SiC器件在擊穿場強、熱導率、熔點、禁帶寬度、電子飽和漂移速度等方面具有優勢。
電能質量控制產品的性能指標不僅與控制系統的性能指標及控制算法密不可分，也與電力電子功率器件的性能指標....
電源模塊的高級封裝是非常重要。包裝優化是提高性能的解決方案之一。
氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產生的熱量和由此引起的溫升會導致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需....
碳化硅功率器件具有高壓高功率領域等優勢，市場廣闊，應用場景廣泛。也被認為是下一代800V電動汽車電驅....
三五族氮化物半導體材料，包括氮化鎵，氮化鋁，氮化銦及其它們的合金，以其獨特的直接帶隙半導體特性和從0....
磨削和研磨等磨料處理是生產半導體芯片的必要方式，然而研磨會導致芯片表面的完整性變差。因此，拋光的一致....
近日，鐳昱半導體（Raysolve）宣布完成Pre-A3輪融資，本輪融資由華映資本領投，三七互娛及米....
過去幾十年里，半導體技術快速發展，芯片特性顯著提升。大功率半導體器件是由多顆半導體裸芯片通過封裝集成....
在新能源產業強勁需求下，全球SiC產業步入高速成長期，推升了對SiC襯底產能的需求。
氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領域具有廣闊的應用前景....
GaN因其特性，作為高性能功率半導體 材料而備受關注，近年來其開發和市場導入不斷加速。
近年來，隨著通信技術的迅速發展以及人們對顯示色彩和實用性的追求，顯示技術呈現多元化的發展。
碳化硅具有高熱導率、高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學穩定性、GaN的近晶格常數和....
近日，據路透社消息，東芝和羅姆表示，他們將投資 3883 億日元（27 億美元）聯合生產功率芯片。
隨著全球及國內在新能源汽車、新能源發電和儲能等終端市場需求的快速增長，行業對碳化硅襯底需求呈現出持續....
在最近的IEDM大會上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用....
功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時導出成為保證功率器件性能及可靠性的關鍵。
碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物。
高性能陶瓷基板具有優異的機械、熱學和電學性能，在電子和半導體領域有著廣泛的應用，可以支撐和固定半導體....
SiC MOSFET器件存在可靠性問題，成為產業發展瓶頸。
VCSEL是很有發展前景的新型光電器件，也是光通信中革命性的光發射器件。
第三代半導體，具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、良好的化學穩定....
Micro LED具有低功耗、高亮度、高分辨率等優點，有數據顯示，受智能穿戴和超高清大屏顯示需求影響
近日，在廈門召開的第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCH....
“十四五”以來，基于自發光顯示的微投影顯示光學系統成為了研究熱點。
當前，Micro-LED顯示是備受關注的新一代顯示技術，具備高質量顯示的大多數特征；
近日，第九屆國際第三代半導體論壇&第二十屆中國國際半導體照明論壇在廈門國際會議中心召開。
近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈....
近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈....
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