女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

沉積氮化硅薄膜的重要制備工藝——PECVD鍍膜

美能光伏 ? 2023-09-27 08:35 ? 次閱讀

PECVD作為太陽能電池生產(chǎn)中的一種工藝,對其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面,從而有效提高太陽能電池光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池片氮化硅薄膜,了解其薄膜的厚度、表面粗糙度等各種參數(shù)信息,就必須運(yùn)用臺階儀進(jìn)行測量。「美能光伏」生產(chǎn)的美能探針式臺階儀,可測量太陽能電池片氮化硅薄膜表面的粗糙度、翹曲應(yīng)力等各種參數(shù)信息,為光伏企業(yè)用戶評估關(guān)于太陽能電池性能方面的問題。本期「美能光伏」將給您介紹PECVD工藝!

帶您深入了解PECVD工藝的基本原理

PECVD又叫化學(xué)氣相沉積,是一種利用等離子體在低溫下進(jìn)行沉積的薄膜生長技術(shù),PECVD技術(shù)是在低氣壓下,利用低溫等離子體工藝腔體陰極上產(chǎn)生輝光放電,再利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的工藝氣體,這些氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)在高溫下分解生成所需的化合物,然后將化合物沉積在太陽能電池片的表面或其他襯底材料表面從而形成薄膜。

cd6581fe-5ccd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

PECVD工藝的基本原理


PECVD的工藝優(yōu)勢

相較于傳統(tǒng)的CVD,PECVD的主要優(yōu)勢之一是可以在較低溫度下操作,從而減少對襯底材料的熱應(yīng)力,廣泛適用于太陽能電池的制造。PECVD等離子體中含有大量高能量的電子,它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需要的激活能。電子與氣相分子的碰撞能夠促進(jìn)氣體分子分解、化合、激發(fā)和電力過程,生成活性很高的各種化學(xué)集團(tuán),從而顯著降低PECVD薄膜沉積的溫度范圍,使原來需要在高溫下才能進(jìn)行的薄膜沉積在低溫下也可以實(shí)現(xiàn)。

PECVD方法沉積薄膜能夠避免薄膜與襯底間發(fā)生不必要的擴(kuò)散與化學(xué)反應(yīng)、避免薄膜或襯底材料結(jié)構(gòu)變化與性能惡化、避免薄膜與襯底中出現(xiàn)較大的熱應(yīng)力等,從而有效保證太陽能電池的性能穩(wěn)定。


美能探針式臺階儀

cd95f488-5ccd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

美能探針式臺階儀是一款先進(jìn)的微納測量儀器,采用出色的儀器系統(tǒng)構(gòu)造和最優(yōu)化的測量及數(shù)據(jù)處理軟件可測量表面粗糙度、波紋度、表面2D/3D形狀、翹曲和應(yīng)力。從而實(shí)現(xiàn)可靠、高效、簡易的樣品檢測,并完成從研發(fā)到質(zhì)量控制的完美把控。

● 配備500W像素高分辨率彩色攝像機(jī)

● 臺階高度重復(fù)性1nm

● 超高直線度導(dǎo)軌、反應(yīng)樣品微小形貌

● 亞埃級分辨率、13μm量程下可達(dá)0.01埃

高低噪比與低線性誤差


PECVD工藝作為能夠通過薄膜沉積而直接提高太陽能電池性能的關(guān)鍵步驟,一直都是各大光伏電池廠商所著重關(guān)注的工藝流程。「美能光伏」生產(chǎn)的美能探針式臺階儀,憑借獨(dú)特的檢測技術(shù),給予沉積在太陽能電池片表面氮化硅薄膜的針對性檢測,幫助光伏電池廠商評估薄膜沉積后太陽能電池的性能,從而實(shí)現(xiàn)有力的科學(xué)證明!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 太陽能
    +關(guān)注

    關(guān)注

    37

    文章

    3499

    瀏覽量

    115582
  • 測量
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    5161

    瀏覽量

    112911
  • PECVD
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    22

    瀏覽量

    10273
  • 電池
    +關(guān)注

    關(guān)注

    84

    文章

    10976

    瀏覽量

    133924
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    詳解原子層沉積薄膜制備技術(shù)

    CVD 技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過襯底表面化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行薄膜生長的過程,較短的工藝時(shí)間以及所制備薄膜的高致密性,使 CVD 技術(shù)被越來越多地應(yīng)用于
    的頭像 發(fā)表于 05-14 10:18 ?360次閱讀
    詳解原子層<b class='flag-5'>沉積</b><b class='flag-5'>薄膜</b><b class='flag-5'>制備</b>技術(shù)

    通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜

    本文介紹了通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜 氮化硅膜在MEMS中應(yīng)用十分廣泛,可作為支撐層、絕緣層、鈍化層和硬掩膜使用。SiN極耐化學(xué)腐蝕,疏水性使它可以作為MEMS壓力傳感器、MEMS流量
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:07 ?201次閱讀
    通過LPCVD<b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>氮化硅</b>低應(yīng)力膜

    spm清洗會把氮化硅去除嗎

    很多行業(yè)的人都在好奇一個(gè)問題,就是spm清洗會把氮化硅去除嗎?為此,我們根據(jù)實(shí)踐與理論,給大家找到一個(gè)結(jié)果,感興趣的話可以來看看吧。 SPM清洗通常不會去除氮化硅(Si?N?),但需注意特定條件
    的頭像 發(fā)表于 04-27 11:31 ?170次閱讀

    氮化硅在芯片制造中的核心作用

    在芯片制造這一復(fù)雜且精妙的領(lǐng)域中,氮化硅(SiNx)占據(jù)著極為重要的地位,絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開它的參與。從其構(gòu)成來看,氮化硅屬于無機(jī)化合物,由硅元素與氮元素共同組成。這種看似普通的元素組合,卻蘊(yùn)含著諸多獨(dú)特的性質(zhì),在芯片制
    的頭像 發(fā)表于 04-22 15:23 ?587次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>在芯片制造中的核心作用

    質(zhì)量流量控制器在薄膜沉積工藝中的應(yīng)用

    的反復(fù)進(jìn)行,做出堆疊起來的導(dǎo)電或絕緣層。 用來鍍膜的這個(gè)設(shè)備就叫薄膜沉積設(shè)備,制造工藝按照其成膜方法可分為兩大類:物理氣相沉積(PVD)和化
    發(fā)表于 04-16 14:25 ?711次閱讀
    質(zhì)量流量控制器在<b class='flag-5'>薄膜</b><b class='flag-5'>沉積</b><b class='flag-5'>工藝</b>中的應(yīng)用

    單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅沉積

    本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢,它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶
    的頭像 發(fā)表于 02-11 09:19 ?368次閱讀
    單晶圓系統(tǒng):多晶硅與<b class='flag-5'>氮化硅</b>的<b class='flag-5'>沉積</b>

    PECVD中影響薄膜應(yīng)力的因素

    本文介紹了PECVD中影響薄膜應(yīng)力的因素。 影響PECVD 薄膜應(yīng)力的因素有哪些?各有什么優(yōu)缺點(diǎn)? 以SiH4+NH3/N2生成SiNx薄膜
    的頭像 發(fā)表于 02-10 10:27 ?606次閱讀
    <b class='flag-5'>PECVD</b>中影響<b class='flag-5'>薄膜</b>應(yīng)力的因素

    LPCVD氮化硅薄膜生長的機(jī)理

    可以看出, SiH4提供的是Si源,N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高,氫原子往往從氮化硅薄膜中去除,因此反應(yīng)物中氫的含量較低。氮化硅中主要由硅和氮元素組成。而PECVD
    的頭像 發(fā)表于 02-07 09:44 ?424次閱讀
    LPCVD<b class='flag-5'>氮化硅</b><b class='flag-5'>薄膜</b>生長的機(jī)理

    化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?602次閱讀
    碳<b class='flag-5'>化硅</b><b class='flag-5'>薄膜</b><b class='flag-5'>沉積</b>技術(shù)介紹

    氮化硅薄膜的特性及制備方法

    小、化學(xué)穩(wěn)定性好以及介電常數(shù)高等一系列優(yōu)點(diǎn)。本文將主要介紹了氮化硅薄膜制備方法、特性及其在半導(dǎo)體器件制造中的具體應(yīng)用,重點(diǎn)對比低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相
    的頭像 發(fā)表于 11-29 10:44 ?1821次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b><b class='flag-5'>薄膜</b>的特性及<b class='flag-5'>制備</b>方法

    PECVD沉積SiNx:H薄膜HID氫誘導(dǎo)退化的研究

    PECVDSiNx:H薄膜常用作晶硅太陽能電池的減反射和鈍化層,其鈍化效果與氫含量有關(guān),但該薄膜在光照和熱輻射下會發(fā)生氫致退化(HID)。光照后,p型和n型樣品的有效少數(shù)載流子壽命值和帶間PL強(qiáng)度
    的頭像 發(fā)表于 11-27 01:04 ?733次閱讀
    <b class='flag-5'>PECVD</b><b class='flag-5'>沉積</b>SiNx:H<b class='flag-5'>薄膜</b>HID氫誘導(dǎo)退化的研究

    氮化硅薄膜制備方法及用途

    、介電常數(shù)高等優(yōu)點(diǎn),在集成電路制造領(lǐng)域被廣泛用作表面鈍化層、絕緣層、擴(kuò)散阻擋層、刻蝕掩蔽膜等。 LPCVD?和?PECVD?制備氮化硅薄膜特性對比(下表) 低壓化學(xué)氣相
    的頭像 發(fā)表于 11-24 09:33 ?1406次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b><b class='flag-5'>薄膜</b><b class='flag-5'>制備</b>方法及用途

    磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對薄膜有什么影響

    ? ? ? 本文介紹了磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對薄膜的影響。 磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對薄膜的性能有著決
    的頭像 發(fā)表于 11-08 11:28 ?1440次閱讀

    淺談薄膜沉積

    薄膜沉積工藝技術(shù)介紹 薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧
    的頭像 發(fā)表于 11-01 11:08 ?2797次閱讀

    一文詳解半導(dǎo)體薄膜沉積工藝

    半導(dǎo)體薄膜沉積工藝是現(xiàn)代微電子技術(shù)的重要組成部分。這些薄膜可以是金屬、絕緣體或半導(dǎo)體材料,它們在芯片的各個(gè)層次中發(fā)揮著不同的作用,如導(dǎo)電、絕
    的頭像 發(fā)表于 10-31 15:57 ?2229次閱讀
    一文詳解半導(dǎo)體<b class='flag-5'>薄膜</b><b class='flag-5'>沉積</b><b class='flag-5'>工藝</b>