產(chǎn)品
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FLM5964-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:44
產(chǎn)品型號(hào):FLM5964-45F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FLM5964-45F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:lK -
FLM5359-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:37
產(chǎn)品型號(hào):FLM5359-45F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FLM5359-45F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:lK -
FLM1314-18F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:19
產(chǎn)品型號(hào):FLM1314-18F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FLM1314-18F 名稱:日本 產(chǎn)地:日本 封裝:IB -
FLM5053-35F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:11
產(chǎn)品型號(hào):FLM5053-35F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FLM5053-35F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:lK -
ELM1314-9F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:02
產(chǎn)品型號(hào):ELM1314-9F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):ELM1314-9F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:IA -
ELM5964-16F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 10:42
產(chǎn)品型號(hào):ELM5964-16F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):ELM5964-16F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:lK -
ELM7785-10F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 10:33
產(chǎn)品型號(hào):ELM7785-10F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):ELM7785-10F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:lK -
ELM1414-30F/001 Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 10:22
產(chǎn)品型號(hào):ELM1414-30F/001 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):ELM1414-30F/001 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:M2A -
FLM1414-4F 內(nèi)部匹配 功率 GaAs FET2023-12-07 18:48
產(chǎn)品型號(hào):FLM1414-4F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FLM1414-4F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:IA -
FLM1414-3F 內(nèi)部匹配 功率 GaAs FET2023-12-07 18:38
產(chǎn)品型號(hào):FLM1414-3F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FFLM1414-3F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:IA