9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 電子發燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規模量產64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。這款176層NAND產品采用美光第五代3D NAND技術和第二代替換柵極架構。
2020-11-13 09:40:162883 的技術要點。即將推出的5G標準在獲得更低運營成本(OPerational EXpenses, OPEX) 的同時確保更高的吞吐率、更多的容量和實現的靈活性。其他目標包括超可靠低延遲通信(ultra
2019-06-10 07:36:36
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND技術資料：器件結構及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
的能力越來越強。3D掃描隨著全新技術和算法的發展不斷進步。隨著處理和傳感器功能的不斷增強，而它們的成本逐漸走低，這些全新技術使終端用戶有了更大的選擇空間。采用結構光的主動、非接觸式3D掃描系統為用戶提供
2018-08-30 14:51:20
需要及時維修，通常會使用3D輪廓測量及分析儀原理來測量產品的規格，從而保證生產產品的最終規格和標準程度，那么在眾多測量儀種類當中，大家為什么要使用3D輪廓測量及分析儀呢？3D輪廓測量及分析儀的原理和應用又有哪些呢？下面繼續由大成精密技術人員為大家解答：
2020-08-05 06:49:03
的存儲成本。在認識到不斷縮小的光刻技術的擴展局限性之后，需要一種新的方法來增加每個設備的密度，同時降低每 GB 的相對成本，此時便出現了3D NAND FLASH。16nm制程以上的閃存如28nm多屬
2020-11-19 09:09:58
七年前進入該市場以來的首次，受益于競爭對手東芝表現不佳等有利因素。 雖然全球經濟形勢總體上來看十分嚴峻，但受平板電腦和固態硬盤廠商對NAND閃存需求的刺激，第二季度美國內存生產商美光的NAND閃存
2012-09-24 17:03:43
軌跡產生的容量斜坡仍然比需求線平坦。面對此挑戰，3GPP 標準實體近來提出了數據容量“到2020 年增長1000 倍”的目標，以滿足演進性或革命性創意的需要。這種概念要求基站部署極大規模的天線陣
2019-07-17 07:54:10
本帖最后由 Mrblue 于 2015-11-30 14:55 編輯
近日，Intel在超級計算機大會上正式展示出其第二代高性能計算產品Knights Landing Xeon Phi，強大
2015-11-30 14:54:14
`Raspberry Pi基金會今天發布第二代樹莓派—— Raspberry Pi ，樹莓派2外形看起來跟樹莓派B+一樣一樣的，配置主要就是升級了CPU (900M4核ARM v7)和內存(1G
2015-02-02 21:56:26
反饋在不連續或連續傳導模式下穩定低EMI的電源連接標簽電路簡單性和設計工具減少了上市時間第二代TOPSwitch II系列比第一代TOPSwitch系列更具成本效益，并提供了一些增強功能
2020-09-30 16:45:59
AD8233 模擬前端支持生物電位測量。AD8233（參見圖3）是ADI 第二代單導聯 ECG 前端，嵌入了右腿驅動 (RLD) 功能，設計用于在高噪聲環境中提取、放大、過濾微弱的生物電位信號。此器件的重點
2018-09-21 11:46:21
AN15261基于CYWUSB6934將無線USB LS設計移植到無線USB LP。第二代無線電具有第一代無線電中不存在的其他強大功能：更高的傳輸比特率，更低的接收靈敏度，更高的最大發射功率，專用的發送和接收緩沖器以及自動CRC
2019-07-19 09:05:47
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點？FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
GHz IEEE 802.15.4/RF4CE/ZigBee（具有范圍擴展器）的第二代片上系統解決方案4 層設計天線分集工作電壓為 2.2V 至 3.6VPCB 天線
2018-12-13 11:42:00
SK海力士雖然并未有擴產消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術取得顯著進展。其中，美光最新的176層3D NAND已經在新加坡工廠量產，將在2021年推出基于該技術的新產品，SK
2022-01-26 08:35:58
的第二代的Z-NAND技術，兼具低延遲和高性能優勢，而且降低了成本，給不同細分市場、不同容量需求的應用領域提供SSD解決方案，在移動存儲方面，裵容徹先生預計在2019年UFS將會占到整個市場20%以上
2018-09-20 17:57:05
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產品應用于移動數碼消費產品，包括手機和數碼相機，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產
2008-08-14 11:31:20
第二代導航衛星系統與第一代導航衛星系統在體制上的差別主要是：第二代用戶機可免發上行信號，不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶提供高程信息，而是直接接收衛星單程測距信號自己定位，系統的用戶容量不受限制，并可提高用戶位置隱蔽性。
2019-08-14 07:06:41
1月，推出第一代發光字3D打印機442型。在2018年5月，推出升級系列的第二代發光字3D打印機425型、625型、1025型。公司相繼與華中科技大學、極光爾沃、深圳巨影等簽訂戰略合作協議。`
2018-10-13 15:21:21
的“RISC-V 開源處理器芯片生態發展論壇”上，第二代“香山”（南湖架構）開源高性能 RISC-V 核心正式發布。據介紹，“香山”于 2022 年 6 月啟動工程優化，同年 9 月研制完畢，計劃 2023 年 6
2023-06-05 11:51:36
的變化。 需求不足跌價成必然2018年NAND閃存之所以大降價，一個關鍵原因就是64層堆棧的3DNAND閃存大規模量產，實現了從32層／48層堆棧到64層堆棧的飛躍，使得NAND閃存每GB成本降至8美分
2021-07-13 06:38:27
不同顏色表示不同代的產品）。這里的特性顯示不太可能出現因溫度上升而引發的熱失控，在并聯連接時等高溫條件下均可確保安全工作。第二代產品正向電壓更低，導通損耗也更低目前，ROHM的第二代SiC-SBD已實現量產
2018-12-04 10:26:52
據開芯院首席科學家包云崗介紹，第二代“香山”于2022年6月啟動工程優化，同年9月研制完畢，計劃2023年6月流片，性能超過2018年ARM發布的Cortex-A76，主頻2GHz@14nm
2023-05-28 08:41:37
我想用第二代電流傳輸器或者OTA做濾波器用，它們兩個怎么將原理圖封裝為電路符號，用什么軟件？
2018-07-04 09:25:02
`驅動之家[原創] 作者：永輝 編輯：永輝 2011-01-10 11:32:46 31266 人閱讀來自蘋果皮520官方論壇的消息，在蘋果皮520上市之后發現很多不足之后，蘋果皮520第二代產品
2011-02-23 10:39:26
求分享USB3.1第二代應用的ESD解決方案
2022-01-14 07:35:38
RK3576處理器
RK3576瑞芯微第二代8nm高性能AIOT平臺，它集成了獨立的6TOPS（Tera Operations Per Second，每秒萬億次操作）NPU（神經網絡處理單元），用于
2024-03-12 13:45:25
、熱控板、熱沉材料和引線框架等,被譽為第二代封裝和熱沉材料。【關鍵詞】：鎢銅材料,電子封裝,低膨脹系數,熱沉材料,熱導率,氣密性,物理性能,大規模集成電路,熱導性,化學穩定性【DOI】：CNKI
2010-05-04 08:07:13
白皮書
第二代ClearClock?三次泛音晶體振蕩器
在這份全新的白皮書中，我們討論了最新一代超低抖動三次泛音晶體振蕩器的特點、優勢、性能和特性，這些振蕩器旨在為各種高速應用提供穩定準確的時鐘信號
2023-09-13 09:51:52
特別給力但足夠用了。節選自：次世代安卓旗艦 谷歌Nexus 7二代評測 作者：付濤整體性能 第2段相關產品：Google Nexus 7（第二代/32GB） 回歸常規評測的套路，我們使用安兔兔系統評測
2013-08-12 17:22:08
優勢，或許，未來將有更多的玩家參與其中。存儲產品的3D時代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產和研發中來，存儲產品也開始走向了3D時代。在這些廠商發展3D閃存的過程當中，也
2020-03-19 14:04:57
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子集團今日宣布推出15款第二代新型多相數字控制器和6款SPS，可支持10A至1000A以上的負載電流，適用于先進的CPU、FPGA、GPU和面向物聯網基礎設施系統
2020-11-26 06:17:51
在逐點晶晰第二代技術的基礎上，飛利浦又發展了高清逐點晶晰第二代，提高了一倍的畫面處理能力，
2006-04-15 22:38:09635 繼上次外觀曝光設計圖曝光后，今天小米第二代手機又有了新的動態，消息稱富士康已經接到該機的訂單，并已經開始了它的量產工作。
2012-05-06 12:02:201462 東芝公司（Toshiba Corporation）日前宣布，該公司已經開發出第二代19納米工藝技術，該技術將于本月晚些時候用于量產每單元2比特的64吉比特NAND存儲芯片。
2013-05-23 10:34:251176 目前，3D打印技術大規模應用于汽車行業的可能性正在前所未有的提速。據市場研究公司Smartech預計，到2019年，3D打印汽車產業的全球規模或將達到11億美元。 3D打印為汽車行業帶去無限可能 或將實現大規模量產 自2010年誕生第一臺商用3D打印機以來，這種技術正不斷為全球帶來顛覆性的創造與革新。
2016-12-22 09:37:11695 據臺灣產業鏈傳來的消息，蘋果今年要發布的三款iPhone，在閃存供應方面出現了一些問題，不過目前蘋果已經解決。報道顯示，iPhone 7s、7s Plus已經開始大規模量產，iPhone 8的量產工作要在8月份才正式開始。
2017-07-07 09:39:26715 近日華虹半導體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺已經宣布量產，是在第一代的基礎上實現了多方面的技術提升。目前，90nm G2 eFlash已實現了高良率的穩定量產，標志著華虹半導體在特色化嵌入式閃存技術上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461205 近日，據外媒報道，動力電池公司AKASOL宣布，2020年量產第二代動力電池技術，屆時每組電池容量相比現在將提高35%。據悉，AKASOL公司現在為戴姆勒集團的電池供應商，該公司電池產品主要用于客車以及貨車等商用車型，未來是否會運用于乘用車還不清楚。
2018-07-30 16:22:00814 外界關注Mini LED箱體點間距逐漸從過往Pitch 2.5朝向目前Pitch 1.25再到未來的Pitch 0.75發展，將是未來趨勢，而Pitch 0.75也將是間距最小的方案，第二代箱體所使用的模塊率大幅提升，預計將于明年第1季量產。
2018-06-29 16:55:002043 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經大規模量產64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167 7月20日，東芝/西部數據宣布成功開發采用96層BiCS4架構的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），單Die容量最高可達1.33Tb，預計將在2018下半年開始批量出貨，并優先用于SanDisk品牌下銷售的消費級閃存產品。
2018-08-08 15:10:01724 
，也意味著成本更低。?東芝和閃迪是戰略合作伙伴，雙方在NAND領域是共享技術的，他們的BiCS閃存去年開始量產，目前的堆棧層數是48層，MLC類型的核心容量128Gb，TLC類型的容量可達256Gb
2018-10-08 15:52:39395 關鍵詞：NAND , 閃存 新產品符合JEDEC eMMC 5.0版標準 東芝公司推出新型嵌入式NAND閃存模塊，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。該模塊符合最新的eMMC
2018-10-13 11:17:01314 三星電子今天宣布，開始量產業界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數據更多，而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 
1月7日，紫光集團官方微信公眾號發文，宣布旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司宣布成功實現大容量企業級3D NAND芯片封測的規模量產。
2019-01-09 16:56:236823 昨日，紫光集團旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司發布信息，宣布公司成功實現大容量企業級3D NAND芯片封測的規模量產。他們表示，這次公告標志著內資封測產業在3D NAND先進封裝測試技術實現從無到有的重大突破，也為紫光集團完整存儲器產業鏈布局落下關鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005039 2019新年伊始，紫光“官宣”旗下紫光宏茂微電子成功實現大容量企業級3D NAND芯片封測的規模量產。
2019-01-11 09:56:314269 中芯國際宣布：今年上半年將大規模量產14納米芯片，良品率已經達到了95%，其首個訂單來自手機領域。
2019-05-20 16:40:5912613 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 國內尚無公司能夠大規模量產閃存及內存芯片。
2019-06-28 11:06:352982 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 在官宣發布兩個月后，Intel第二代QLC閃存SSD 665p新鮮上市，最先開賣的1TB容量款式目前的電商零售價是82.99美元（約合583元），可以說相當勁爆。
2019-11-26 15:37:402218 在官宣發布兩個月后，Intel第二代QLC閃存SSD 665p新鮮上市，最先開賣的1TB容量款式目前的電商零售價是82.99美元（約合583元），可以說相當勁爆。
2019-11-26 15:27:14965 12月4日消息 在正在舉行的Snapdragon科技峰會上，高通公司宣布了第二代3D聲波顯示指紋傳感器，稱為3D Sonic Max。
2019-12-04 15:39:193390 我們都知道固態硬盤采用閃存顆粒NAND Flash作為存儲介質，所以它是固態硬盤中最重要的構成部分，其好壞也就決定著固態硬盤質量的好壞，而我們目前常見的NAND閃存主要有四種類型：Single
2020-01-01 09:31:003412 對3D閃存來說，堆棧層數越多，容量就越大，存儲密度就越高，這是3D閃存的核心競爭力，2020年全球將大規模量產100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073456 5月11日消息，近日，英特爾初步介紹第二代傲騰固態硬盤細節，該公司使用3DXpoint打造的傲騰系列存儲產品都有著相當強大的性能，新一代傲騰144層3D NAND固態硬盤將支持PCIe 4.0，最大容量可達3TB。
2020-05-13 14:08:045611 現在，長江存儲已成功將 Xtacking 技術應用于其第二代 3D NAND 產品的開發，大規模量產之后，預計會有更多的儲存產品用上國產芯片。
2020-08-11 15:55:18439 憑借在GaAs光電器件領域的多年積累，目前乾照光電已建成包括3D傳感垂直腔面發射激光器（VCSEL）外延生長、芯片流片、點測分選和可靠性驗證等完整一站式VCSEL產線。2019年底，據麥姆斯咨詢報道，乾照光電已具備大規模量產和出貨VCSEL的能力。
2020-08-31 15:50:143696 稱，該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產，第二代FinFET N+1工藝已經進入客戶導入階段，可望于2020年底小批量試產。 按照這樣的時間表推測，中芯國際N+1代工藝確實會在2021年規模量產。 N+1是中芯國際對其第二代先進工藝的代號，但從未明確
2020-09-26 10:11:392092 據美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產品擁有破紀錄的176層構造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設計轉變為電荷陷阱（charge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:592809 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-10 16:22:391671 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 美光第五代 3D NAND 技術和第二代替換柵極架構。 美光科技表示，與美光的上一代大容量 3D NAND 產品相比，176 層 NAND 將數據讀取和寫入延遲縮短了 35% 以上。美光的 176
2020-11-12 13:04:571857 的應用效能。 據了解，176層3D NAND閃存是美光第二代替換閘（Replacement Gate）架構，是目前全球技術最為先進的NAND節點，相較于前代3D NAND相比，美光176層3D NAND閃存
2020-11-12 16:02:552599 年下半年大規模量產。 從英文媒體最新的報道來看，同2018年量產的7nm和今年量產的5nm工藝一樣，臺積電正在研發的3nm工藝，也將會有第二代。 英文媒體是援引產業鏈人士透露的消息，報道臺積電會推出第二代3nm工藝的，這一消息人士表示臺積電計劃在2
2020-12-02 17:14:461572 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 1月15日消息，據國外媒體報道，根據臺積電公布的計劃，他們的3nm工藝，計劃在今年風險試產，2022年下半年大規模量產。
2021-01-17 11:32:122840 2 月 19 日消息 根據中興通訊終端事業部總裁、努比亞技術有限公司總裁倪飛的消息，中興將在下周的 MWC 上海活動中展示第二代量產屏下攝像技術，首發屏下 3D 結構光。 據爆料，全新的中興
2021-02-19 16:37:552477 中興去年發布了全球首款量產屏下攝像手機中興天機Axon 20 5G，銷售火爆?，F在，新一代屏下攝像技術也要來了。2月19日，中興通訊終端事業部總裁倪飛宣布，將在下周的上海MWC展上展示第二代量產屏下攝像技術，全球首發屏下3D結構光技術。
2021-02-20 10:46:162420 2月23日消息，中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術的樣機。
2021-02-24 09:08:251924 2月23日，2021MWC上海展在新國際博覽中心正式開幕，不少手機廠商選擇在這個舞臺上秀肌肉。展會當天，中興手機除了展示了一眾產品外，也向公眾展示了第二代量產屏下攝像技術和全球首發屏下3D結構光技術
2021-02-25 14:18:271949 豪微科技的第二代高帶寬內存芯片進一步優化了設計，自主研發了高帶寬3D內存控制器和uLPower低功耗技術，在一顆芯片上集成高于2000路的DDR內存控制通路，提供1TByte/s到8TByte/s的存算帶寬。
2021-04-01 09:28:523052 芯片生態來實現LiDAR大規模集成，從芯片設計之初就將LiDAR系統的幀率、分辨率、成本、可靠性和可量產性考慮進
2021-09-07 15:45:312659 
據媒體報道稱，谷歌第二代Tensor芯片將于這個月開始量產，代工方為三星，將會采用4nm制程工藝大規模生產該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機自研的芯片，第一代在去年8月發布，而第二代
2022-06-02 14:52:451273 第二代驍龍8相比新驍龍8擁有更大的核心和更高的核心主頻，這為其帶來35%的性能提升和40%的能效提升。另一方面，由于第二代驍龍8依舊搭載了支持32位應用的A710以及增加支持32位應用的新A510，在適配性上也不用太過擔心。
2022-11-18 11:00:011452 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 尼得科的EV用驅動電機系統“E-Axle”的第二代產品（以下簡稱“Gen.2”）現已開始量產。
2022-10-24 14:58:441882 
炬芯科技宣布全新第二代2.4G/BT低延遲無線收發音頻SoC芯片ATS3031發布量產，終端品牌產品已經上市規模銷售。
2023-10-07 12:29:17638 隨著網絡需求的不斷增長，千兆光模塊和萬兆光模塊成為了網絡通信中不可或缺的組件。但是，如何實現這些高速光模塊的量產卻是廠家們面臨的難題。本文將介紹千兆光模塊和萬兆光模塊的生產工藝差異和技術挑戰，并探討廠家如何實現千兆和萬兆的大規模量產。
2023-11-06 14:56:40219 臺積電是全球領先的半導體制造企業，也是三星的主要競爭對手。雙方都在積極爭取客戶，并計劃在上半年實現第二代3納米GAA架構制程的大規模量產。
2024-01-22 15:53:26324 第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的擊穿電壓強度，更低的損耗和
2023-05-29 10:16:48
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