與濕法蝕刻相比，等離子蝕刻的一個主要優(yōu)點是能夠獲得高度定向（各向異性）的蝕刻工藝。
2021-10-07 15:51:00
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硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻，通常通過堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀，TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強烈依賴性，可以以高度可控和可重復的方式制備多種
2022-03-08 14:07:251768 
在本研究中，我們設計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設計，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:491943 
引起的，濕法清洗和干法蝕刻清洗工藝被用于去除多晶硅蝕刻殘留物，這可能影響電特性和進一步的器件工藝。XPS結果表明，濕法清洗適用于蝕刻殘留物的去除。
2022-05-06 15:49:501012 
引言 本研究針對12英寸晶圓廠近期技術開發(fā)過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀，然而，包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的那些先前的工藝
2022-06-01 15:55:467809 
初始屏蔽檢查 對蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側壁角度。如果可能，對橫截面進行SEM檢查，以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側壁角度
2022-06-10 16:09:335070 
在半導體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產生該材料的圖案的任何技術，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產生在光刻中有詳細描述，一旦掩模就位，可以通過濕法化學或“干法”物理方法對不受掩模保護的材料進行蝕刻，圖1顯示了這一過程的示意圖。
2022-07-06 17:23:522866 
本文主要闡述我們華林科納在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設計(DOE)方法來研究所選因素
2022-07-12 14:01:131364 
本次在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設計(DOE)方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定
2022-07-13 16:55:042263 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062774 
濕法蝕刻工藝的原理是利用化學溶液將固體材料轉化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學物質可以非常精確地適用于每一部電影。對于大多數(shù)解決方案選擇性大于100:1。
2022-07-27 15:50:252109 
反應離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導體工業(yè)中使用的互補金屬氧化物半導體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
（干法刻蝕硅）17、 RIE SiO2 （干法刻蝕二氧化硅）18、 RIE Si3N4 （干法刻蝕氮化硅）19、 RIE Al、AlN、Ti、TiN （干法刻蝕金屬，包括干法刻蝕鋁、干法刻蝕氮化
2015-01-07 16:15:47
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高，因為所用化學藥品可以非常精確地適應各個薄膜。對于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
為了在基板上形成功能性的MEMS結構，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術。
2021-01-09 10:17:20
問:為什么現(xiàn)在的CMOS工藝一般都是用P襯底而不是N襯底？兩者有什么區(qū)別?。看?為什么CMOS工藝采用P襯底，而不用N襯底？這主要從兩個方面來考慮：一個是材料和工藝問題；另一個是電氣性能問題。P型
2012-05-22 09:38:48
`請問PCB蝕刻工藝質量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
腐蝕掉,稱為蝕刻。要注意的是,這時的板子上面有兩層銅.在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種
2018-11-26 16:58:50
，可以根據(jù)菲林與所制作的圖形線路是否一致，區(qū)分為正片、負片……（一致為正片，不一致為負片）圖形轉移，可以根據(jù)所采用感光材料的不同，分為干法工藝、濕法工藝……（干膜為干法工藝，油墨為濕法工藝）圖形轉移
2023-02-17 11:46:54
目前，印刷電路板（pcb）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”.即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。PCB蝕刻工藝
2018-09-13 15:46:18
問題，因為涉及的損害很低。此外，它們比干法蝕刻方法更便宜且不復雜。另一個重要的優(yōu)點是濕法蝕刻可以選擇性地去除不同的材料。本文介紹了n型氮化鎵在幾種電解質水溶液中(光)電化學行為的基礎研究結果，以及在
2021-10-13 14:43:35
使用化學溶液去除材料。在 CMOS 制造中，濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個工藝流程中重復多次。一些清潔過程旨在去除微粒，而另一些則是去除有機和/或無機表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
蝕刻，并總結了它們的優(yōu)缺點。本研究通過展示 CMP 完成的 GaN 襯底的 ICP 干法蝕刻并討論 CL 強度下降的原因來顯示。在實驗結果的基礎上，總結了當前 CMP 和 ICP 干蝕刻需要
2021-07-07 10:26:01
方面存在局限性，因此需要探索自上而下、依賴蝕刻的 GaN NW 制造工藝。這項工作的重點是改進自上而下的 GaN 納米線的制造方法，并為 SPE 的制造奠定了潛在的工藝。使用干法和濕法蝕刻的組合，現(xiàn)有
2021-07-08 13:11:24
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應用編號：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法
2021-07-08 13:09:52
、135°C 以上溶于乙二醇的 KOH、180°C 溶于乙二醇的 NaOH。文章全部詳情，請加V獲?。篽lknch / xzl1019^晶體蝕刻工藝中兩個蝕刻步驟中的第一個用于確定蝕刻深度，它可以通過幾種
2021-07-07 10:24:07
黃金。以上只是基于實驗的基礎，實驗設備也比較簡陋，如果再結合濕法清洗設備進行蝕刻工藝，效果會有明顯的提高，南通華林科納半導體設備有限公司生產的濕法清洗設備能在各方面滿足要求，使清洗達到事半功倍的效果。 如有侵權，請聯(lián)系作者刪除
2021-07-09 10:23:37
的歷史蝕刻工藝進行了兩個主要的工藝更改，這使得這項工作成為必要。首先，我們從 Clariant AZ4330 光刻膠切換到 Shipley SPR220-3。我們發(fā)現(xiàn)后者的光刻膠具有更好的自旋均勻性
2021-07-06 09:39:22
，干法蝕刻制備的氮化鎵（GaN）側壁通常具有較大的粗糙度和蝕刻損傷，這會導致由于表面非輻射復合導致的光學散射和載流子注入損失引起的鏡面損失。詳細研究了干法蝕刻形成的GaN側壁面的濕化學拋光工藝，以去除蝕刻
2021-07-09 10:21:36
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對取向、長度、形態(tài)等結構參數(shù)的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導體納米結構的簡單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑（例如過氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
。一.蝕刻的種類要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種
2018-04-05 19:27:39
蒸汽刻蝕是把晶圓暴露于刻蝕劑蒸汽中。氫氟酸是最常用到的。其優(yōu)點是持續(xù)新鮮的刻蝕劑補充到晶圓表面并可以及時停止刻蝕。處于安全考慮，有毒蒸汽需要密封保存在系統(tǒng)內。干法刻蝕對于小尺寸濕法刻蝕的局限在前面已經(jīng)
2018-12-21 13:49:20
操作，并具備對PECVD或LPCVD工藝優(yōu)化的能力； 4、 熟悉光刻工藝、濕法刻蝕；離子蝕刻(RIE, ICP etc)者優(yōu)先;5、熟悉計算機操作，具備相關專業(yè)英語閱讀能力； 6、工作認真細致、有
2012-12-19 22:42:16
。蝕刻工藝對設備狀態(tài)的依賴性極大,故必需時刻使設備保持在良好的狀態(tài)。【解密專家+V信：icpojie】 目前﹐無論使用何種蝕刻液﹐都必須使用高壓噴淋﹐而為了獲得較整齊的側邊線條和高質量的蝕刻效果
2017-06-23 16:01:38
，可以根據(jù)菲林與所制作的圖形線路是否一致，區(qū)分為正片、負片……（一致為正片，不一致為負片）圖形轉移，可以根據(jù)所采用感光材料的不同，分為干法工藝、濕法工藝……（干膜為干法工藝，油墨為濕法工藝）圖形轉移
2023-02-17 11:54:22
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻?！ ∫?蝕刻的種類 要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有
2018-09-19 15:39:21
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機械結構的干法刻蝕技術濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
磷酸鐵鋰干法與濕法混料技術比較分析
磷酸鐵鋰的混料方式主要有兩種：
（1）干法混料，將各種物料
2009-12-09 09:18:343368 超細線蝕刻工藝技術介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:081181 微孔制備技術是鋰離子電池隔膜制備工藝的核心，其分為干法單向拉伸、干法雙向拉伸和濕法工藝。
2018-03-20 13:50:427466 
本文首先介紹了PCB蝕刻工藝原理和蝕刻工藝品質要求及控制要點，其次介紹了PCB蝕刻工藝制程管控參數(shù)及蝕刻工藝品質確認，最后闡述了PCB蝕刻工藝流程詳解，具體的跟隨小編一起來了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0940469 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個剝離的例子。總的來說，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術來實現(xiàn)。為了復制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768520 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前，印刷電路板（PCB）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。
2019-08-16 11:31:004646 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝，可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝
2019-07-10 15:11:352708 
要注意的是，這時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍，其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種工藝方法是整個
2019-07-08 14:51:342430 
PCB板蝕刻工藝用傳統(tǒng)的化學蝕刻過程腐蝕未被保護的區(qū)域。有點像是挖溝，是一種可行但低效的方法。在蝕刻過程中也分正片工藝和負片工藝之分，正片工藝使用固定的錫保護線路，負片工藝則是使用干膜或者濕膜來保護線路。用傳統(tǒng)的蝕刻方法到線或焊盤的邊緣是畸形的。
2020-07-12 10:26:563060 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 低損耗硅波導和有效的光柵耦合器來將光耦合到其中。通過使用各向異性濕法蝕刻技術，我們將側壁粗糙度降低到1.2納米。波導沿[112]方向在絕緣體上硅襯底上形成圖案。
2021-12-22 10:17:21712 )、(TMAH)、NaOH等，但KOH與TMAH相比，平整度更好，并且只對硅的 100 表面做出反應，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向異性蝕刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計、光學傳感器等整體MEMS裝置結構形成等中使用。 實驗 KOH硅濕法蝕刻工藝 工藝
2021-12-23 09:55:35484 
本研究透過數(shù)值解析，將實驗上尋找硅晶片最佳流動的方法，了解目前蝕刻階段流動的形式，并尋求最佳晶片蝕刻條件,蝕刻工藝效率低利用氣泡提高濕法蝕刻工藝效果,用實驗的方法尋找最佳流動，通過數(shù)值分析模擬了利用
2022-01-19 17:11:32340 
濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產各種應用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè)，特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:241860 
蝕刻或離子注入，會導致高達10i2-1013 atom/em2的金屬污染。濕法工藝對于去除干法加工過程中引入的這些：金屬雜質變得越來越重要。
2022-02-10 15:49:18537 
在(NH4)2cr 2o 7–HBr–EG蝕刻溶液中InAs、InSb和GaAs、GaSb半導體溶解過程的特征。蝕刻動力學數(shù)據(jù)表明，晶體溶解具有擴散決定的性質。溶劑濃度從80體積降低到0體積。根據(jù)溶液
2022-02-14 16:47:05447 
本文對單晶石英局部等離子體化學刻蝕工藝的主要工藝參數(shù)進行了優(yōu)化。在射頻(射頻，13.56兆赫)放電激勵下，在CF4和H2的氣體混合物中進行蝕刻。采用田口矩陣法的科學實驗設計來檢驗腔室壓力、射頻發(fā)生器
2022-02-17 15:25:421804 
電感耦合等離子體反應離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒有離子誘導損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯密度的估算。這有可能發(fā)展成為一種快速評估材料的方法。
2022-02-23 16:20:242208 
摘要 公開了一種用于濕法處理襯底的設備和系統(tǒng)，其可用于化學處理，例如蝕刻或清洗半導體襯底。該設備具有處理室，在該處理室中濕法處理襯底。處理液通過開口和噴嘴注入處理室，基板漂浮在注入的液體中并通過注入
2022-02-24 13:41:53953 
的氧化鎳未完全去除造成的。這項研究對這些多余金屬缺陷的成分進行了分類和確定，評估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法，最后提出了一種濕蝕刻工藝，該工藝將快速去除缺陷，同時繼續(xù)保持所需的半各向異性蝕刻輪廓，這是大多數(shù)金屬
2022-02-28 14:59:351780 
提高10倍的吞吐量。 雖然大多數(shù)公司使用干式蝕刻工藝來創(chuàng)建圖案表面，但干式蝕刻的缺點并不小，包括加工設備的成本高，吞吐量低，擴展性差等等。 這種不利因素促使許多人重新燃起對濕法蝕刻的興趣。歷史上，標準
2022-03-08 13:34:36528 了解形成MEMS制造所需的三維結構，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336 
我們開發(fā)了一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝，通過在晶片上使用單個蝕刻掩模來制造各種硅微結構，這些微結構具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺面結構以及具有
2022-03-14 10:51:42581 
在半導體微器件的制造中，必須通過蝕刻各種材料，從表面移除整個層或將抗蝕劑圖案轉移到下面的層中。在蝕刻工藝中可以分為兩種工藝：濕法和干法蝕刻，同時進一步分為各向同性和各向異性工藝（見下圖）。
2022-03-17 13:36:28404 
硅是微電子學和微細力學中最常用的襯底材料。它不僅可用作無源襯底，也可用作電子或機械元件的有源材料。如本章所述，所需的圖案也可以通過濕化學蝕刻方法來實現(xiàn)。
2022-03-23 14:17:161811 
本文章將對表面組織工藝優(yōu)化進行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽能電池量產工藝。本研究在多晶晶片表面組織化工藝
2022-03-25 16:33:49516 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應離子蝕刻工藝能夠實現(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當尺寸放寬時，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護的完整性。給出了確保這種保護的一些提示，以及評估這種保護的相關新方法。
2022-04-06 13:29:19666 
關于在進行這種濕法或干法蝕刻過程中重要的表面反應機制，以Si為例，以基礎現(xiàn)象為中心進行解說。蝕刻不僅是在基板上形成的薄膜材料的微細加工、厚膜材料的三維加工和基板貫通加工，而且是通過研磨和研磨等機械
2022-04-06 13:31:254183 
薄晶片已成為各種新型微電子產品的基本需求。 需要更薄的模具來適應更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標準的機械背面磨削相比，應力更小。 硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:33751 
半導體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆?；蛉毕?。擴散、光和化學氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉擦洗之前有預清潔作為濕法清潔/蝕刻工藝
2022-04-21 12:27:43589 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應離子蝕刻工藝能夠實現(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當尺寸放寬時，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護的完整性。給出了確保這種保護的一些提示，以及評估這種保護的相關新方法。
2022-04-22 14:04:19591 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
刻蝕室半導體IC制造中的至關重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區(qū)別是各向異性，更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:31
6 的逐層秘密。隨著制造工藝的變化和半導體結構的變化，這些技術需要在時間和程序上不斷調整。雖然有許多工具有助于這些分析，如RIE(反應離子蝕刻-一種干法蝕刻技術)、離子銑削和微切割，但鎢的濕法化學蝕刻有時比RIE技術更具重現(xiàn)性。
2022-06-20 16:38:205220 
和蝕刻殘留物。開發(fā)的最終工藝產生了具有大約80度的單斜面?zhèn)缺谳喞拇┻^襯底的通孔，該通孔清除了蝕刻后的掩膜材料。
2022-06-23 14:26:57516 
本文介紹了我們華林科納在半導體制造過程中進行的濕法蝕刻過程和使用的藥液，在晶圓表面，為了形成LSI布線，現(xiàn)在幾乎所有的半導體器件都使用干蝕刻方式，這是因為干法蝕刻與濕法蝕刻相比，各向異性較好，對于形成細微的布線是有利的。
2022-07-06 16:50:321538 
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。1，2干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷3和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生的側壁的典型均方根(rms)粗糙度約為
2022-07-12 17:19:243454 
蝕刻工藝 蝕刻過程分類
2022-08-08 16:35:34736 
薄晶片已成為各種新型微電子產品的基本需求。更薄的模具需要裝進更薄的包裝中。與標準的機械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應力更小。
2022-08-26 09:21:362363 
在半導體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們華林科納分析了影響蝕刻率的各個因素， 并通過
2022-08-30 16:41:592993 
蝕刻不是像沉積或鍵合那樣的“加”過程，而是“減”過程。另外，根據(jù)刮削方式的不同，分為兩大類，分別稱為“濕法蝕刻”和“干法蝕刻”。簡單來說，前者是熔法，后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850 金屬蝕刻是一種通過化學反應或物理沖擊去除金屬材料的技術。金屬蝕刻技術可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優(yōu)化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563989 
干法電極工藝再獲國際車企巨頭“力挺”。
2023-06-28 09:55:171027 PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質量。
2023-08-10 18:25:431013 直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術對聚合物抗蝕劑進行構圖，然后通過干法蝕刻技術用抗蝕劑作為掩模將圖案轉移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30670 在半導體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45262 GaN和相關合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發(fā)展的關鍵問題。專用于三元結構的干法蝕刻工藝特別重要，因為這種器件通常包括異質結構。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
2023年鋰電隔膜出貨中干法占比回彈，增速方面趕超濕法31個百分點。
2024-02-21 09:17:41303
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