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TS5N118 8 選 1 FET 多路復用器/多路解復用器高帶寬總線開關

數據:

描述

TS5N118是一款高帶寬FET總線開關,利用電荷泵提升傳輸晶體管的柵極電壓,提供低而平坦的導通狀態阻力(r on )。低而平坦的導通電阻允許最小的傳播延遲,并支持數據輸入/輸出(I /O)端口上的軌到軌切換。該器件還具有低數據I /O電容,可最大限度地減少數據總線上的電容負載和信號失真。 TS5N118專為支持高帶寬應用而設計,提供優化的接口解決方案,非常適合寬帶通信,網絡和數據密集型計算系統。

TS5N118是1/8復用器/解復用器使用單個輸出啟用(> OE )輸入。選擇(S0,S1,S2)輸入控制多路復用器/多路分解器的數據路徑。當 OE 為低電平時,多路復用器/多路分解器啟用,A端口連接到B端口,允許端口之間的雙向數據流。當 OE 為高電平時,多路復用器/多路分解器被禁用,A和B端口之間存在高阻態。

此設備完全為使用I off 的部分斷電應用指定。 I off 電路可防止在斷電時損壞通過器件的電流。在斷電期間,器件具有隔離功能。

為確保上電或斷電期間的高阻態, OE 應綁定到V CC 通過上拉電阻;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。

特性

  • 低且平坦的導通電阻(r on )特性超出工作范圍(r on < /sub> = 3 Typ)
  • 0到10-V開啟數據I /O端口
  • 具有接近零傳播延遲的雙向數據流
  • 低輸入/輸出電容可最大限度地減少加載和信號失真(C io(OFF) = 20 pF Max,B端口)
  • V CC 工作范圍4.75 V至5.25 V
  • 閂鎖性能超過每JESD 100 mA 78 ,II類
  • 每個JESD測試的ESD性能22
    • 2000-V人體模型
      (A114-B,II類)
    • 1000-V充電設備型號(C101)
  • 支持數字和模擬應用
  • 應用
    • PCI接口
    • 差分信號接口
    • 內存交錯
    • 總線隔離
    • 低失真信號門控

<小>

參數 與其它產品相比 特定于協議的開關/多路復用器

 
Configuration
Number of Channels (#)
VCC (Min) (V)
VCC (Max) (V)
Ron (Typ) (Ohms)
Input/Ouput Voltage (Min) (V)
Input/Ouput Voltage (Max) (V)
ICC (Max) (uA)
Bandwidth (MHz)
Operating Temperature Range (C)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
ESD Charged Device Model (kV)
Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
OFF-state leakage current (Max) (µA)
Ron (Max) (Ohms)
VIH (Min) (V)
VIL (Max) (V)
TS5N118
8:1    
1    
4.75    
5.25    
3    
0    
10    
10000    
25    
-40 to 85    
16SSOP: 29 mm2: 6 x 4.9(SSOP)    
SSOP    
1    
100    
20    
160    
10    
12.5    
2    
0.8    

技術文檔

數據手冊(1)
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