產品
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FLM3135-12F C波段 內部匹配 FET2023-12-13 11:43
產品型號：FLM3135-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM3135-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
FLM1415-4F Ku波段 內部匹配 FET2023-12-13 11:35
產品型號：FLM1415-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1415-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
FLM1314-12F X、Ku波段 內部匹配 FET2023-12-13 11:26
產品型號：FLM1314-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1314-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
FHX35X/002 低噪聲 HEMT2023-12-13 11:17
產品型號：FHX35X/002 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX35X/002 名稱：砷化鎵HEMT 名稱：日本 封裝：SMT -
FHX35LPT 超低噪聲 HEMT2023-12-13 11:05
產品型號：FHX35LPT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： FHX35LPT 名稱：砷化鎵HEMT 產地：日本 封裝：SMT -
FHX35LP 超低噪聲 HEMT2023-12-13 10:58
產品型號：FHX35LP 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX35LP 名稱：砷化鎵HEMT 產地：日本 封裝：SMT -
FHX35LGT/002 超低噪聲 HEMT2023-12-12 20:03
產品型號：FHX35LGT/002 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX35LGT/002 名稱：砷化鎵HEMT 產地：日本 封裝：SMT -
FHX35LG/002 超低噪聲 HEMT2023-12-12 19:56
產品型號：FHX35LG/002 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX35LG/002 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地：日本 封裝：SMT -
ELM7785-7PST C波段 內部匹配 FET2023-12-12 19:34
產品型號：ELM7785-7PST 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM7785-7PST 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地：日本 封裝：SMT -
ELM7785-7PS C波段 內部匹配 FET2023-12-12 19:29
產品型號：ELM7785-7PS 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM7785-7PS 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管 產地：日本 封裝：SMT