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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • FLM7785-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 14:05

    產(chǎn)品型號：FLM7785-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7785-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM7785-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 13:58

    產(chǎn)品型號：FLM7785-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7785-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

  • FLM7785-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 13:43

    產(chǎn)品型號：FLM7785-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7785-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

  • FLM5964-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 13:35

    產(chǎn)品型號：FLM5964-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5964-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM7785-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 12:15

    產(chǎn)品型號：FLM7785-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7785-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

  • FLM7785-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 12:06

    產(chǎn)品型號：FLM7785-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7785-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM1414-15F X、 Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 11:52

    產(chǎn)品型號：FLM1414-15F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1414-15F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB

  • FLM5964-35F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 11:40

    產(chǎn)品型號：FLM5964-35F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5964-35F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM1415-8F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 11:33

    產(chǎn)品型號：FLM1415-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1415-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lA

  • ELM1414-30F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 11:15

    產(chǎn)品型號：ELM1414-30F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號 ：ELM1414-30F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：M2A