11月4日，SK海力士公司宣布，“公司將主要應(yīng)用于3D閃存的CTF結(jié)構(gòu)與PUC技術(shù)結(jié)合起來，在上月領(lǐng)先全球率先研發(fā)出96層512Gbit的4D Nand閃存半導(dǎo)體，計(jì)劃在今年年內(nèi)進(jìn)行第一批量產(chǎn)”。96層Nand閃存是目前性能最強(qiáng)的Nand閃存半導(dǎo)體。

之所以稱之為4D Nand是因?yàn)樗菍?D Nand使用的電荷擷取閃存(CTF，Charge Trap Flash)結(jié)構(gòu)與外圍電路(PUC，Peri Under Cell)構(gòu)造結(jié)合起來開發(fā)出的新技術(shù)。PUC技術(shù)將用來驅(qū)動晶胞的周邊電路堆疊在儲存數(shù)據(jù)的晶胞陣列下方，相當(dāng)于將公寓樓(Nand閃存)所需要的停車場從公寓旁邊改建到了地下空間，從而提高了空間使用效率。

4D Nand半導(dǎo)體體積比目前的72層512Gbit 3D Nand閃存縮小了30%以上，可以搭載到智能手機(jī)移動零部件之中，每張面板可以生產(chǎn)的記憶容量(bit)提升1.5倍，可同時(shí)處理的數(shù)據(jù)量更是提升一倍至業(yè)界最高水平的64KB，一個(gè)新的芯片產(chǎn)品可以取代2個(gè)原來的256Gbit 3D Nand閃存。SK海力士強(qiáng)調(diào)，“新芯片的讀寫能力分別比現(xiàn)在的72層產(chǎn)品提高了30%和25%”。

SK海力士的4D NAND閃存首先會量產(chǎn)TLC類型的，核心容量分別是512Gbt、1Tb，都是96層堆棧，IO接口速度1.2Gbps，不過兩者的BGA封裝面積是不一樣的，1Tb版顯然更大一些。

至于QLC類型的，這個(gè)未來會是SK Hynix量產(chǎn)的重點(diǎn)，核心容量1Tb，但量產(chǎn)時(shí)間會在明年下半年，還需要一些時(shí)間。

4D NAND閃存主要生產(chǎn)基地就是剛剛落成的M15工廠，總投資高達(dá)15萬億韓元，約合135億美元。

SK海力士能否憑借新產(chǎn)品在競爭力相對弱勢的NAND閃存市場站穩(wěn)腳跟并爭取NAND閃存市場的主導(dǎo)權(quán)，倍加受人關(guān)注。SK海力士在全球D-RAM市場僅次于三星電子排名第二，但在NAND閃存市場卻以大約10%的份額之差排在三星電子、東芝、西部數(shù)據(jù)之后，排名第四。在去年SK海力士的銷售額中，NAND閃存所占比重保持在22%左右，而在今年上半年，這一比例下降到了18%。

此外，隨著半導(dǎo)體存儲器的供應(yīng)增加和需求停滯，Nand閃存半導(dǎo)體的價(jià)格在今年下降了9%以上，進(jìn)一步助推了“半導(dǎo)體危機(jī)論調(diào)”。SK海力士計(jì)劃通過擴(kuò)大新產(chǎn)品的供應(yīng)打破這樣的危機(jī)論調(diào)。

SK海力士首先計(jì)劃在年內(nèi)推出搭載4D Nand閃存的1TB容量固態(tài)硬盤(SSD)。SK海力士公司常務(wù)金正泰表示，“搭載CTF技術(shù)的96層4D Nand閃存擁有業(yè)界最頂級的性能和成本優(yōu)勢，我們正利用這一技術(shù)研發(fā)新一代128層4D Nand閃存”。

SK海力士的4D NAND閃存將帶給市場怎樣的驚喜，非常值得期待。