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      LPCVD氮化硅薄膜生長(zhǎng)的機(jī)理

      中科院半導(dǎo)體所 ? 來(lái)源：Tom聊芯片智造 ? 2025-02-07 09:44 ? 次閱讀

      文章來(lái)源：Tom聊芯片智造

      原文作者：Tom

      本文解釋了LPCVD生長(zhǎng)的氮化硅薄膜更致密

      氮化硅薄膜生長(zhǎng)的機(jī)理

      LPCVD生長(zhǎng)的方程式：

      3a4f66ee-e473-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      PECVD生長(zhǎng)的方程式：

      3a59dcb4-e473-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應(yīng)物中氫的含量較低。氮化硅中主要由硅和氮元素組成。而PECVD反應(yīng)溫度低，氫原子可以作為反應(yīng)的副產(chǎn)物保留在薄膜中，占據(jù)了N原子與Si原子的位置，使薄膜中的氫含量較高，導(dǎo)致生成的薄膜不致密。

      為什么PECVD常用NH3來(lái)提供氮源?

      NH3分子包含是N-H單鍵，而N2分子包含的是N≡N三鍵，N≡N更穩(wěn)定，鍵能更高，即發(fā)生反應(yīng)需要更高的溫度。NH?的低N-H鍵能使其成為低溫PECVD過(guò)程中氮源的首選。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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      原文標(biāo)題：為什么LPCVD生長(zhǎng)的氮化硅薄膜更致密？

      文章出處：【微信號(hào)：bdtdsj，微信公眾號(hào)：中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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