深圳市浮思特科技有限公司文章

• N通道和P通道場效應晶體管(FET)之間的區別是什么?2024-10-25 11:58

  

  晶體管是現代電子電路中至關重要的半導體器件。它們可以執行兩種主要功能。首先，作為其真空管前身三極管，晶體管可以放大電信號。其次，晶體管可以作為計算機的信息處理和存儲的開關設備。場效應晶體管是控制電流通過電場的半導體器件。晶體管不僅可以放大電信號，還可以作為開關設備。計算機利用晶體管的開關能力進行算術和邏輯運算以及信息存儲。它們使用二進制代碼——以基數2書寫的

  FET p通道 場效應管 晶體管 2041瀏覽量

• Wolfspeed暫停德國SiC晶圓廠建設，德國半導體招商引資再遭重創2024-10-25 11:53

  

  近期，美國半導體公司Wolfspeed宣布暫停在德國恩斯多夫(Ensdorf)建設碳化硅(SiC)晶圓廠的計劃，此舉引發了業界的廣泛關注。Wolfspeed的決定恰逢英特爾也因營運危機而擱置馬格德堡建廠案，進一步凸顯了當前德國半導體產業面臨的投資挑戰。Wolfspeed原計劃在德國投資30億歐元，旨在增強其在碳化硅材料領域的生產能力，以滿足電動車和新能源行業

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• 2024年全球硅晶圓市場回暖：SEMI預測出貨量將穩步增長2024-10-24 11:13

  

  近日，半導體行業協會(SEMI)發布了其最新的年度硅晶圓出貨量預測報告，展現出全球硅晶圓市場的積極信號。報告指出，經歷了去年的14.3%跌幅后，今年全球硅晶圓出貨量的下跌幅度將顯著收窄，僅下降2.4%。這一趨勢不僅反映出市場的恢復力，還顯示出在人工智能(AI)和先進制程等領域的強勁需求。硅晶圓作為大多數半導體產品的基礎構建材料，扮演著至關重要的角色。半導體本

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• BiGaN開關在廣泛電源管理中的應用2024-10-24 11:11

  

  保護USB端口、為來自不同源的設備切換電路、以及高側負載開關免受浪涌影響，都依賴于雙向電壓阻斷和電流導通。到目前為止，設計人員只能使用兩個N型MOSFET以背靠背的方式連接在共同源極配置中來實現這一目的。這種方法涉及兩個組件，并因導通電阻(RDS(on))、安全工作區(SOA)及其他特性而受到限制(見圖1)。雙向氮化鎵(BiGaN)開關是一種創新的解決方案，

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• 中國新能源汽車與光伏市場推動SiC襯底價格劇烈波動2024-10-23 11:37

  

  2024年，中國新能源汽車和光伏市場的快速發展引發了SiC(碳化硅)襯底價格的顯著下跌。今年，SiC襯底的價格已下降近30%，并預計到2024年中期將降至500美元以下。這一變化不僅影響了相關制造商的財務狀況，也反映出行業內潛在的供需矛盾。SiC襯底作為半導體行業的重要材料，其成本占整個生產鏈的70%，其中襯底本身幾乎占據了50%的成本比重。這意味著SiC襯

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• 如何通過高壓SiC電池斷開開關提升電氣系統的可靠性與效率2024-10-23 11:35

  

  電氣系統的直流母線電壓在400伏特或更高，由單相或三相電網電源或能量存儲系統(ESS)供電，可以通過固態電路保護提高其可靠性和韌性。在設計高壓固態電池斷開開關時，需要考慮多個基本設計決策。關鍵因素包括半導體技術、器件類型、熱包裝、器件的穩健性，以及在電路中斷時管理感應能量。本文將討論在選擇高壓高電流電池斷開開關的功率半導體技術和定義半導體封裝時的設計考慮，以

  SiC 電氣系統 電池 563瀏覽量

• 光伏模塊技術：選擇合適的太陽能電池板2024-10-22 11:38

  

  太陽能是最豐富的能源來源。太陽輻射如果得到合理利用，可以作為水加熱器或照明系統使用。1983年，貝爾實驗室成功地利用光伏模塊將太陽輻射轉化為電能。從那時起，許多公司和研究人員開始開發這項技術，以更有效地利用太陽能。選擇太陽能電池板：硅的優缺點光伏電池包含摻雜硅，這是一種吸光半導體。因此，電池類型是選擇太陽能電池板時的主要考慮因素。目前主要有三種類型的硅電池：

  光伏模塊 太陽能 電池板 1909瀏覽量

• 英飛凌攜手聯發科技打造先進汽車座艙解決方案2024-10-21 12:01

  

  近日，英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)宣布與聯發科技(MediaTek)及其他合作伙伴共同研發了一款基于英飛凌TRAVEOCYT4DN微控制器和聯發科技DimensityAutoSoC的創新解決方案。這一合作旨在提升現代汽車的安全性和智能化水平，為汽車制造商提供更為高效和可靠的技術支持。在此次方案中，英飛凌的CYT4DN微控制器作為

  座艙 聯發科技 英飛凌 621瀏覽量

• 如何通過霍爾效應測量半導體中電子和空穴的遷移率?2024-10-21 12:00

  

  在半導體中，除了能帶寬度外，一個重要的物理量是電荷載流子(電子和空穴)的遷移率。在本教程中，我們將研究霍爾效應，這使我們能夠實驗性地確定半導體中的這一物理量。電荷載流子遷移率在本篇文章中，我們將采用在早期期刊中探討的德魯德-洛倫茲框架。我們回顧一下，這一模型完全基于經典力學。唯一的“外部”成分是電子的有效質量m∗;這是一種數學手段，使我們能夠將電子視為不受力

  半導體 測量 霍爾效應 1829瀏覽量

• 宇宙輻射如何影響半導體功率器件的故障率?2024-10-18 10:50

  

  能量粒子以多種方式影響半導體芯片，例如存儲器、處理器以及模擬和電源設備。器件的故障率取決于其所暴露的輻射量，這不僅是空間應用中至關重要的因素，在地面電源轉換器設計中也同樣重要。本文討論了宇宙輻射對宇宙設備故障率的主要影響因素。半導體器件的故障率“浴缸曲線”通常用于圖示半導體器件的使用壽命。這一曲線呈現了故障率與時間的關系，其中包括一個初始的高故障率階段，稱為

  功率器件 半導體 輻射 769瀏覽量