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SN74CBT16800C 具有預(yù)充電輸出和 ?2V 下沖保護的 20 位 FET 總線開關(guān)

數(shù)據(jù):

描述

SN74CBT16800C是一款高速TTL兼容FET總線開關(guān),具有低導(dǎo)通電阻(r on ),允許用于最小傳播延遲。 SN74CBT16800C的A和B端口上的有源下沖保護電路通過檢測下沖事件并確保開關(guān)保持在正常的OFF狀態(tài),為低達2 V的下沖提供保護。該器件還可將B端口預(yù)充電至用戶可選擇的偏置電壓(BIASV),以最大限度地降低帶電插入噪聲。

SN74CBT16800C組織為兩個10位總線開關(guān),具有獨立的輸出使能(10E \ ,2OE \)輸入。它可以用作兩個10位總線開關(guān)或一個20位總線開關(guān)。當OE \為低電平時,相關(guān)的10位總線開關(guān)接通,A端口連接到B端口,允許端口之間的雙向數(shù)據(jù)流。當OE \為高電平時,相關(guān)的10位總線開關(guān)關(guān)閉,A和B端口之間存在高阻態(tài)。當OE \高時,B端口通過等效的10-k 電阻預(yù)充電到BIASV,或者如果設(shè)備斷電(V CC = 0 V)。

在插入(或移除)卡進入(或從)有源總線的過程中,卡? ?的輸出電壓可能接近GND。當連接器引腳接觸時,卡的寄生電容會試圖迫使總線信號進入GND,從而在有源總線上產(chǎn)生可能的毛刺。通過使用總線開關(guān)的預(yù)充電偏置電壓(BIASV)等于有源總線上接收器的輸入閾值電壓電平的總線開關(guān),可以減少這種毛刺效應(yīng)。這種方法將確保卡的插入(或移除)產(chǎn)生的任何毛刺都不會越過有源總線上接收器的輸入閾值區(qū)域,從而最大限度地減少了插入噪聲的影響。

此設(shè)備完全為使用I off 的部分斷電應(yīng)用指定。 I off 功能可確保損壞的電流在斷電時不會回流通過器件。

為確保上電或斷電期間的高阻態(tài),OE \應(yīng)通過上拉電阻連接到V CC ;電阻的最小值由驅(qū)動器的電流吸收能力決定。

特性

  • 德州儀器廣播公司的成員?系列
  • 對A和B端口上的隔離進行下沖保護,最高可達±2 V
  • B端口輸出通過偏置電壓(BIASV)預(yù)充電,以最大限度地減少實時信號失真插入和熱插拔
  • 支持PCI熱插拔
  • 具有近零傳播延遲的雙向數(shù)據(jù)流
  • 低導(dǎo)通電阻(r on )特征(r on = 3 典型)< /li>
  • 低輸入/輸出電容最小化負載和信號失真(C io(OFF )= 5.5 pF典型值)
  • 數(shù)據(jù)和控制輸入提供下沖鉗位二極管< /li>
  • 低功耗(I CC =最大3μA)
  • V CC 工作范圍4 V至5.5 V
  • 數(shù)據(jù)I /O支持0至5V信令電平(0.8V,1.2V,1.5V,1.8V,2.5V,3.3V,5V)
  • 控制輸入可由TTL或5 V /3.3 V CMOS輸出驅(qū)動
  • I off 支持部分功率-D自己的模式操作
  • 閂鎖性能超過JESD 78,Class II 100 mA
  • 每個JESD測試的ESD性能22
    • 2000-V人體模型( A114-B,II類)
    • 1000V充電器件型號(C101)
  • 支持數(shù)字和模擬應(yīng)用:PCI接口,存儲器交錯,總線隔離,低失真信號門控

Widebus是德州儀器公司的商標。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?模擬開關(guān)/多路復(fù)用器

?
Configuration
Number of Channels (#)
Power Supply Type
Vss (Min) (V)
Vss (Max) (V)
Vdd (Min) (V)
Vdd (Max) (V)
Ron (Typ) (Ohms)
Bandwidth (MHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
Supply Range (Max)
Ron (Max) (Ohms)
Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
Supply Current (Max) (uA)
Features
OFF-state leakage current (Max) (μA)
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
ESD Charged Device Model (kV)
ESD HBM (kV)
VIL (Max) (V)
VIH (Min) (V)
SN74CBT16800C
1:1 SPST ? ?
20 ? ?
Single ? ?
N/A ? ?
N/A ? ?
4 ? ?
5.5 ? ?
3 ? ?
200 ? ?
Catalog ? ?
-40 to 85 ? ?
48SSOP: 164 mm2: 10.35 x 15.88(SSOP)
48TSSOP: 101 mm2: 8.1 x 12.5(TSSOP) ? ?
SSOP
TSSOP ? ?
5.5 ? ?
12 ? ?
128 ? ?
3 ? ?
Powered off protection
-2V undershoot protection
Pre-charged signal path ? ?
10 ? ?
15.5 ? ?
5.5 ? ?
1 ? ?
2 ? ?
0.8 ? ?
2 ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
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