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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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自“雙碳”目標(biāo)確定以來,我國能源綠色低碳轉(zhuǎn)型穩(wěn)步推進(jìn),光伏、風(fēng)電、儲能等新能源行業(yè)也迎來了井噴式發(fā)展。下圖是一個光伏系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖,其中逆變器作為光伏發(fā)電系...
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試(DPT)作為一種關(guān)鍵的測試方法,為功率器件的動態(tài)行為評估提供了精準(zhǔn)的手段...
2025-06-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器功率器件功率半導(dǎo)體 429 0
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)...
-回答星友xuu的提問,關(guān)于SiC功率器件在純電動卡車中的應(yīng)用解析-文字原創(chuàng),素材來源:各廠商,網(wǎng)絡(luò)-本篇為知識星球節(jié)選,完整版報告與解讀在知識星球發(fā)布...
浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實現(xiàn)更高的電壓路徑
橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長態(tài)勢。將這一材料體系擴(kuò)展至更高電壓等級需要器件設(shè)計和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)...
在現(xiàn)代電子設(shè)備的研發(fā)、測試和生產(chǎn)過程中,電子負(fù)載作為一種重要的測試工具,其應(yīng)用范圍廣泛且不可或缺。本文將從電子負(fù)載的定義、工作原理、優(yōu)勢以及實際應(yīng)用場景...
SiC MOSFET并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項
通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件,可以獲得更高輸出電流,滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和...
為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)(Injection Enha...
近年來,家居清潔產(chǎn)品正朝著無線化、智能化和高效能的方向快速發(fā)展。無繩吸塵器憑借其便捷性和靈活性,已成為市場主流。然而,為了滿足用戶對更長續(xù)航、更強(qiáng)動力和...
本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...
功率器件開關(guān)功耗測試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測試
功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關(guān)電源最核心的器件同時也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電源設(shè)計中,功率器件的測試至關(guān)重要,主要包括開關(guān)損耗測試,...
2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源示波器 330 0
電子封裝中的高導(dǎo)熱平面陶瓷基板及金屬化技術(shù)研究
隨著大功率器件朝著高壓、高電流以及小型化的方向發(fā)展,這對于器件的散熱要求變得更為嚴(yán)格。陶瓷基板因其卓越的熱導(dǎo)率和機(jī)械性能,被廣泛應(yīng)用于大功率器件的封裝工藝中。
YAGEO與Pulse產(chǎn)品在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的應(yīng)用
隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)技術(shù)的快速發(fā)展,設(shè)備之間的高效、可靠連接成為關(guān)鍵課題。在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中,集成連接器模塊、功率器件與保護(hù)器件的協(xié)同應(yīng)用,不僅能確保數(shù)據(jù)與...
2025-04-25 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)保護(hù)器件功率器件 502 0
概倫電子功率器件及電源芯片設(shè)計分析驗證工具PTM介紹
PTM是一款應(yīng)用于功率器件和電源芯片的設(shè)計分析套件,支持高精度提取Rdson、驗證器件的開關(guān)行為,以此提高IC產(chǎn)品的可靠性和壽命,已獲得頂級IDM和設(shè)計...
UCC14240-Q1 汽車類 2.0W、24Vin、25Vout 高密度 > 3kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊
UCC14240-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動器供電。UCC14240-Q1 將變...
大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于Infineon核心技術(shù)的 48V EEA方案 引領(lǐng)未來
品佳集團(tuán)推出基于Infineon技術(shù)的48V EEA方案,兼容12V與48V平臺,支持多種負(fù)載類型,具備高安全性、靈活性和可擴(kuò)展性,滿足新型電動汽車的多...
AiP2180是一款高速中壓全橋驅(qū)動電路。該電路主要用于驅(qū)動中壓功率器件,如N型MOSFET或IGBT等,電路內(nèi)置可調(diào)死區(qū)控制,可以調(diào)節(jié)驅(qū)動效率,支持獨...
射頻微波(RF&Microwave)技術(shù)是利用300MHz~300GHz頻段電磁波實現(xiàn)信息傳輸、能量轉(zhuǎn)換與傳遞的核心技術(shù)。隨著航空航天、無線通信...
2025-04-09 標(biāo)簽:功率器件無線電通信微波射頻技術(shù) 569 0
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