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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • FLM5964-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:44

    產(chǎn)品型號(hào):FLM5964-45F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FLM5964-45F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:lK
  • FLM5359-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:37

    產(chǎn)品型號(hào):FLM5359-45F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FLM5359-45F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:lK
  • FLM1314-18F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:19

    產(chǎn)品型號(hào):FLM1314-18F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FLM1314-18F 名稱:日本 產(chǎn)地:日本 封裝:IB
  • FLM5053-35F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:11

    產(chǎn)品型號(hào):FLM5053-35F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FLM5053-35F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:lK
  • ELM1314-9F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:02

    產(chǎn)品型號(hào):ELM1314-9F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):ELM1314-9F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:IA
  • ELM5964-16F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 10:42

    產(chǎn)品型號(hào):ELM5964-16F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):ELM5964-16F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:lK
  • ELM7785-10F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 10:33

    產(chǎn)品型號(hào):ELM7785-10F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):ELM7785-10F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:lK
  • ELM1414-30F/001 Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 10:22

    產(chǎn)品型號(hào):ELM1414-30F/001 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):ELM1414-30F/001 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:M2A
  • FLM1414-4F 內(nèi)部匹配 功率 GaAs FET2023-12-07 18:48

    產(chǎn)品型號(hào):FLM1414-4F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FLM1414-4F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:IA
  • FLM1414-3F 內(nèi)部匹配 功率 GaAs FET2023-12-07 18:38

    產(chǎn)品型號(hào):FLM1414-3F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FFLM1414-3F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:IA