完成7nm全芯片扁平化設(shè)計流片
Inphi 是高速數(shù)據(jù)移動互連領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,致力于在全球范圍內(nèi)、數(shù)據(jù)中心之間以及數(shù)據(jù)中心內(nèi)部快速傳輸大數(shù)據(jù)。
為了滿足更嚴(yán)格的晶圓清潔度要求、新出現(xiàn)的環(huán)境問題和更嚴(yán)格的成本效益標(biāo)準(zhǔn),晶圓清潔技術(shù)正慢慢遠(yuǎn)離傳統(tǒng)的基于RCA的工藝。本文比較了在同一個濕式臺架上進(jìn)行的...
一種用于蝕刻的現(xiàn)象學(xué)結(jié)構(gòu)區(qū)域模型
在本文中,結(jié)合了現(xiàn)有的經(jīng)驗和觀察到的多晶氧化鋅腐蝕模型,該模型可以定性地描述濺射條件、材料特性和蝕刻條件的影響。幾項研究調(diào)查了濺射參數(shù)和蝕刻行為之間的關(guān)...
200?C下使用紫外增強(qiáng)O2GPC去除聚乙EG的實驗
在襯底溫度、壓力和紫外暴露等不同工藝條件下,在200?C下使用紫外增強(qiáng)O2GPC去除聚乙EG的實驗,通過在200?C的襯底溫度下,在150秒內(nèi)去除約20...
電動點焊工藝中的電流控制器關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用探析
在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中,特別是在汽車制造、航空航天及精密電子等行業(yè),電動點焊作為一種高效、精確的連接技術(shù),其焊接質(zhì)量和效率在很大程度上取決于電流控制器的關(guān)鍵技...
薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。其中包括用于射頻識別系統(tǒng)的功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和集成電路。除了向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)移之外,垂直系統(tǒng)集...
近日,日本政府宣布了一項重大決策,旨在加速下一代半導(dǎo)體的量產(chǎn)進(jìn)程。近日,日本政府通過內(nèi)閣會議,決定修訂《信息處理促進(jìn)法》和《特別會計法》,為Rapidu...
創(chuàng)飛芯55nm BCD工藝OTP IP實現(xiàn)上架
近日,珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司宣布,其自主研發(fā)的 55BCD ( 55nm Bipolar-CMOS-DMOS Generic Process) 工藝 O...
為了提供更好的用戶體驗,包括高質(zhì)量的視頻傳輸、更新的筆記本電腦(例如最新的 AI PC)和其他前沿設(shè)備,都需要 5 納米及以下的先進(jìn)節(jié)點 SoC,以達(dá)成...
交叉滾子軸承使用過程中,會附著很多降低軸承壽命減短的物質(zhì),定時清洗可以增加軸承使用壽命,人工清洗時只適用于小型軸承進(jìn)行清洗的情況。人工清洗時常單獨或聯(lián)合...
本研究考察了這些HF最終工藝對干燥后南水標(biāo)記的生成有何影響。 通過對Teflon、SiO2、Silicon分別進(jìn)行適當(dāng)?shù)那逑床襟E,制備了具有親水性和疏水...
磁致伸縮位移傳感器核心工藝涉及波導(dǎo)絲材料加工、磁環(huán)設(shè)計、電子電路集成、信號接口、EMC設(shè)計、測桿封裝及系統(tǒng)校準(zhǔn)。技術(shù)突破需解決高精度、微型化與抗干擾能力...
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