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      FDG6303N 雙N溝道數字FET

      數據：

      產品信息

      這些雙N溝道邏輯電平增強模式場效應晶體管采用飛兆半導體專有的高電池密度DMOS技術生產。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應用設計，以替代雙極數字晶體管和小信號MOSFETS。
      • 25V、0.50A（連續值）、1.5A（峰值）。
      • R
      • = 0.45 Ω @ V
      • = 4.5 V，
      • R
      • = 0.60 Ω @ V
      • = 2.7 V。
      • 電平柵極驅動要求極低，從而可在3V電路中直接運行(V
      • < 1.5 V)。
      • 柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力（>6kV人體模型）。
      • 緊湊的工業標準SC70-6表面貼裝封裝。

      技術文檔

      數據手冊（1） 相關資料（8）
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