三星宣布開始量產兩種新型30nm制程NAND閃存芯片

三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司宣稱，這種產品的讀取帶寬是傳統閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。

即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續讀取速率，同樣比傳統閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。

另外一款三星新推出的閃存芯片產品，則是采用每個基本存儲單元可存儲3位數據技術的3位記憶型閃存芯片產品，比常用的2位記憶型閃存的單位容量多50%。不過三星這款產品目前主要面向移動存儲設備，而不是高速存儲設備。

三星這種3位閃存芯片初期將主要應用在其8GB microSDHC閃存卡上，隨后會將其逐步推廣到更大容量的產品如USB閃盤等應用場合中去。不過三星并沒有透露其DDR型閃存的應用對象，只稱目前只有“部分主要的OEM廠商”在使用這種DDR型閃存芯片。

據猜測，三星所謂的“部分主要的OEM廠商”也許包括蘋果在內。蘋果一直是三星重要的客戶之一，他們經常搶先在自己的iPhone/iPod等產品中啟用三星最新技術的閃存芯片產品。