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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • SGC7172-30A C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 21:01

    產(chǎn)品型號：SGC7172-30A 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC7172-30A 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGN3133-260H-R 雷達(dá)用高壓大功率 GaN HEMT2023-12-10 20:51

    產(chǎn)品型號：SGN3133-260H-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGN3133-260H-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGC7172-120A C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 20:42

    產(chǎn)品型號：SGC7172-120A 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC7172-120A 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGK5867-30C C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 20:35

    產(chǎn)品型號：SGK5867-30C 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGK5867-30C 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK

  • SGK5872-20C C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 17:56

    產(chǎn)品型號：SGK5872-20C 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGK5872-20C 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK

  • SGC9395-300B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 15:43

    產(chǎn)品型號：SGC9395-300B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC9395-300B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGN3133-260L-R 雷達(dá)用高壓大功率GaN HEMT2023-12-10 15:34

    產(chǎn)品型號：SGN3133-260L-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGN3133-260L-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IV

  • SGN3035-150L-R 雷達(dá)用高壓大功率GaN HEMT2023-12-10 15:28

    產(chǎn)品型號：SGN3035-150L-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGN3035-150L-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IV

  • SGN2731-500L-R 雷達(dá)用高壓大功率GaN HEMT2023-12-10 15:19

    產(chǎn)品型號：SGN2731-500L-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGN2731-500L-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IV

  • SGC9395-200B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 15:09

    產(chǎn)品型號：SGC9395-200B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC9395-200B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK