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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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立年電子科技產品

  • ELM6472-4PS C波段 內部匹配 FET2023-12-12 10:55

    產品型號:ELM6472-4PS 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM6472-4PS 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地:日本 封裝:SMT
  • ELM5964-7PST C波段 內部匹配 FET2023-12-12 10:46

    產品型號:ELM5964-7PST 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM5964-7PST 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地:日本 封裝:SMT
  • ELM5964-7PS C波段 內部匹配 FET2023-12-12 10:37

    產品型號:ELM5964-7PS 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM5964-7PS 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地:日本 封裝:SMT
  • ELM5964-4PS C波段 內部匹配 FET2023-12-12 10:25

    產品型號:ELM5964-4PS 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM5964-4PS 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地:日本 封裝:SMT
  • ELM5964-4PST C波段 內部匹配 FET2023-12-12 10:19

    產品型號:ELM5964-4PST 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM5964-4PST 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地:日本 封裝:SMT
  • SGN2933-600D-R 雷達用高壓大功率GaN HEMT2023-12-11 13:25

    產品型號:SGN2933-600D-R 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SGN2933-600D-R 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地:日本 封裝:M1B
  • SGK1314-30A Ku帶 內部匹配 GaN HEMT2023-12-11 13:18

    產品型號:SGK1314-30A 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SGK1314-30A 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地:日本 封裝:IBK
  • SGM6901VU X波段 24W GaN HEMT模塊2023-12-11 13:11

    產品型號:SGM6901VU 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SGM6901VU 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地:日本 封裝:VU
  • SGK1314-60B ku帶 內部匹配 GaN HEMT2023-12-11 13:04

    產品型號:SGK1314-60B 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SGK1314-60B 名稱: IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地:日本 封裝:IBK
  • SGC0910-300B-R X波段 內部匹配 GaN HEMT2023-12-11 12:15

    產品型號:SGC0910-300B-R 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SGC0910-300B-R 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地:日本 封裝:IK