據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道,NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來(lái)自存儲(chǔ)器芯片制造商的多個(gè)消息來(lái)源,最有可能是SK Hynix,美光和三星等更著名的公司。隨著價(jià)格的上漲
2020-01-06 11:15:33
3821 據(jù)IHS公司的閃存市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào),由于在手機(jī)、游戲控制臺(tái)和混合存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大,NAND閃存市場(chǎng)今年有望實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng)。
2013-06-25 17:04:26
684 
通過(guò)對(duì)UPS維修工作中各種故障的統(tǒng)計(jì)可以得出這樣的結(jié)論:后備式UPS電源,由電池引發(fā)的故障超過(guò)了總故障的50%。在線式UPS電源,因?yàn)樗碾娐吩O(shè)計(jì)合理,驅(qū)動(dòng)功率元件容量所取的余量大,因而電源電路故障率很低,相比之下,由電池組所引發(fā)的故障率上升至60%以上。
2014-02-13 13:42:55
915 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁,把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少,但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:04
2255 在設(shè)計(jì)使用NAND閃存的系統(tǒng)時(shí),選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅V匾?閃存控制器還必須足夠靈活,以進(jìn)行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。 選擇正確的閃存控制器對(duì)于確保閃存滿足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。NAND閃存是一種大眾化
2020-12-03 13:52:28
2455 本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開(kāi)放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開(kāi)放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:32
5876 
NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:21
1446 
試圖生成初步的可靠性預(yù)測(cè)分析以滿足客戶初步的關(guān)鍵文件要求審查報(bào)告,想知道是否有可能獲得以下產(chǎn)品的故障率(MTTF 或 MTBF 或 FIT):PMEG4010BEA(PMEG4010 肖特基二極管)。
2023-05-18 07:03:33
該行業(yè)非常重視單個(gè)ECC代碼的強(qiáng)度:但經(jīng)常被忽視的是錯(cuò)誤預(yù)防的強(qiáng)度,這在糾正甚至發(fā)揮作用之前是重要的我們?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">何在基于NAND閃存的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)最低的故障率?您可能已在工程團(tuán)隊(duì)或存儲(chǔ)系統(tǒng)供應(yīng)商之間進(jìn)行過(guò)
2019-08-01 07:09:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè),有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此,弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
CAN 收發(fā)器部件號(hào) TJA1043T_118 是否提供有關(guān)故障模式和故障率的信息?請(qǐng)求共享(如果可用)。
2023-04-19 07:56:47
我想要FMEDA和計(jì)算故障率所必需的參數(shù)(基于IEC 62880)。有可能嗎?*零件編號(hào)S29 GL512S11DHB010 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文I want FMEDA
2018-09-28 15:37:45
RAM中。由于NOR的這個(gè)特點(diǎn),嵌入式系統(tǒng)中經(jīng)常將NOR芯片做啟動(dòng)芯片使用。而NAND共用地址和數(shù)據(jù)總線,需要額外聯(lián)結(jié)一些控制的輸入輸出,所以直接將NAND芯片做啟動(dòng)芯片比較難。 4) N AN D
2014-04-23 18:24:52
的使用也類似于通常的內(nèi)存芯片,它的傳輸效率很高,可執(zhí)行程序可以在芯片內(nèi)執(zhí)行( XI P, eXecute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼 讀到系統(tǒng)RAM中
2013-04-02 23:02:03
幾乎所有微控制器都使用內(nèi)部 NOR 閃存作為隨機(jī)存取指令或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。NAND 內(nèi)存是從起始頁(yè)面地址開(kāi)始的順序訪問(wèn),不支持直接獲取指令(必須先將內(nèi)容復(fù)制到 RAM)。這是閃存架構(gòu)的根本區(qū)別。我不記得 ST 明確聲明內(nèi)部閃存是基于 NOR 的,但這等同于聲明 ST 控制器使用基于半導(dǎo)體的門來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯。
2023-01-31 07:34:49
和潔凈度有較高要求,環(huán)境濕度過(guò)高是造成SVG故障率高發(fā)的因素之一。由于SVG運(yùn)行時(shí)室內(nèi)負(fù)壓非常大導(dǎo)致就容易導(dǎo)致以下情況:(1)灰塵從窗戶吸入配電室內(nèi),使得設(shè)備內(nèi)部積塵嚴(yán)重;(2)雨雪天氣時(shí),雨雪被吸入
2019-11-08 17:07:59
XC3S50A-4FTG256IFPGA的故障率是多少?我沒(méi)有在數(shù)據(jù)表中找到任何數(shù)據(jù)以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文What is the failure rate ofXC3S50A-4FTG256IFPGA?I didn't find any data in datasheets
2019-01-10 11:05:53
?我可以將 NAND 閃存分成兩個(gè)分區(qū)嗎:應(yīng)用程序代碼的第一個(gè)分區(qū)第二個(gè)分區(qū)將被格式化為 FAT32 文件系統(tǒng)
2023-03-29 07:06:44
認(rèn)為每個(gè)組件都有自己的閃存。您如何看待,我應(yīng)該只使用一個(gè)NAND閃存進(jìn)行FPGA和處理器訪問(wèn),這意味著FPGA配置文件(.mcs)也存儲(chǔ)在非易失性閃存中,在加電時(shí),ARM處理器會(huì)自動(dòng)配置FPGA
2019-05-21 06:43:17
目前,針對(duì)NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)的普及,基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File SySTem)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中。
2019-10-28 06:39:19
親愛(ài)的大家,任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計(jì)他的7020定制板,并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問(wèn)候錢德拉以上來(lái)自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
剛剛從MCP2551遷移到MCP2561用于我們的CAN收發(fā)機(jī),我期望在制造時(shí)提高板組裝成品率;然而,我們的一個(gè)模塊(帶有MCP2561的PIC18F25K80)目前具有75%的CAN通信故障率。我
2019-11-06 12:51:02
此類內(nèi)存的開(kāi)發(fā)要求最低,且易于整合到系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。東芝正通過(guò)增強(qiáng)其高性能和高密度內(nèi)存產(chǎn)品陣容來(lái)滿足這種需求,并將繼續(xù)占據(jù)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位。來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng)融融網(wǎng)——軍民融合生態(tài)圈
2018-09-13 14:36:33
請(qǐng)問(wèn)在哪里可以找到 L78L05ABD13TR 的可靠性數(shù)據(jù)(基本故障率)?
2023-01-05 06:58:25
我已經(jīng)用dsPIC33EP512MU810為UART編寫了程序,它在調(diào)試器模式下工作得很好,但如果我在Flash中轉(zhuǎn)儲(chǔ)相同的程序,則無(wú)法得到正確的數(shù)據(jù)。我正在使用UART進(jìn)行實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)監(jiān)控和傳輸,我可以在RAM(調(diào)試器模式)中完成。如何在閃存中卸載程序????是否有與我波特率有關(guān)的與時(shí)間有關(guān)的問(wèn)題?
2020-03-09 06:15:27
ST提供的文檔UM1653中有針對(duì)SLC NAND的高級(jí)閃存驅(qū)動(dòng),里面有文件系統(tǒng)FATFS還做了讀寫均衡和壞塊管理,不知道哪里可以下載到源碼?
2019-03-26 16:23:28
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器(我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器)。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接器來(lái)構(gòu)建 .stldr?我走對(duì)路了嗎?
2022-12-20 07:17:39
我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考,我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。(uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
嗨,我怎樣才能獲得TSC101電流傳感器故障率或FIT?以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文 Hi, How can I get TSC101 current sensor failure rate or FIT?
2019-07-25 09:27:39
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性,您無(wú)法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目?jī)H限于Virtex 4平臺(tái),由于速度需求,不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
需求。首先需要考慮的事項(xiàng)是:?設(shè)備的使用壽命??需要的存儲(chǔ)空間??數(shù)據(jù)保留時(shí)間??讀/寫數(shù)據(jù)的速度??數(shù)據(jù)組織方式??是否需要故障安全??可以容忍的設(shè)備故障率?需求明確后,你就可以尋找滿足這些要求的方法
2020-09-04 13:51:34
U-BOOT是什么NAND閃存工作原理是什么從NAND閃存啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì)思路
2021-04-27 07:00:42
SG6841、UC3842、UC3843也是故障率較高的元件。 三、背光燈故障 除上述故障現(xiàn)象外,液晶顯示器背光燈故障也是常有的,主要表現(xiàn)為老化和徹底損壞,即不發(fā)光。背光燈老化后可以看到圖像發(fā)黃,調(diào)節(jié)
2022-08-16 14:50:48
有沒(méi)有哪位大神有電子行業(yè)的故障率標(biāo)準(zhǔn)啊?有急用,誰(shuí)有的能不能借用下,謝謝!
2016-11-14 13:02:06
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器,主要用于存儲(chǔ)卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲(chǔ)單元陣列以外,它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 隨著NAND Flash存儲(chǔ)器作為大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的普及,基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被應(yīng)用到各種嵌入式系統(tǒng)中。本文將詳細(xì)闡述YAFFS文件系統(tǒng)在C51系統(tǒng)
2009-03-29 15:16:02
1237 爾必達(dá)計(jì)劃收購(gòu)Spansion NAND閃存業(yè)務(wù)
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,日本爾必達(dá)公司表態(tài)計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)Spansion(飛索半導(dǎo)體)旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19
660 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在:
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:35
8226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:23
770 
目前,針對(duì)NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)的普及,基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被
2010-09-01 10:10:03
1079 
討論嵌入式Linux 下與NAND 閃存存儲(chǔ)設(shè)備相關(guān)的Linux MTD 子系統(tǒng)NAND 驅(qū)動(dòng)并就與NAND 閃存相關(guān)的文件系統(tǒng)內(nèi)核以及NAND 閃存存儲(chǔ)設(shè)計(jì)所關(guān)注的問(wèn)題如壞塊處理從NAND 啟動(dòng)當(dāng)前2.4 和2.6 內(nèi)核中NA
2011-09-27 10:11:10
76 實(shí)施效果等,論述了運(yùn)用安全系統(tǒng)工程方法及技術(shù)革新來(lái)減少流量計(jì)的故障率,從而提高計(jì)量準(zhǔn)確度的方法。采取措施后,流量計(jì)的故障率由原來(lái)的54.5%下降到了5.4%。 大口徑流量計(jì)是上海儀表九廠1973年生產(chǎn)的計(jì)量設(shè)備,某油田每年向石化公司
2017-09-30 16:57:52
3 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:26
35 引言 NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Flash因?yàn)榫哂蟹且资约翱刹脸裕跀?shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備
2017-10-19 11:32:52
7 是芯片復(fù)位后進(jìn)入操作系統(tǒng)之前執(zhí)行的一段代碼,完成由硬件啟動(dòng)到操作系統(tǒng)啟動(dòng)的過(guò)渡,為運(yùn)行操作系統(tǒng)提供基本的運(yùn)行環(huán)境,如初始化CPU、堆棧、初始化存儲(chǔ)器系統(tǒng)等,其功能類似于PC機(jī)的BIOS. NAND閃存
2017-10-29 11:29:27
2 DVEVM可以啟動(dòng)或(默認(rèn)),與非門,或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)(UART)。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問(wèn)和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)軟件讓它訪問(wèn);然而,由于它的價(jià)格低,速度快,壽命長(zhǎng),許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:57
9 對(duì)于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言,NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案,這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:00
9847 
從國(guó)外媒體收集到的數(shù)據(jù)顯示,2016款MacBook Pro的鍵盤故障率為11.8%,2017款的MBP二代蝶式鍵盤截至目前的故障率為8.1%。
2018-06-14 09:45:00
6019 據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道,頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:05
3682 從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì) 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來(lái)越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無(wú)法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01
485 進(jìn)的32納米工藝的SLC NAND閃存中,嵌入了一個(gè)具有4位/512字節(jié)糾錯(cuò)能力的ECC。BENAND具有與通用的SLC NAND閃存兼容的封裝和引腳定義,這一點(diǎn)保證其在現(xiàn)有產(chǎn)品中可以輕松地與SLC NAND實(shí)現(xiàn)替換。
2018-10-08 17:11:00
1940 SSD的價(jià)格沒(méi)有最低,只有更低。據(jù)報(bào)道,產(chǎn)業(yè)鏈消息人士本周透露,NAND Flash閃存的價(jià)格在2019年將繼續(xù)下滑,雖然今年已經(jīng)累計(jì)榨干50%水分。此前的一份報(bào)道稱,2019年,SSD每GB的單價(jià)會(huì)跌至0.08美元(約合0.56元)。
2018-10-29 16:39:55
2414 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:?jiǎn)螌訂卧⊿LC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:24
1684 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:34
5462 
IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè),稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長(zhǎng)39%和38%。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示,2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01
282 2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市,領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片,其中NAND閃存芯片從2018年初就開(kāi)始跌價(jià),迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:22
2630 我們?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">何在基于NAND閃存的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)最低的故障率?您可能已在工程團(tuán)隊(duì)或存儲(chǔ)系統(tǒng)供應(yīng)商之間進(jìn)行過(guò)此次討論。正在采取哪些措施來(lái)確保您獲得的質(zhì)量解決方案不僅可以有效地糾正將發(fā)生的不可避免的錯(cuò)誤,而且建立一個(gè)如此強(qiáng)大的系統(tǒng)結(jié)構(gòu),可以防止一開(kāi)始錯(cuò)誤發(fā)生?
2019-06-07 07:18:00
3508 
該行業(yè)非常重視單個(gè)ECC代碼的強(qiáng)度:但經(jīng)常被忽視的是錯(cuò)誤預(yù)防的強(qiáng)度,這在糾正甚至發(fā)揮作用之前是重要的
2019-07-05 15:11:08
2277 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)廠商Backblaze發(fā)布了2019年度硬盤故障率報(bào)告。該報(bào)告以Backblaze名下運(yùn)行的124956塊硬盤為樣本,其中2229塊為系統(tǒng)啟動(dòng)盤,122658塊為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤。
2020-02-13 13:32:12
8044 
無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時(shí),首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講,NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:03
14751 
通常情況下,固態(tài)硬盤(SSD)的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46
716 
我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng),今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:52
7052 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:49
2025 8.2.殘余故障率的示例和局部單點(diǎn)故障度量評(píng)估. 8.2.1.總則 此示例演示了一種評(píng)估殘余故障率RF、傳感器、單點(diǎn)故障率SPF和單點(diǎn)故障度量MSPFM的本地化版本的方法,傳感器的傳感器。在本例
2020-10-22 11:56:14
2978 
存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:55
2599 寫入問(wèn)題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么?
2021-04-01 17:50:56
2894 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問(wèn)片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:56
1299 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:15
2100 
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了以下方法:用于設(shè)計(jì)支持一系列NAND閃存設(shè)備而無(wú)需直接設(shè)計(jì)的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無(wú)縫利用的方法在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:24
15 在NAND閃存的應(yīng)用中,程序/擦除周期存在一個(gè)限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊將變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:11
1230 
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常,當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí),他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存,而忽略了單獨(dú)的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡(jiǎn)單地說(shuō),沒(méi)有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32
863 
在NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:43
1519 
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了設(shè)計(jì)的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備,無(wú)需直接設(shè)計(jì)預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無(wú)縫利用在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:45
0 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:39
2147 NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位,因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:03
1197 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:00
1983 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53
282 三星采取此舉的目的很明確,希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng),穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格,并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:11
1214 如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能?結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法!
2023-11-23 17:43:55
274 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《磁環(huán)共模電感器應(yīng)用中故障率高的原因.docx》資料免費(fèi)下載
2024-01-22 09:30:21
0 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22
222
評(píng)論