9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 非揮發性電阻式內存（ReRAM）開發商Crossbar Inc.利用非導電的銀離子-非晶硅（a-Si）為基板材料，并透過電場轉換機制，開發出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾地如期實現量產。
2017-02-13 09:46:401723 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 電子發燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規模量產64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 2022年4月25日，中國上海 — 20世紀90年代的MP3播放器與如今的智能手機有什么共同之處？如果沒有NAND閃存這一影響力貫穿幾十年的創新技術，這兩者都將不會存在。全球存儲器解決方案領導者
2022-04-25 18:26:212196 
制造、設計或啟用NAND閃存的公司組成的行業工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡化NAND閃存集成到消費電子產品、計算平臺和任何其他需要固態大容量存儲的應用程序中。為NAND閃存定義標準化的組件
2023-06-21 17:36:325873 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內存電壓來存儲數據。
2023-07-12 09:43:211446 
：2012-03-25 14:38:09軟件簡介: JMF612量產開卡工具 支持25nm芯片jmicron 612 sata m.p. tool b.2.8.7 s/u主程序
2012-03-25 21:24:02
將在IBM紐約州East Fishkill 300 mm晶圓廠內聯合開發32 nm bulk CMOS工藝。2007年2月美光推出25 nm NAND閃存，3年后量產25 nm閃存。目前32 nm/22 nm工藝尚處于研發階段。
2019-07-01 07:22:23
件的成本較為敏感。2019年9月，旺宏采用19nm制程的SLC NAND Flash正式量產出貨，第一批產品供應美國機頂盒客戶，主要出貨產品為4Gb SLC NAND。電視機頂盒因為系統愈來愈復雜
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導體業，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實可能性有關聯的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
光年一般是用來量度很大的距離，老南京工藝珠寶店如太陽跟另一恒星的距離。光年不是時間單位。老南京工藝珠寶店在天文學，秒差距是另一個常用的單位，1秒差距=3.26光年宇宙中天體間的距離非常大，老南京工藝
2013-08-19 15:17:36
眾所周知，鎂光大S的芯片是屬于降級片，在使用的時候肯定會有些缺陷，有沒有什么辦法可以在量產的時候把芯片里不穩定的塊找出來屏蔽掉，以減少出故障率，讓芯片更穩定些。
2015-08-12 12:58:25
，25nm新工藝NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預計今年晚些時候就可以看到相關U盤、記憶卡、固態硬盤等各種產品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產，這也是該領域的制造工藝首次進軍到
2022-01-22 07:59:46
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D閃存MT29F4G08ABAEAWP-IT:E美系內存大廠美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程，預計于2010年中量產
2022-01-22 08:05:39
MX25L25645GZ2I-08GMX25L25645GZNI-08G閃存芯片陳立白表示，整體而言，去年DRAM價格從3月開始一路跌到年底，今年全年的狀況會比去年來的好，DRAM模塊廠只要好好經營
2022-02-17 08:59:47
QN9080量產時閃存編程指南
2022-12-14 06:13:01
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應用程序復制到
2023-03-29 07:06:44
根據數據表，斯巴達6家族有廣泛的第三方SPI（高達x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構建和FPGA + ARM平臺，我當時
2019-05-21 06:43:17
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設計他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產品應用于移動數碼消費產品，包括手機和數碼相機，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產
2008-08-14 11:31:20
芯片，收購鎂光DDR閃存顆粒，長期高價回收鎂光顆粒，專業回收庫存電子料，回收flash內存，回收電子ic，收購清倉ic，回收工廠淘汰電子料，高價收購過期原裝ic,專業回收各種IC ,手機IC芯片，高
2020-12-29 18:12:29
，收購鎂光DDR閃存顆粒，長期高價回收鎂光顆粒，專業回收庫存電子料，回收flash內存，回收電子ic，收購清倉ic，回收工廠淘汰電子料，高價收購過期原裝ic,專業回收各種IC ,手機IC芯片，高通IC
2021-07-26 17:14:30
，收購鎂光DDR閃存顆粒，長期高價回收鎂光顆粒，專業回收庫存電子料，回收flash內存，回收電子ic，收購清倉ic，回收工廠淘汰電子料，高價收購過期原裝ic,專業回收各種IC ,手機IC芯片，高通IC
2021-11-13 16:15:12
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應 nand 閃存 hal 函數和一個鏈接器來構建 .stldr？我走對路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
NAND閃存技術已經遠離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
至 2015 年之間， NAND的市場復合年增長率將達到 7%。技術方面，內存密度因采用 25nm 及以下制程技術，讓制造商能進一步擴大優勢。領先的 NAND 閃存制造商開始用 20-30nm 范圍
2014-04-22 16:29:09
你好，對于Linux 3.14的32 nm閃存驅動程序是否有更新。事實上，我們正面臨NAND從UBoad讀取的問題。烏迪
2019-10-24 11:02:20
保存用戶數據）。英特爾的50nm MLC NAND有10000個擦寫周期。幾何尺寸較小的晶體管雖然成本較低，但卻降低了耐久性。 在34nm時，英特爾的P/E數量下降到了5000個周期，在25nm時，P
2017-11-27 16:50:14
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機、固態驅動器(SSD)等產品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 三星宣布開始量產兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司
2009-12-02 08:59:23533 Intel-鎂光反擊,2xnm制程NAND芯片將試制
在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產品，并對其進行取樣測試。盡管
2009-12-26 09:56:491134 飚速度355MB/s 鎂光將發布6Gbps SSD
鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產品線，一個原生6Gbps的SATA設備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下
2010-01-08 17:13:512524 東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市
日本東芝公司在NAND閃存制造領域的地位可謂舉足輕重，其有關產品的產銷量僅次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤
2010-01-08 17:15:13988 Intel、美光宣布投產25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經開始使用25nm工藝晶體管試產MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 震撼存儲產業，IMFT發布25nm SSD
去年8月份，Intel剛剛發布了全球首批34nm MLC NAND閃存新工藝固態硬盤，從50nm進化至34nm。而現在，Intel與Micron所合資的公司IMFT此次再次推動
2010-02-02 09:05:47785 
鎂光南亞合作開發出42nm制程2Gb DDR3內存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發的42nm制程2Gb DDR3內存芯片產品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別
2010-02-10 09:40:501091 傳鎂光公司欲收購Numonyx公司
業界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購Numonyx公司事宜，并稱其仍對NOR閃存市場抱有興趣。一位市場分析師稱：”我聽說鎂光有可能會收購 N
2010-02-10 09:42:01632 Hynix宣布已成功開發出26nm制程NAND閃存芯片產品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發出基于32nm制程的NAND閃存芯片產品，并于去年8月份開始量產這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 爾必達計劃收購Spansion NAND閃存業務
據國外媒體報道，日本爾必達公司表態計劃收購美國Spansion（飛索半導體）旗下的NAND閃存業務資產。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預計今年晚
2010-03-23 11:58:41600 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND閃存的自適應閃存映射層設計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布，美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數據儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合
2010-11-03 09:40:211653 
目前，限制SSD普及的門檻依然是昂貴的價格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術，以期望帶來更具性價比的產品。顯然，英特爾和美光的合
2011-01-02 12:57:48891 嵌入式市場閃存解決方案的創新領軍者Spansion公司今日宣布其首個單層單元（SLC）系列Spansion NAND閃存產品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產品采用4x nm浮柵技術，專門用于汽車、消費及網
2012-05-29 08:55:471159 據報道，市場傳出，聯發科上周向臺積電大砍6月至8月間約2萬片28nm訂單;以聯發科在臺積電28nm單季投片逾6萬片計算，占比近三成。
2017-04-19 01:02:19489 現在，西數全球首發了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40709 如果用一個詞來描述2016年的固態硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產引發固態漲價，閃存顆粒的制程問題引發
2017-10-13 20:33:266 三星NAND閃存規格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 鎂光MT29F閃存規格書
2017-10-17 10:16:32133 據外媒報道，英特爾和鎂光宣布，它們不再合作開發下一代3D NAND內存。
2018-01-11 09:16:024070 武漢建設NAND工廠，預計今年內量產，據悉國產NAND閃存是32層堆棧的，是1000多名研究人員耗時2年、耗資10億美元研發的。
2018-05-16 10:06:003750 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產機臺11日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，我國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量產，從而填補我國主流存儲器領域空白。
2018-06-20 10:26:001857 2018年勢必是半導體產業忙碌的一年，目前6大類重大項目有序推進，產業項目占比超七成，小米系企業落地，臺積電也表示會在年中量產。
2018-02-28 10:38:49726 DVEVM可以啟動或（默認），與非門，或通用異步接收機/發射機（UART）。NOR 閃存提供了一個字節隨機的優點訪問和執行就地技術。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價格低，速度快，壽命長，許多客戶想設計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到62nm，現在的64/72層閃存堆棧厚度大約4.5μm，每層厚度減少到60nm，而到了140+層，堆疊厚度將增至
2018-05-28 16:25:4847895 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經大規模量產64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167 慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation今日宣布旗下SM2256 SATA（6Gb/s）客戶端SSD控制器現支持Micron（鎂光）新推出的16nm
2018-07-30 09:33:001577 ，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規模量產了。
2018-08-03 16:15:031188 從NAND閃存中啟動U-BOOT的設計 隨著嵌入式系統的日趨復雜,它對大容量數據存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應用。NAND閃存 設備就是
2018-09-21 20:06:01485 了——NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC類型之分，為了進一步提高容量、降低成本，NAND的制程工藝也在不斷進步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND閃存跟處理器不一樣，先進工藝雖然
2018-10-08 15:52:39395 研發支持原廠3D TLC NAND高品質固件的固態硬盤完整解決方案。據了解，MAS0902固態硬盤主控芯片，已經適配了全球全部量產的所有3D MLC/TLC NAND閃存顆粒，繼在今年9月國內首發量產
2018-11-19 17:22:316838 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數據，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數據，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
IDC調整了其對NAND閃存的供需預測，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長39％和38％。并預計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。 據IDC數據顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282 國產存儲芯片再下一城，日前有產業鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:121582 現在，長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華接受采訪時表示，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:002263 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 美光宣布，已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:32791 任何了解SD卡，USB閃存驅動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎知識的人都知道，控制這些最小化故障率的關鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
W25M02GV（2 x 1G位）串行MCP（多芯片封裝）閃存基于W25N串行SLC NAND SpiFlash?系列，將兩個單獨的W25N01GV芯片堆疊到標準8針封裝中。它為低管腳數封裝提供
2019-12-31 08:00:008 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產能，留給其他廠商的空間并不多。國內公司中，兆易創新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進24nm閃存研發。
2020-04-02 08:54:342726 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產能，留給其他廠商的空間并不多。國內公司中，兆易創新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進24nm閃存研發。
2020-04-02 08:46:522302 兩年前，鎂光發布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的固態硬盤，其型號為5210 ION系列。
2020-04-22 11:31:142262 無論消費者還是企業機構，大多數人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現實意義上來講，NAND閃存可以說已經成為固態硬盤的代名詞。基于塊尋址結構和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情況下，固態硬盤（SSD）的底層NAND架構會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數據存儲產生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
我們都知道，構成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 根據外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術
2020-12-07 16:16:232416 寫入問題確實是NAND閃存的在企業級應用中的一個限制么？
2021-04-01 17:50:562894 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規范模式。
2021-08-05 15:30:561299 在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
在NAND閃存的應用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統的對話已經變得混亂。通常，當人們討論存儲時，他們只談論NAND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431518 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區，硬盤的一個扇區也為512
2023-06-10 17:21:001983 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達到最高
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2023-08-21 18:30:53281
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