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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • AD9467BCPZ-250 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)2023-12-07 12:22

    產(chǎn)品型號：AD9467BCPZ-250 型號：AD9467BCPZ-250 封裝：LFCSP-72-VQ 接口：并行 分辨率：16位

  • APA-Wireless-Technologies 手冊2023-12-07 11:30

    產(chǎn)品型號：APA-Wireless-Technologies 品牌：APA Wireless Technologies VCO：壓控振蕩器

  • FLM5359-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 22:04

    產(chǎn)品型號：FLM5359-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5359-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

  • FLM5359-25F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:55

    產(chǎn)品型號：FLM5359-25F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5359-25F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM5964-25F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:47

    產(chǎn)品型號：FLM5964-25F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5964-25F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM5964-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:41

    產(chǎn)品型號：FLM5964-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5964-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM5359-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:34

    產(chǎn)品型號：FLM5359-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5359-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM5964-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:27

    產(chǎn)品型號：FLM5964-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5964-8F 型號：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

  • FLM5964-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:17

    產(chǎn)品型號：FLM5964-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5964-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

  • FLM1314-3F X、 Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:09

    產(chǎn)品型號：FLM1314-3F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1314-3F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA