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ON Semiconductor RB521S30T1G參數特性與EDA模型 數據手冊介紹

向上 ? 來源:ON Semiconductor ? 作者:ON Semiconductor ? 2025-05-28 16:45 ? 次閱讀

RB521S30T1G

基本特性

  • ?類型?:肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode
  • ?額定電壓?:30V
  • ?設計用途?:適用于高速開關應用、電路保護及電壓箝位。極低的正向電壓降低了傳導損耗,微型表面貼裝封裝非常適合手持和便攜式空間有限的應用。

ON Semiconductor RB521S30T1G數據手冊免費下載:
*附件:RB521S30T1G.pdf

RB521S30T1G EDA模型 鏈接

http://www.asorrir.com/p/e234836437

關鍵特性

  • ?極快切換速度?:具有極高的開關速度。
  • ?極低正向電壓?:在IF = 200 mA時,最大正向電壓為0.5V。
  • ?低反向電流?。
  • ?汽車應用?:NSV前綴表示適用于汽車及其他需要獨特站點和控制變更要求的應用,符合AEC-Q101標準,具備PPAP能力。
  • ?環保合規?:無鉛(Pb-Free)、無鹵素/無溴化阻燃劑(Halogen Free/BFR Free),符合RoHS標準。
  • 18.png
    18.png

封裝信息

  • ?封裝類型?:SOD-523

最大額定值

  • ?反向電壓?:VR = 30Vdc
  • ?正向直流電流?:IF = 200mA
  • ?峰值正向浪涌電流?:IFSM = 1.0A(60Hz,1個周期)

熱特性

  • ?總器件耗散?:在FR-5板上,TA=25°C時,PD為200mW;溫度超過25°C時,需按1.57mW/°C進行降額。
  • ?熱阻?:結到環境熱阻為63°C/W。
  • ?工作結溫和存儲溫度范圍?:-55至+125°C。

標記與包裝

  • ?標記?:5MM表示器件代碼,M表示日期代碼。
  • ?包裝?:提供3000個/卷帶(Tape & Reel)的包裝形式,有Pb-Free選項。

電氣特性

  • ?反向泄漏電流?:在VR=10V時,IR為30nA(典型值可能因溫度不同而變化)。
  • ?正向電壓?:在IF=200mA時,VF為0.50Vdc(典型值可能因溫度不同而變化)。

物理尺寸

  • 提供詳細的物理尺寸圖,包括長度、寬度、高度等具體數據,適用于SOD-523封裝。
    image.png

    ON Semiconductor RB521S30T1G EDA模型下載地址:

    http://www.asorrir.com/p/e234836437

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