產品
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SGNL015Z2K-R DC–3.8GHz高功率GaN HEMTT2023-12-05 12:52
產品型號：SGNL015Z2K-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGNL015Z2K-R 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN -
SGNL005Z2K-R 5.0GHz高功率GaN HEMT2023-12-05 12:42
產品型號：SGNL005Z2K-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGNL005Z2K-R 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN -
FHX35LGT 超低噪聲HEMT2023-12-05 12:29
產品型號：FHX35LGT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX35LGT 名稱：砷化鎵HEMT 產地：日本 封裝：LG -
FHX13LGT 超低噪聲HEMT2023-12-05 12:21
產品型號：FHX13LGT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX13LGT 名稱：砷化鎵HEMT 產地：日本 封裝：LG -
FHX14X 是一款超高電子遷移率 晶體管2023-12-05 10:56
產品型號：FHX14X 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX14X 名稱：砷化鎵HEMT 產地：日本 封裝：Chip -
FHX35X 是一款超高電子遷移率 晶體管2023-12-05 10:40
產品型號：FHX35X 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX35X 名稱：砷化鎵HEMT 產地：日本 封裝：Chip -
FHX13X 是一款超高電子遷移率 晶體管2023-12-05 10:31
產品型號：FHX13X 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX13X 名稱：砷化鎵HEMT 產地：日本 封裝：Chip -
FHX14LGT 超低噪聲HEMT2023-12-05 10:22
產品型號：FHX14LGT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX14LGT 名稱：砷化鎵HEMT 產地：日本 封裝：LG -
FHX76LPT 超低噪聲HEMT2023-12-05 09:55
產品型號：FHX76LPT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX76LPT 名稱：砷化鎵HEMT 產地：日本 封裝：LP -
FHX45X 是一種超高電子遷移率 晶體管2023-12-05 09:47
產品型號：FHX45X 廠家： Sumitomo Electric Device Inno 型號：FHX45X 名稱：砷化鎵HEMT 產地：日本 封裝：Chip