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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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立年電子科技產品

  • FLM5972-8F C波段 內部匹配 FET2023-12-06 16:12

    產品型號:FLM5972-8F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM5972-8F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地:日本 封裝:lB
  • FLM6472-12F C波段 內部匹配 FET2023-12-06 16:04

    產品型號:FLM6472-12F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM6472-12F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地:日本 封裝:lK
  • FLM6472-18F C波段 內部匹配 FET2023-12-06 15:56

    產品型號:FLM6472-18F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM6472-18F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地:日本 封裝:lK
  • FLM6472-25F C波段 內部匹配 FET2023-12-06 15:49

    產品型號:FLM6472-25F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM6472-25F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地:日本 封裝:lK
  • FLM6472-8F C波段 內部匹配 FET2023-12-06 15:40

    產品型號:FLM6472-8F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM6472-8F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地:日本 封裝:lB
  • FLM7179-12F C波段 內部匹配 FET2023-12-06 15:29

    產品型號:FLM7179-12F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM7179-12F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地:日本 封裝:lK
  • FLM7179-8F C波段 內部匹配 FET2023-12-06 14:49

    產品型號:FLM7179-8F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM7179-8F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地:日本 封裝:lB
  • FLM7185-12F C波段 內部匹配 FET2023-12-06 14:42

    產品型號:FLM7185-12F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM7185-12F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地:日本 封裝:lK
  • FLM7179-18F C波段 內部匹配 FET2023-12-06 14:36

    產品型號:FLM7179-18F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM7179-18F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地:日本 封裝:lK
  • FLM7185-6F C波段 內部匹配 FET2023-12-06 14:28

    產品型號:FLM7185-6F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM7185-6F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地:日本 封裝:lB