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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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立年電子科技產品

  • SGC9395-130B-R X波段 內部匹配 GaN HEMT2023-12-10 15:02

    產品型號：SGC9395-130B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC9395-130B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地：日本 封裝：IK

  • SGC1112-100B-R X波段 內部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:57

    產品型號：SGC1112-100B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC1112-100B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地：日本 封裝：IK

  • SGC9395-100B-R X波段 內部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:50

    產品型號：SGC9395-100B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC9395-100B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地：日本 封裝：IK

  • SGC9395-50B-R C波段 部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:44

    產品型號：SGC9395-50B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC9395-50B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地：日本 封裝：IK

  • SGC5259-300B-R C波段 部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:37

    產品型號：SGC5259-300B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC5259-300B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地：日本 封裝：IK

  • SGC52589-50B-R C波段 部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:22

    產品型號：SGC52589-50B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC52589-50B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地：日本 封裝：IBK

  • FSX017LGT 超低噪聲 HEMT2023-12-09 20:19

    產品型號：FSX017LGT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FSX017LGT 名稱：Small Signal GaAs FET小信號砷化鎵 FE 產地：日本 封裝：LG*

  • FSX017X GaAs FET 芯片2023-12-09 20:12

    產品型號：FSX017X 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FSX017X 名稱：Small Signal GaAs FET小信號砷化鎵 FE 產地：日本 封裝：Chip

  • FSU01LGT 通用 GaAs FET2023-12-09 20:04

    產品型號：FSU01LGT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FSU01LGT 名稱：Small Signal GaAs FET小信號砷化鎵 FE 產地：日本 封裝：LG*

  • FSU02LGT 通用 GaAs FET2023-12-09 19:56

    產品型號：FSU02LGT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FSU02LGT 名稱：Small Signal GaAs FET小信號砷化鎵 FE 產地：日本 封裝：LG*