碳化硅功率半導體多芯片封裝技術研究
過去幾十年里，半導體技術快速發展，芯片特性顯著提升。大功率半導體器件是由多顆半導體裸芯片通過封裝集成而形成，面臨著封裝特性提升較慢，無法匹配芯片特性等挑戰。
近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“碳化功率器件及其封裝技術”分會上，西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長王來利教授做了“碳化硅功率半導體多芯片封裝技術”的主題報告，分享了最新研究進展。
研究提出了磁耦合精確調控多芯片并聯電熱均衡方法，提出了控制磁場耦合度的多芯片電熱應力調控方法，解決了多芯片不均衡性電熱應力調控難題，為提高寬禁帶器件容量與可靠性建立了基礎。
首次獲得了碳化硅半導體在550℃高溫的動靜態特性，掌握了碳化硅極寬溫度范圍內關鍵特征參數變化規律，并基于高溫器件實現了環境溫度265℃的高溫變換器。
審核編輯：劉清
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
變換器
+關注
關注
17文章
2130瀏覽量
110377 -
功率半導體
+關注
關注
23文章
1274瀏覽量
43823 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
3008瀏覽量
50042
原文標題：王來利教授：碳化硅功率半導體多芯片封裝技術
文章出處：【微信號：第三代半導體產業，微信公眾號：第三代半導體產業】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
基本半導體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
近日，全球電力電子領域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕。基本半導體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅動解決方案盛裝亮相，并隆重發布新一代碳化硅
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加，寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動
碳化硅VS硅基IGBT：誰才是功率半導體之王？
在半導體技術的不斷演進中，功率半導體器件作為電力電子系統的核心組件，其性能與成本直接影響著整個系統的效率與可靠性。碳化硅（SiC）
全球功率半導體變革：SiC碳化硅功率器件中國龍崛起
功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起：從技術受制到全球引領的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經歷從傳統的硅基功率器件持續躍升到SiC
納微半導體氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和
碳化硅功率器件的封裝技術解析
碳化硅（SiC）功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優異特性，在電力電子系統中得到了廣泛關注和應用。然而，要充分發揮SiC器件的性能，封裝技術至關重要。本文將詳細解析
碳化硅在半導體中的作用
電導率、高熱導率、高抗輻射能力、高擊穿電場和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環境，同時保持較高的電學性能。 二、碳化硅在半導體器件中的應用 功率
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
氧化層？如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監魏煒老師的講解，揭開這一技術領域的神秘面紗。
發表于 01-04 12:37
碳化硅在半導體產業中的發展
碳化硅（SiC）在半導體產業中的發展呈現出蓬勃的態勢，其獨特的物理和化學性質使其成為新一代高性能半導體材料的佼佼者。以下是對碳化硅在半導體產
碳化硅功率器件的優勢和應用領域
在電力電子領域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨特的性能和優勢，逐步成為行業的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，使得
探究電驅動系統中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術
在電動汽車、風力發電等電驅動系統中，碳化硅功率器件以其優異的性能逐漸取代了傳統的硅基功率器件。然而，要充分發揮碳化硅功率器件的優勢，其
碳化硅功率器件的優勢和分類
碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應用。相比傳統的硅（Si）基
基本半導體銅燒結技術在碳化硅功率模塊中的應用
隨著新能源汽車產業的蓬勃發展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術帶來了更嚴峻的挑戰。碳化硅憑借其優異的材料特性，成
工商網監
評論