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三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存
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DRAM，NAND閃存價格分別下降11%，21% SK海力士預計今年設備投資削減40%
減少資本支出。該公司計劃在服務器、NAND閃存及DRAM需求和價格下降的情況下靈活應對市場狀況。 DRAM價格下降11%，NAND價格下降21% 隨著2018下半年內存需求放緩，供應短缺得到解決，內存市場環境迅速變化。因此，SK海力士第四季度合并收入環比下降13％至9.94萬
2019-01-27 00:35:00
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8617全球NAND閃存市場受日韓貿易戰影響 漲價15%
目前韓國日本之間的糾紛還沒擺平，但是考慮到韓國三星、SK海力士兩家公司占了全球70%以上的內存、50%以上的閃存生產，日本制裁對韓國的存儲芯片產業影響會很大，如果雙方不解決供應限制的話。威剛方面看好NAND閃存漲價，預計NAND閃存芯片將漲價10%到15%，而SSD硬盤也會有差不多的漲幅。
2019-07-09 09:28:021465
1465SK海力士開始采樣128層3D NAND SSD
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2019-11-25 17:21:555462
546248層堆疊V-NAND存儲器，將提升三星成本競爭契機
三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發作業，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產品后，于2016年生產64層堆疊的V-NAND產品。
2015-08-11 08:32:00720
720三星48層3D V-NAND閃存技術揭秘
三星已經連續推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態硬盤產品，2015年8月正式量產首款可應用于固態硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:436006
6006SK Hynix月底量產48層堆棧3D NAND閃存 三星后第二家
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833
833海力士發布72層256G 3D閃存芯片
蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500
1500PK三星閃存 紫光2019年將量產64層3D NAND閃存
國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255
2255三星量產全球最快3D NAND閃存 64層速率高達1Gbps
電子發燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規模量產64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000
2000海力士發布全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD
SK海力士發布了全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲容量，產品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:423108
3108SK海力士收購英特爾NAND閃存和SSD業務獲歐洲聯盟委員會批準
SK海力士就擬收購英特爾NAND閃存和SSD業務的交易獲得了歐洲聯盟委員會（European Commission）的無條件批準。這是繼去年美國聯邦貿易委員會（U.S Federal Trade
2021-05-23 15:41:138076
8076SK海力士收購英特爾NAND閃存業務 先后獲美國、歐盟、韓國相關監管機構批準
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2021-05-31 10:00:073684
3684NAND需求疲軟 東芝挫敗成就美光
MAX3232EUE+T的比例從62%上升到了80%。 日本東芝第二季度NAND閃存產品銷售額環比下降9.5個百分點。相比之下，美光科技公司NAND閃存芯片的銷售在整個供貨商中獲得了強勁增長。同樣，美光與三星都因東芝
2012-09-24 17:03:43
SK Hynix & Spansion & JSC NAND FLASH參數對比
大家好！小金子為各位介紹一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。這款JSHU271G08SCN-25型號的規格書與SK海力士和Spansion進行了對比，驚訝的發現竟然完全一樣。唯一
2018-01-10 09:55:21
三星、西部數據、英特爾、美光、長江存儲探討3D NAND技術
三星大中華區首席技術官裵容徹先生表示，三星不斷進行技術創新，新一代的QLC產品成本可以降低60%，同時還推出了容量高達1Tb的V-NAND技術，速度將會達到1200Mbps。在市場應用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
三星位于西安的半導體工廠正式投產
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導體新工廠已正式投產。該工廠采用最尖端的3D技術，生產用于服務器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術）設備生產基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
三星布陣Asian Edge 第一島鏈再成科技最前線
的商機仍然暢旺，在供給端僅有三星、SK海力士、美光，加上新技術量產困難，在這些現實下，2019年對存儲器廠商而言仍會是個豐收的年度。如果要考慮供過于求的變量，可能是第二代10nm等級的DRAM技術
2018-12-25 14:31:36
DRAM技術或迎大轉彎，三星、海力士擱置擴產項目
步伐。據韓媒Kinews等報導，三星2018年下半原計劃對DRAM及NAND Flash進行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對現有產線進行補強投資，期望獲利維持一定水平。同時，另一家半導體大廠
2018-10-12 14:46:09
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世代。而隨著美光推出25奈米制程，三星和海力士也分別拿出27奈米和26奈米技術應戰，未來NAND Flash大廠技術之戰，在20奈米世代將更加激烈。。根據美光的技術藍圖規畫，在25奈米制程技術以下，美
2022-01-22 08:05:39
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海力士也將在2021年中推出基于176層4D NAND新技術的UFS和SSD產品。而三星雖然還未宣布下一代產品具體層數，但是近期也在公開會議中表示，將在2021年量產第七代V-NAND，使用“雙堆棧
2022-01-26 08:35:58
于SD卡測試結構的EMMC測試座，nand flashEMMC測試治具說明書
常見的MLC架構閃存每Cell可存放2bit，容量是同等SLC架構芯片的2倍，目前三星、東芝、海力士(Hynix)、IMFT(英特爾與美光合資公司)、瑞薩(Renesas)都是此技術的使用者，其發展速度遠快于SLC架構。`
2013-05-27 22:01:53
分析：三星芯片業務助推Q3利潤創新高
對DRAM芯片的強勁需求將繼續超過供應，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會投產；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續第六季超過供應。供蘋果新手機使用的有機發光二極體（OLED）面板的銷售增長，也支撐了第四季獲利創紀錄新高的預期。
2017-10-13 16:56:04
國內NAND Flash產業崛起撬動全球市場，但需求不足跌價成必然 精選資料分享
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
新冠病毒對世界半導體影響
研究中心（DRAMeXchange）調查顯示，從2019年第四季度全球NAND品牌廠商營收來看，三星排名第一，市場份額達到35.5%；SK海力士排名第六，市場份額為9.6%。2019年第四季度全球
2020-02-27 10:45:14
新技術世代即將來臨，存儲器依然炙手可熱
2018年上半進入96層的技術規格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產
2018-12-24 14:28:00
芯片的3D化歷程
代V-NAND技術。據三星官方消息顯示，新款 V-NAND 運用三星電子有的“通道孔蝕刻”技術，向前代 9x 層單堆疊架構增加了約 40% 單元。這是通過構建由 136 層組成的導電模具堆棧，然后垂直
2020-03-19 14:04:57
高價回收海力士內存
高價回收海力士內存深圳高價收購海力士內存，回收8G內存芯片帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱[email protected]。專業回收現代字庫，回收海力士 三星字庫
2020-11-20 16:59:46
高價回收海力士內存，長期收購海力士內存
，鎂光，南亞，爾必達，華邦，三星samsung，海力士SK hynix，現代hyniy，飛索 Spansion芯片，展訊SPREADTRUM，愛特梅爾ATMEL，英特爾intel等系列芯片...長期專業回收手機指紋、指紋芯片、定制指紋模組！
2021-08-02 17:44:42
三星與蘋果合資生產NAND閃存芯片談判胎死腹中
韓國三星電子公司周一說，它和蘋果電腦公司就合資生產NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋果最新便攜音樂播放
2006-03-13 13:05:36389
389鎂光年中量產25nm NAND閃存
鎂光年中量產25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發部門的經理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511088
1088NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226
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傳SK海力士72層3D NAND存儲器明年量產
SK 海力士最先進72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產，韓聯社26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃于2017 上半年完成芯片設計，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產。
2016-12-27 14:15:111032
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韓企 3D NAND 閃存今年第三季有望占據全球過半份額
市場調查機構DRAMeXchange周五發布的調查結果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11633
633NAND閃存售價下降,需求量猛增,SK海力士Q3創新高銷售額達到477億元
SK海力士預計第四季度D-RAM和NAND閃存需求不斷增長。公司計劃第四季度批量生產10納米級D-RAM和72層NAND閃存，明年業績仍將向好。
2017-10-27 09:15:15595
595東芝計劃建第7座閃存工廠(Fab7),與三星、Intel一決高下
據悉，東芝的第 6 座工廠（Fab 6）還沒有完工，東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠，韋德就是能在2018年與三星，Intel、及 SK 海力士進行實力競爭。94 層 V-NAND 閃存生產將會是東芝的下一個計劃。
2017-12-27 14:06:091773
1773空氣產品公司與三星達成合作 為西安3D V-NAND芯片廠供應工業氣體
西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業氣體供應商空氣產品公司將助力三星生產的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271030
1030哪些芯片廠商全面看好NAND閃存，正大刀闊斧地加碼3D NAND閃存產能？
美光、三星釋放信號僅是個開端，SK海力士、Intel、東芝、西數/閃迪等都表態在幾年內將持續擴充閃存產能，為跨入96層、甚至更高層數而加大投入力度。可見，3D NAND閃存已經成為國際存儲器廠商間的“主戰場”。
2018-07-17 10:34:084865
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三星已經開始批量生產第五代V-NAND 3D堆疊閃存
三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數據寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678
2678三星開始量產第五代V-NAND閃存，了解其性價比
面對2018年各大閃存顆粒廠商已經大規模量產64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167
7167三星五代V-NAND閃存芯片，使生產效率提高了30%以上
此外，新的V-NAND數據寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進了30%，讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節能，電壓從1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:00978
978新一代立體堆疊閃存方案有什么優勢?美光,SK海力士,長江存儲等都在使用
今年的閃存技術峰會，美光、SK海力士包括長江存儲都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案，SK海力士稱之為“4D NAND”，長江存儲稱之為Xtacking，美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫
2018-08-12 09:19:286688
6688SK海力士計劃明年增產96層3D NAND閃存
SK海力士在清州建設M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導地位。
2018-09-07 16:59:043196
3196SK海力士韓國M15工廠落成 總投資15萬億韓元
SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲器因為工業4.0應用而快速成長，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應全球對3D NAND Flash快閃存儲器的需求。
2018-10-12 16:17:004779
4779SK海力士公司宣布將主要應用于3D閃存的CTF結構與PUC技術結合起來
SK海力士能否憑借新產品在競爭力相對弱勢的NAND閃存市場站穩腳跟并爭取NAND閃存市場的主導權，倍加受人關注。SK海力士在全球D-RAM市場僅次于三星電子排名第二，但在NAND閃存市場卻以大約10
2018-11-09 15:49:514689
468964層/72層3D NAND開始出貨 SSD市場將迎來新的局面
6月15日，三星電子宣布已經開始量產第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產效率將提高30%以上。東芝/西部數據、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115
1115關于不同NAND閃存的種類對比淺析
由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數據，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684
1684你知道NAND閃存的種類和對比？
由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數據，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462
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SK海力士全球首個量產128層堆疊4D閃存：沖擊176層
SK海力士宣布，已經全球第一家研發成功，并批量生產128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產96層4D閃存只過去了八個月。
2019-06-27 15:23:282931
2931SK海力士量產業界首款128層4D NAND芯片 同時繼續推出各種解決方案
SK海力士近日正式宣布，已成功開發并開始量產世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:152822
2822SK海力士擬減產NAND閃存 以應對出口管制措施
.據日經新聞報道，韓國內存大廠SK海力士今日表明，為了應對日本對韓國部分關鍵半導體材料的出口管制，該公司在2019年NAND型閃存產量將比2018年時減產15％。
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2550回顧三星96層V-NAND的性能分析介紹
在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設計與優化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
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5566SK 海力士將推出新NAND Flash 產品
目前，兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經公布了新NAND Flash 產品的發展規劃。其中，三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外，SK
2019-08-15 09:05:122382
2382三星推出閃存更快功耗更低的V-NAND存儲器
三星推出了第六代V-NAND內存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-03 10:38:04624
624三星960 Evo硬盤來襲，擁有全新架構和高端性能
固態硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產3D NAND閃存的，也是目前技術最強的，已經發展了三代V-NAND閃存，堆棧層數達到了48層。
2019-12-22 11:19:011073
1073SK海力士128層堆棧的4D閃存量產，國產閃存的差距縮小
在CES展會上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質還是3D閃存，4D只是商業名稱），已經用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個量產128層堆棧閃存的，預計三星、西數、東西都會在今年跟進100多層的閃存。
2020-01-08 08:47:302953
29532020年NAND閃存發展趨勢如何
在CES展會上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質還是3D閃存，4D只是商業名稱），已經用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個量產128層堆棧閃存的，預計三星、西數、東西都會在今年跟進100多層的閃存。
2020-01-08 10:34:135022
5022SK海力士新款4D閃存有什么新的特點
在最近舉辦的CES 2020展會上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
2020-01-13 11:45:552832
2832兆易創新NOR閃存累計出貨量超過100億顆 將推動研發24nm工藝NAND技術
在NAND閃存市場，三星、東芝、西數、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產能，留給其他廠商的空間并不多。國內公司中，兆易創新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進24nm閃存研發。
2020-04-02 08:54:342726
2726兆易創新推進24nm閃存研發 NOR閃存出貨超100億顆
在NAND閃存市場，三星、東芝、西數、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產能，留給其他廠商的空間并不多。國內公司中，兆易創新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進24nm閃存研發。
2020-04-02 08:46:522302
2302SK海力士推出128層1Tb TLC 4D NAND SSD高容量存儲解決方案
4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應用設計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導體制造商，其產品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術。
2020-04-09 14:09:193527
3527三星正在研發160層及以上的3D閃存
據了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數的3D閃存。
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473SK海力士完成業內首款多堆棧176層容量達512Gb的4D閃存
存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業內首款多堆棧176層4D閃存的研發，TLC顆粒，容量達512Gb（64GB）。 ? 據，SK海力士透露，該閃存單元架構為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術
2020-12-14 15:55:321072
1072SK海力士收購英特爾NAND閃存及存儲業務
SK海力士作為全球半導體領頭企業之一，旨在強化其NAND閃存解決方案相關競爭力，發展存儲器生態系統，進而給客戶、合作伙伴、公司員工和股東帶來更多利益。
2020-10-20 09:53:011833
1833英特爾已同意將Nand閃存業務出售給SK海力士
據報道，英特爾已同意將Nand閃存業務出售給韓國公司SK海力士，價格約90億美元。英特爾正在采取全面措施，專注于主營業務的經營。
2020-10-20 14:33:351646
1646SK海力士鯨吞Intel的閃存及存儲業務，意欲與三星爭奪第一寶座
2020年10月20日上午消息，存儲大廠SK海力士與Intel在韓國當地時間10月20日上午共同宣布簽署收購協議，根據協議約定，SK海力士將以90億美元收購Intel的NAND閃存及存儲業務。
2020-10-20 16:51:392273
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SK海力士收購英特爾NAND業務，國產存儲芯片企業將會受益？
工廠。 兩家公司將爭取在2021年底前取得所需的政府機關許可。之后，SK海力士將首先支付70億美元獲得英特爾的NANDSSD業務（包括NANDSSD相關知識產權和員工）以及大連工廠。 預計到2025年3月，SK海力士最終支付20億美元收購其余相關資產，包括NAND閃存晶圓的生產及設計相關的
2020-10-20 17:18:286455
6455SK海力士宣布與英特爾達成NAND閃存單元協議
韓國存儲芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布與英特爾達成NAND閃存單元協議。根據協議，SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協議的范圍包括在中國大連的NAND SSD部門，NAND部件
2020-10-21 14:30:372096
2096SK海力士出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業務！
據國外媒體報道，SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業務！ SK海力士已在官網宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業務的消息，SK海力士在官網上表示，兩家公司已經簽署了相關
2020-10-23 11:05:152133
2133SK海力士收購英特爾NAND業務，對中國有哪些影響？
10月20日，SK海力士和英特爾在韓國共同宣布簽署收購協議，根據協議約定，SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業務。本次收購包括英特爾NAND SSD業務、NAND部件及晶圓業
2020-10-23 18:00:167502
7502海力士收購英特爾業務后，其NAND業務全球市場占有率姜提升至第二
英特爾NAND SSD業務、NAND部件及晶圓業務，以及其在中國大連的NAND閃存制造工廠。英特爾將保留其特有的英特爾傲騰TM業務。 業內人士認為，SK海力士收購英特爾業務后，其NAND業務全球市場占有率姜提升至第二，僅次于三星，將加速存儲產業全球格局的變化。這也標志這英特爾
2020-10-26 14:21:272053
2053消息人士：閃存價格持續下滑可能影響SK海力士收購英特爾閃存及存儲業務
據英文媒體報道，上月 20 日，SK 海力士在官網宣布，他們同英特爾達成了最終協議，將斥資 90 億美元收購英特爾的 NAND 閃存及存儲業務。 但消息人士日前表示，NAND 閃存目前的市場行情并不
2020-11-03 15:08:331576
1576SK海力士90億美元收購英特爾NAND閃存及存儲業務
SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關許可。在獲取相關許可后，SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD業務（包括NAND SSD相關知識產權和員工）以及大連工廠。
2020-11-04 15:06:001599
1599SK海力士收購Intel的NAND閃存業務后銷售額大漲
前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業務出售給了SK海力士，業內嘩然。
2020-11-05 09:37:321345
1345600億買下Intel閃存業務 SK海力士：預期5年內公司收入增加2倍
前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業務出售給了SK海力士，業內嘩然。 盡管外界批評SK海力士買虧了、且目前閃存處于價格下行軌道，但后者似乎決心已定，并不
2020-11-05 09:41:541253
1253SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業務
SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關許可。在獲取相關許可后，SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD業務（包括NAND SSD相關知識產權和員工）以及大連工廠。
2020-11-05 10:11:261848
1848SK海力士擴大布局在中國的晶圓代工業務，200mm晶圓產線移至無錫
前不久，SK海力士收購了英特爾的NAND閃存業務及大連工廠，最近，據BusinessKorea報道，SK海力士正擴大布局在中國的晶圓代工業務。
2020-11-10 14:46:512214
2214SK海力士已簽署協議收購英特爾的NAND內存和存儲業務
SK海力士在聲明中稱，已簽署協議收購英特爾的NAND內存和存儲業務。此次收購包括英特爾的固態硬盤、Nand閃存和晶片業務，以及位于大連的工廠。但將以兩次付款的形式進行，最終交易要到2025年3月份才會完成。
2020-11-11 14:53:021881
1881SK海力士將收購英特爾旗下NAND閃存芯片業務
據悉，SK海力士將收購所有英特爾NAND閃存業務，包括固態硬盤業務、NAND閃存芯片產品和晶圓業務、英特爾位于中國大連的生產工廠，但不包含英特爾Optane存儲部門。對于英特爾來說，剝離非核心業務將有助于其解決芯片技術困境。
2020-11-16 15:04:572505
2505SK海力士完成業內首款多堆棧176層4D閃存的研發，容量512Gb（64GB），TLC
繼美光后，SK海力士宣布完成了業內首款多堆棧176層4D閃存的研發，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:271552
1552SK海力士發布176層TLC 4D NAND閃存
根據外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術
2020-12-07 16:16:232416
2416三星電子正在研發第七代V-NAND,預計明年批量生產
12月7日，韓國半導體公司SK海力士表示，近期已成功研發出基于三層存儲單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。
2020-12-08 11:01:411697
16973D NAND技術堆疊將走向何方?
層3D NAND；長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉眼來到2020年末，美光和SK海力士相繼發布了176層3D NAND。這也是唯二進入176層的存儲廠商。不得不說，存儲之戰沒有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:373659
3659SK海力士成功收購英特爾NAND閃存業務
SK海力士就擬議的英特爾NAND閃存業務收購獲得了美國外國投資委員會(The Committee on Foreign Investment in the United States,簡稱CFIUS)的許可！
2021-03-19 14:19:222077
2077SK海力士收購Intel閃存業務通過歐盟審批
去年10月份，Intel宣布將旗下的NAND閃存業務以90億美元的價格出售給SK海力士。這筆交易在3月份通過了美國審批，日前通過了歐盟的審批，中國的審批會是未來的關鍵之一。 ? 上周末歐盟
2021-05-27 09:23:571847
1847SK海力士將在大連新建NAND閃存工廠，并繼續加強在中國的投資
近日，SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項目的一部分，將被用于生產非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業務
2022-05-19 14:32:533109
3109SK海力士研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存
SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238層NAND閃存新產品。
2022-08-04 15:53:4915363
15363三星開始量產第8代V-NAND，存儲密度高達1Tb
* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產品中最高的存儲密度，可更高效地為企業擴展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導體企業，正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:36577
577SK海力士量產世界最高238層4D NAND閃存
sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎，開發了智能手機和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產品，并于5月開始批量生產。該公司通過176層、238層的產品，在成本、性能、品質等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:531564
1564SK海力士發布全球首款321層NAND！
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業界首家開發出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發進展情況。
2023-08-10 16:01:47704
704三星、SK海力士存儲器庫存破表 牽動南亞科、華邦、群聯等后市
據dram領域的調查企業trend force稱，去年第四季度在dram領域，三星以45.1%的世界市場占有率居首位，sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領域，三星以世界第1位占據了第4季度的世界市場占有率33.8%，sk海力士（包括solidm）以17.1%占據了第3位。
2023-08-17 09:38:58292
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工商網監
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