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第三代半導體產業

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Si基GaN器件及系統研究與產業前景

氮化鎵具有優異的材料特性,例如寬帶隙、高擊穿場強和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 12-09 14:45 ?1382次閱讀
Si基GaN器件及系統研究與產業前景

氮化鎵外延領軍企業晶湛半導體宣布完成C+輪數億元融資

近日,第三代半導體氮化鎵外延領軍企業晶湛半導體宣布完成C+輪數億元融資,這是晶湛公司繼2022年完成....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 12-09 10:49 ?1140次閱讀

IDC預測2024年全球半導體市場八大趨勢

根據IDC(國際數據資訊)最新研究顯示,隨著全球人工智能(AI)、高性能計算(HPC)需求爆發式提升....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 12-09 10:30 ?1631次閱讀

GaN MEMS/NEMS應變調控諧振器研究

以GaN為代表的第三代半導體具有高擊穿電場,高電子飽和速度,高頻和高功率等特性,在射頻和電力電子器件....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 12-09 10:28 ?1619次閱讀
GaN MEMS/NEMS應變調控諧振器研究

增強型功率氮化鎵器件結構設計進展

作為寬帶隙材料,GaN具有擊穿電壓高、熱導率大、開關頻率高,以及抗輻射能力強等優勢。
的頭像 第三代半導體產業 發表于 12-09 10:26 ?1920次閱讀
增強型功率氮化鎵器件結構設計進展

助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展

GaN性能優異,在光電子、微電子器件應用廣泛,發展潛力巨大;進一步發展,需提升材料質量,制備高質量氮....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 12-09 10:24 ?1638次閱讀

產業鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能?

由于其寬帶隙和優異的材料特性, SiC基功率電子器件現在正成為許多殺手級應用的后起之秀,例如汽車、光....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 12-08 14:33 ?1203次閱讀

具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術

氮化鎵(GaN)功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流(DC....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 12-06 10:04 ?1237次閱讀
具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術

陳敬教授:面向功率、射頻和數字應用的氮化鎵器件技術

近日,在第九屆國際第三代半導體論壇&第二十屆中國國際半導體照明論壇開幕大會上,香港科技大學講席教授陳....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 12-05 15:07 ?1624次閱讀
陳敬教授:面向功率、射頻和數字應用的氮化鎵器件技術

清軟微視周繼樂:化合物半導體襯底和外延缺陷無損檢測技術

清軟微視是清華大學知識產權轉化的高新技術企業,專注于化合物半導體視覺領域量檢測軟件與裝備研發。其自主....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 12-05 14:54 ?2846次閱讀
清軟微視周繼樂:化合物半導體襯底和外延缺陷無損檢測技術

淺談寬禁帶半導體涉及到的幾個基礎問題

功率電子材料和器件研發基本與國際同步,GaN功率器件邁向更廣的應用領域,更全電壓等級,從當前100V....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 12-05 11:38 ?1177次閱讀
淺談寬禁帶半導體涉及到的幾個基礎問題

全球SiC晶圓市場預計2030年達21億美元!市場+技術趨勢深度分析

高溫、高頻和高功率應用需求:碳化硅在高溫、高頻和高功率電子器件中表現出色,因此受到這些應用領域的廣泛....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 11-24 16:07 ?1452次閱讀
全球SiC晶圓市場預計2030年達21億美元!市場+技術趨勢深度分析

小米汽車來了!碳化硅助力整車低能耗

值得注意的是,在動力方面,根據申報信息顯示,小米SU7提供單電機后驅和雙電機四驅可選,其中單電機最大....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 11-17 16:49 ?1064次閱讀
小米汽車來了!碳化硅助力整車低能耗

基于晶圓級高導熱異質集成襯底實現最高截止頻率氧化鎵射頻器件

氧化鎵是超寬禁帶半導體材料的優異代表,由于其禁帶寬度和擊穿場強遠高于GaN,不僅可在更高場強、更高工....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 11-15 10:45 ?2187次閱讀
基于晶圓級高導熱異質集成襯底實現最高截止頻率氧化鎵射頻器件

華為新一代碳化硅電機發布:22000轉/分、零百加速3.3秒

電機將首發搭載于智界S7,四驅版配有前150千瓦交流異步電驅系統,后215千瓦永磁同步電驅。得益于此....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 11-14 15:46 ?1460次閱讀

中電科南京外延材料產業基地投產,一期投資19.3億元

紫金山觀察消息顯示,該項目一期投資19.3億元,項目達產后,預估新增年收入25億元,將形成8-12英....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 11-14 15:44 ?1024次閱讀

三菱電機和安世半導體將合作共同開發碳化硅功率半導體

11月13日, 三菱電機株式會社(TOKYO:6503)宣布,將與Nexperia B.V.建立戰略....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 11-14 10:34 ?951次閱讀

芯生代科技發布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化鎵外延產品

2023年11月10日,溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學家峰會上隆重發布了面向高電壓大電....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 11-14 10:32 ?1129次閱讀
芯生代科技發布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化鎵外延產品

廈門大學張保平教授課題組發表綠光GaN基VCSEL重要成果

近日,廈門大學電子科學與技術學院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發射激光器(GaN基VCSEL)方面取得....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 11-10 09:48 ?1130次閱讀
廈門大學張保平教授課題組發表綠光GaN基VCSEL重要成果

中瓷電子:電動汽車主驅用大功率MOSFET產品主要面向比亞迪

近日,中瓷電子在接受機構調研時表示,國聯萬眾公司電動汽車主驅用大功率MOSFET產品主要面向比亞迪,....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 11-09 10:53 ?1040次閱讀

東風首批自主碳化硅功率模塊下線

智新半導體有限公司是東風公司與中國中車2019年在武漢成立的,智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 11-03 16:48 ?623次閱讀
東風首批自主碳化硅功率模塊下線

清華大學李兆麟:車規級MCU以及IGBT依然是汽車芯片短缺的主角

縱觀整個國際市場,歐美日企業長期占據汽車使能芯片(按照李兆麟的劃分,汽車使能芯片主要包括計算、控制、....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 11-03 15:48 ?804次閱讀

中瑞宏芯致力于開發新一代碳化硅功率芯片和模塊

10月30日,中瑞宏芯半導體宣布,公司于近日完成近億元人民幣的產投融資,由光伏微逆領頭公司禾邁股份和....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 11-02 16:27 ?842次閱讀

什么是氮化鎵(GaN)?GaN的優勢和應用領域

GaN近期為何這么火?如果再有人這么問你,你可以這樣回答:因為我們離不開電源。
的頭像 第三代半導體產業 發表于 11-02 10:32 ?6402次閱讀
什么是氮化鎵(GaN)?GaN的優勢和應用領域

環球晶將加快8英寸碳化硅基板產能建設

環球晶董事長徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯估了客戶對8英寸碳化硅(SiC)需求,現在情況超出預期....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 10-27 15:07 ?765次閱讀

麥肯錫:8英寸SiC晶圓市場滲透率即將和6英寸持平

電動汽車采用率的不斷提高正在推動對關鍵碳化硅電力電子元件的需求。半導體企業、汽車原始設備制造商和其他....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 10-26 09:21 ?1207次閱讀
麥肯錫:8英寸SiC晶圓市場滲透率即將和6英寸持平

三安光電碳化硅實現了8英寸襯底準量產

三安光電10月23日宣布,旗下湖南三安在碳化硅產品上取得階段性進展,實現8英寸襯底準量產,部分產品已....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 10-25 14:55 ?981次閱讀

北京鎵和首次發布4英寸面氧化鎵單晶襯底參數并實現小批量生產

近日,“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關材料與器件研討會”在濟南召開。大會技術委員會委員北京鎵和半導體有....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 10-25 14:51 ?1222次閱讀

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導體

使用GaN(氮化鎵)的功率半導體作為節能/低碳社會的關鍵器件而受到關注。兩家日本公司聯手創造了一項新....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 10-20 09:59 ?1705次閱讀
垂直GaN功率器件徹底改變功率半導體

凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

2023年10月,凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優....
的頭像 第三代半導體產業 發表于 10-20 09:43 ?1214次閱讀
凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS