摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-07 14:01:26
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羅杰斯公司于近日推出了新款 curamik?系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的機械強度比其它陶瓷高，所以新款curamik? 基板能夠幫助設計者在嚴苛的工作環境以及 HEV/EV 和其它可再生
2012-08-07 11:34:163492 一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區域；并以第一速率用等離子體蝕刻基底的底層區域，同時以低于第一速率蝕刻掩模層。
2022-03-29 14:55:271620 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產生高頻蒸汽蝕刻劑的實現方法，描述了一種通過將氮氣通過高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統。
2022-04-11 16:41:191101 
本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結構和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產率，該方法從圖案化氮化硅開始，以研究在BOE工藝之后形成的框架結構
2022-05-05 14:00:50907 
銅金屬化過程中，氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質層（IMD）的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質層（Passivation Dielectric, PD）。下圖顯示
2022-10-17 09:29:597614 、 合金化6、 單面光刻（涂膠、對準、曝光、顯影）7、 雙面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化硅
2015-01-07 16:15:47
一種在金上生成硫醇封端的SAM的新方法 - 應用簡報
2019-10-30 11:05:12
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
基板的設備還能進一步縮小體積，4、具有極高的耐化學腐蝕性和良好的耐磨性能。5、斯利通氮化硅陶瓷基板還提供高端的定制化服務。終上所述，對于車用IGBT，氮化硅是再適合不過的。氮化硅陶瓷電路板可以適應高溫
2021-01-27 11:30:38
設備載荷，但同時對散熱要求就更高。這也意味著需要更加先進，更匹配，更環保的PCB板———氮化硅陶瓷基板。為什么說氮化硅陶瓷基板是最適合新能源汽車的PCB板呢？氮化硅在高溫下具有高強度和斷裂韌性。可以
2021-01-21 11:45:54
層需要全部蝕刻，而留下的另一層就是電路。蝕刻的方法，我們主要討論化學方法，主要分為浸漬蝕刻、攪拌蝕刻以及噴射蝕刻。浸漬蝕刻就是把線路板進入容器中，容器中盛有蝕刻藥液。這種蝕刻方法比較慢，而且會存在凹陷
2017-02-21 17:44:26
應用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了關于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅動器IC的精彩報告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅動集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調節輸出電阻、可調
2018-11-05 09:51:35
以及能耗成本上的差別。碳化硅基氮化鎵的高昂的成本，極大限制了其在商業基站成為主流應用的前景。相比之下，一個8英寸硅晶圓廠幾周的產能便可滿足 MACOM氮化鎵用于整個射頻和微波行業一年的需求。MACOM
2017-08-30 10:51:37
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
，通過光化學法，網印圖形轉移或電鍍圖形抗蝕層，然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機械加工方法除去不需要的銅箔，在單
2018-09-21 16:45:08
導線線寬十分精細時將會產生一系列的問題。同時,側腐蝕（見圖4）會嚴重影響線條的均勻性。 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻
2018-11-26 16:58:50
電源開關的能力是 GaN 電源 IC 的一大優勢，例如圖 1(a) 。由于GaN層可以在不同的襯底上生長，早期的工作中采用了一些絕緣材料，如藍寶石和碳化硅。然而，從早期的努力中可以明顯看出
2021-07-06 09:38:20
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學機械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
中使用的溫度。通過這樣做，我們開發了一種將晶體表面蝕刻成 III 族氮化物的兩步工藝。通過在 H 中蝕刻形成具有對應于各種 GaN 晶面的刻蝕 ，采用160°C 以上、180°C 以上的熔融 KOH
2021-07-07 10:24:07
鏡面硅結構時，表面的平滑度和蝕刻速率是關鍵參數。我們展示了一種從單晶硅創建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側壁。該技術使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對取向、長度、形態等結構參數的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導體納米結構的簡單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑（例如過氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色！帥呆了！至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN之間有什么區別？
2019-07-31 07:54:41
6吋的 Si基板上。然而，由于硅和氮化鎵的晶體常數不同，所以其缺陷密度較高，無法形成能夠承受高壓、大電流的縱型 FET，以及高性能的橫向 HEMT。第二個問題是，氮化鎵晶片是一種結塊狀（Bulk)，其
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
應用的企圖心。到2020年時，氮化鎵組件將進軍600～900伏特市場，與碳化硅組件的競爭關系升溫。問題：1.碳化硅(Sic)、氮化鎵(GaN)、都是一種新型的材料。那COOLMOS又是啥？（這幾年也很熱門）2.
2021-09-23 15:02:11
蝕刻 浸入蝕刻是一種半槳技術，它只需一個裝滿蝕刻洛液的槽，把板子整個浸入到溶液中，如圖1所示。板子需要保持浸入直至蝕刻完成，這就需要很長的蝕刻時間，且蝕刻速度非常緩慢。可以通過加熱蝕刻溶液的方法
2018-09-11 15:27:47
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
如題，尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項監控手段
2021-04-01 23:50:33
是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關等），其處理程序通常與產品種類和所使用的技術有關，但一般基本步驟是先將晶圓適當清洗，再在其表面進行氧化及化學氣相沉積，然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻
2011-12-01 15:43:10
晶片邊緣的蝕刻機臺，特別是能有效地蝕刻去除晶片邊緣劍山的一種蝕刻機，在動態隨機存取存儲單元(dynamic random access memory，DRAM)的制造過程中，為了提高產率，便采用
2018-03-16 11:53:10
本文介紹一種在鼠標概念基礎上研究開發的密碼輸入方法，或者稱為密碼鼠標。這種密碼鼠標采用滾動的數碼輸入方式，只有3～4個鍵，其輸出編碼結構、數碼傳輸方法和傳輸率等與現行密碼鍵盤完全相同，最大的不同是它可以完全防止輸入密碼時被他人窺視。
2021-05-27 06:26:07
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數據.不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低，但目前技術還不完善。 從LED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
表面硅MEMS加工技術是在集成電路平面工藝基礎上發展起來的一種MEMS工藝技術，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結構。什么是表面硅MEMS加工技術？表面硅MEMS加工技術先在
2018-11-05 15:42:42
論述了一種測試混合信號集成電路襯底噪聲波形的方法采用電壓比較器利用襯底電壓對比
較器狀態的影響對噪聲作出統計測試根據測試結果重建噪聲波形設計了一
2010-08-29 16:08:46
14 低熱量化學氣相工藝制備氮化硅美國Aviza工藝公司開發出一種低溫化學氣相沉積工藝(LPCVD)，可在500℃左右進行氮化硅沉積。這個工藝使用一
2009-06-12 21:08:29729 針對目前氮化硅陶瓷球材料性能評價體系不完善，以及各個廠家生產的陶瓷球質量參差不齊的問題，對3個較著名廠家（記為A、B、C）的陶瓷球的密度、顯氣孔率、硬度、斷裂韌性及壓碎載荷等主要性能參數進行了研究
2018-03-20 15:53:131 CMOS 工藝流程介紹
1.襯底選擇：選擇合適的襯底，或者外延片，本流程是帶外延的襯底；
2. 開始：Pad oxide 氧化，如果直接淀積氮化硅，氮化硅對襯底應力過大，容易出問題；
2020-06-02 08:00:001 瑞士洛桑聯邦理工學院（EPFL）基礎科學學院的Tobias Kippenberg教授帶領的科學家團隊已經開發出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術，得到了創記錄的低光學損耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:392333 據報道，光子集成電路（PIC）通常采用硅襯底，大自然中有豐富的硅原料，硅的光學性能也很好。但是，基于硅材料的光子集成電路無法實現所需的各項功能，因此出現了新的材料平臺。氮化硅（Si3N4）就是其中一種
2021-05-07 16:00:102754 
近日，瑞士洛桑聯邦理工學院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團隊開發出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術，得到了創紀錄的低光學損耗，且芯片尺寸小。相關研究在《自然—通訊》上發表。
2021-05-24 10:43:384490 在中紅外波長下，演示了一種具有大纖芯-包層指數對比度的鍺基平臺——氮化硅鍺波導。仿真驗證了該結構的可行性。這種結構是通過首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片鍵合到硅襯底晶片上，然后通過層轉移方法獲得氮化硅上鍺結構來實現的，該結構可擴展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:571072 
關鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術給我們的現代社會帶來了巨大的轉變。為了提高信息技術器件的存儲密度，我們華林科納使用淺溝槽隔離技術將半導體制造成無漏
2021-12-28 16:38:085458 
電感耦合等離子體反應離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒有離子誘導損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯密度的估算。這有可能發展成為一種快
2021-12-30 10:36:17989 
光增強電化學（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設備成本相對較低、表面損傷較低的優點，但尚未找到一種生產光滑的垂直側壁的方法。氮化鎵的裂切面也有報道，在藍寶石基質上生長的氮化
2022-01-17 15:38:05942 
摘要 本文研究了氮化硅（氮化硅）基底的不同表面預處理（四種標準化學蝕刻和四種金剛石粉末磨刻(CVD)的效率。空白氮化硅樣品用膠體二氧化硅(0.25m)拋光。金剛石成核和生長運行在微波等離子體化學
2022-01-21 15:02:04652 
索引術語:氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們華林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結果。 介紹 光電
2022-02-07 14:35:421479 
刻蝕電介質(二氧化硅、氮化硅)和晶體硅。論文的第二部分致力于蝕刻ⅲ-ⅴ族化合物半導體，其中基于氮化鎵材料的反應離子刻蝕結果，揭示了一種簡單實用的熱力學方法，解釋了選擇蝕刻特定材料的最佳化學物質的標準，并解釋了氮化鎵蝕刻
2022-02-07 14:39:361642 
本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-15 11:11:143427 
磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高溫下已被使用多年來蝕刻對二氧化硅(二氧化硅)層有選擇性的氮化硅(Si3N4)。生產需要完全去除Si3N4，同時保持二氧化硅損失最小。批量晶片清洗的挑戰是如何保持Si3N4對二氧化硅的高蝕刻選擇性，以獲得更長的槽壽命。
2022-02-15 11:25:592554 
摘要 在濕法工藝實施中使用單晶片處理器是先進半導體制造的一種趨勢，因為它具有無污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率的優點。然而，在氮化硅去除過程中，不僅磷酸消耗的成本
2022-02-15 16:38:571654 
電感耦合等離子體反應離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒有離子誘導損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯密度的估算。這有可能發展成為一種快速評估材料的方法。
2022-02-23 16:20:242208 
摘要 等離子體蝕刻工藝，特別適用于在具有非氧化物成分的特征上選擇性蝕刻氧化物，例如氮化硅，尤其是當該特征具有在氧化物蝕刻期間易于刻面的角部時。主要的含氟氣體，優選六氟丁二烯 (C4F6)，與顯著更大
2022-02-24 13:42:292426 
硅是微電子學和微細力學中最常用的襯底材料。它不僅可用作無源襯底，也可用作電子或機械元件的有源材料。如本章所述，所需的圖案也可以通過濕化學蝕刻方法來實現。
2022-03-23 14:17:161811 
本文介紹了我們華林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實驗結果表明，氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術制備黑硅是可行的，比飛秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:59819 
評估各種清洗技術的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導體技術路線圖規定了從硅片上去除顆粒百分比的標準挑戰，該挑戰基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
通過使用多級等離子體蝕刻實驗設計、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發自動蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對于等離子體蝕刻部分，使用光學顯微鏡
2022-06-23 14:26:57516 
在半導體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實踐中發現溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發， 我們華林科納分析了影響蝕刻率的各個因素， 并通過
2022-08-30 16:41:592993 
材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比較均衡，也是綜合性能最好的結構陶瓷材料。因此，Si3N4氮化硅在電力電子器件陶瓷基板制造領域具有很強的競爭力。 過去，電路基板是由分立元件或集成電路與分立元件組合而成的平面材料，以滿足整
2022-10-07 10:22:001544 
。但是，作為絕緣體安裝在陶瓷基板上的半導體元件是散熱還是冷卻，提高作為熱傳導介質的氮化硅陶瓷基板的熱傳導性是主要問題。
2022-10-13 16:29:58668 如今高導熱氮化硅陶瓷基板因其優異的機械性能和高導熱性而成為下一代大功率電子器件不可缺少的元件，適用于復雜和極端環境中的應用。在這里，我們概述了制備高導熱氮化硅陶瓷的最新進展。
2022-11-10 10:01:332010 2022年9月，威海圓環先進陶瓷股份有限公司生產的行業標準規格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導熱氮化硅陶瓷基板已經達到量產規模，高導熱氮化硅陶瓷基板各項理化指標到了國際上行業領軍的質量水平，突破了西方先進國家在高導熱氮化硅陶瓷基板的技術保護和應用產品對我國“卡脖子”難題。
2022-11-11 16:36:574149 
針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導率的因素、制備高熱導率氮化硅陶瓷的方法、燒結助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述
2022-12-06 09:42:40820 綜合上述研究可發現，雖然燒結方式不一樣，但都可以制備出性能優異的氮化硅陶瓷。在實現氮化硅陶瓷大規模生產時，需要考慮成本、操作難易程度和生產周期等因素，因此找到一種快速、簡便、低成本的燒結工藝是關鍵。
2022-12-06 10:30:392407 等優點，廣泛應用于電子器件封裝。 由于具有優異的硬度、機械強度和散熱性，氮化硅陶瓷和氮化鋁陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板，同時它們也具有不同的性能和優勢。以下就是區別。 1、散熱差異 氮化硅陶瓷基板的導熱
2022-12-09 17:18:241219 
首先，沉積四乙基原硅酸鹽氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驅的CVD氧化物，簡稱TEOS-ox）和氮化硅的復合層，并對TEOS-ox和氮化硅進行等離子體蝕刻，形成復合主側墻。
2023-01-12 14:11:22704 硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 15:47:333194 
氮化鎵根據襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導熱性能和大功率射頻輸出優勢，適用于5G基站、衛星、雷達等領域；硅基氮化鎵功率器件主要應用于電力電子器件領域。雖然
2023-02-10 10:52:522986 
硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩定性和抗拉強度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學、電力、航空航天等領域。
2023-02-14 14:36:081126 現今，氮化硅（SiN）為光子集成提供了更多的途徑，包括新的200mm、高產量、汽車級CMOS生產線。在過去的幾年里，SiN緊隨確立已久的硅光子學之后，該材料平臺已經成熟，并在光子集成電路（PIC）市場上，為那些需要非常低傳播損耗、可見波長或高激光功率的應用提供了新的機會。
2023-02-15 16:37:09878 
國產氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能優勢
2023-03-15 17:22:551016 
大多數iii\-氮化物的蝕刻目前是通過干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性，包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力，但干蝕刻有幾個缺點，包括產生離子致損傷和難以獲得光滑的蝕刻側壁，這是激光所需要的。
2023-03-22 10:55:501109 
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰性。
2023-03-27 10:17:49402 
氮化硅研磨環由于研磨環存在內外氣壓差，可以在密閉的真空或者很濃密的場景中快速的上下運動，氮化硅磨介圈在大的球磨機里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環會發生共振現象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉換效率、高溫性能和高速度等特點。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應用前景和市場需求，正因為如此斯利通現正全力研發氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:401364 
近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級工程師趙中堅沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結助劑，經冷等靜壓成型和氣氛保護無壓燒結工藝燒結制備出了能充分滿足高性能導彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461274 新能源電動汽車爆發式增長的勢頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，對提升新能源汽車加速度、續航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:451169 
碳化硅襯底 產業鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環節主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環節。
2023-05-09 09:36:483426 
的要求，傳統的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺點也日益突出，如較低的理論熱導率和較差的力學性能等，嚴重阻礙了其發展。相比于傳統陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:121383 
氮化硅陶瓷軸承球與鋼質球相比具有突出的優點:密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質球相同。陶瓷球作為高速旋轉體產生離心應力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉體外圈上的離心應力。
2023-07-05 10:37:061561 
氮化鋁具有較高的熱導性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環境中可以更有效地傳導熱量。
2023-07-06 15:41:231061 氮化硅是一種半導體材料。氮化硅具有優異的熱穩定性、機械性能和化學穩定性，被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調節其導電性能，因此被視為一種重要的半導體材料。
2023-07-06 15:44:433823 氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎半導體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導體材料，具有優異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:312376 PECVD作為太陽能電池生產中的一種工藝，對其性能的提升起著關鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池
2023-09-27 08:35:491772 
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
在碳化硅產業鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節，是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。
碳化硅襯底的生產流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環節。
2023-10-27 09:35:57930 據麥姆斯咨詢報道，經過兩年、十余次的設計和工藝迭代，國科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡稱：國科光芯）在國內首個8英寸低損耗氮化硅硅光量產平臺，實現了傳輸損耗-0.1 dB/cm（1550 nm波長
2023-11-17 09:04:54654 ，雖然已經發現KOH基溶液可以蝕刻AlN和InAlN，但是之前還沒有發現能夠蝕刻高質量GaN的酸或堿溶液。在本文中，英思特通過使用乙二醇而不是水作為KOH和NaOH的溶劑，開發了一種將晶體表面蝕刻為III族氮化物的兩步法。
2023-11-24 14:10:30241 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
、結構、制備方法、特性以及應用方面存在著一些差異。以下將詳細介紹碳化硅和氮化鎵的區別。 1. 物理性質 碳化硅是由碳和硅元素組成的化合物，具有多種晶體結構，包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有較高的熔點、硬度、熱導率和
2023-12-08 11:28:51740 京瓷株式會社（以下簡稱京瓷）成功研發用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
當前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術的重要發展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667
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