產品
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FHX06LG 是一種高電子遷移率晶體管 HEMT 2023-12-15 09:48
產品型號：FHX06LG 廠家：Sumitomo Electric 型號：FHX06LG 名稱：低噪聲 放大器 產地：日本 封裝：SMT -
FHX05LG 是一種高電子遷移率晶體管 HEMT2023-12-15 09:43
產品型號：FHX05LG 廠家：Sumitomo Electric 型號：FHX05LG 名稱：低噪聲 放大器 產地：日本 封裝：SMT -
FHX04LG 是一種高電子遷移率晶體管 HEMT 2023-12-15 09:37
產品型號：FHX04LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX04LG 名稱：低噪聲 放大器 產地：日本 封裝：SMT -
TSS-53LNB+高性能的低噪聲寬帶放大器2023-12-14 16:58
產品型號：TSS-53LNB+ 頻率范圍MHz：500 - 5000 MHz 頻率范圍GHz：0.5-5 GHz 阻抗：50Ω 封裝：MCLP 尺寸：3x3 mm -
SLM5868-25F C波段 內部匹配 FET2023-12-14 09:49
產品型號：SLM5868-25F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SLM5868-25F 名稱：MFET GaAs 砷化鎵IMFET 產地：日本 封裝：SMT -
SGM6906VUT X波段 50W GaN HEMT模塊2023-12-14 09:18
產品型號：SGM6906VUT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGM6906VUT 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
SGM6906VU X波段 50W GaN HEMT模塊2023-12-14 09:11
產品型號：SGM6906VU 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGM6906VU 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
SGK5867-100C C波段 內部匹配 GaN HEMT2023-12-13 12:13
產品型號：SGK5867-100C 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： SGK5867-100C 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
FLM7179-6F C波段 內部匹配 FET2023-12-13 11:58
產品型號：FLM7179-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7179-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
FLM6472-6F C波段 內部匹配 FET2023-12-13 11:50
產品型號：FLM6472-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： FLM6472-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT