女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、觸控驅(qū)動(dòng)、MCU等硬件知識(shí),行業(yè)應(yīng)用和解決方案,以及電子相關(guān)的行業(yè)資訊。

627 內(nèi)容數(shù) 92w+ 瀏覽量 16 粉絲

深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 浮思特 | MOSFET技術(shù)發(fā)展掀起汽車電力電子行業(yè)的新潮流2024-11-04 11:51

    隨著汽車系統(tǒng)日益先進(jìn),對(duì)能夠在更小、更高效設(shè)計(jì)中提供更高性能的組件的需求也在不斷增加。電動(dòng)機(jī)和先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等應(yīng)用需要可靠的電源管理解決方案,以減少熱量和功率損失。半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,特別是MOSFET的進(jìn)展,是滿足汽車電力電子行業(yè)不斷演變需求的核心要素。行業(yè)內(nèi)已經(jīng)取得了多項(xiàng)突破,使得MOSFET在功率密度、效率和成本上都有所提升。Nexperi
    MOSFET 汽車 電力電子 407瀏覽量
  • 固態(tài)電池技術(shù)能否為電動(dòng)汽車帶來更安全、更持久的未來?2024-11-01 11:03

    隨著電動(dòng)汽車的普及,目前鋰離子電池技術(shù)的局限性變得越來越明顯。續(xù)航里程有限、充電時(shí)間慢以及對(duì)電池安全性,特別是火災(zāi)風(fēng)險(xiǎn)的擔(dān)憂,推動(dòng)了對(duì)替代電池技術(shù)的研究。固態(tài)電池因其更高的能量密度和改善的安全性,成為解決這些挑戰(zhàn)的有前景的方案。用固體電解質(zhì)替代液體電解質(zhì),使這些電池能夠在更高的電壓下工作,并降低與鋰離子電池相關(guān)的安全風(fēng)險(xiǎn)。電動(dòng)汽車用固態(tài)電池麥吉爾大學(xué)的研究人
  • SiC市場(chǎng)迎來快速增長(zhǎng),新廠商數(shù)量大幅增加!2024-11-01 11:01

    近年來,碳化硅(SiC)市場(chǎng)經(jīng)歷了顯著的增長(zhǎng),主要受到汽車電氣化及充電系統(tǒng)普及的推動(dòng)。作為一種新興的半導(dǎo)體材料,碳化硅以其優(yōu)越的性能逐漸取代傳統(tǒng)的硅器件,尤其在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中展現(xiàn)出巨大的優(yōu)勢(shì)。碳化硅器件,如MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管),在運(yùn)行過程中能夠有效降低熱量損耗,從而提高能效。這一特性使得SiC器件在電動(dòng)汽車和可再生能源系統(tǒng)中越來越受到青睞。隨著全球?qū)?
  • 探索高效能電力解決方案——特瑞諾TGH80N65F2DS IGBT單管2024-10-31 11:26

    在當(dāng)今科技迅速發(fā)展的時(shí)代,電力電子技術(shù)正扮演著越來越重要的角色。如何提高電力設(shè)備的效率和可靠性,成為了眾多工程師和設(shè)計(jì)師們關(guān)注的焦點(diǎn)。而特瑞諾(trinno)全新推出的TGH80N65F2DSIGBT單管,正是為滿足這一需求而生。TGH80N65F2DS是一款具有650V和80A額定值的IGBT單管,采用了TO-247封裝,結(jié)合了先進(jìn)的細(xì)溝槽柵極場(chǎng)截止(FS
    IGBT 單管 電力 652瀏覽量
  • 德州儀器正式投產(chǎn)氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,展現(xiàn)自有制造能力新高度2024-10-30 11:59

    德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會(huì)津的工廠正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,此舉標(biāo)志著該公司在GaN半導(dǎo)體自有制造能力上的前所未有的四倍增長(zhǎng)。這一進(jìn)展不僅強(qiáng)化了TI在半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力,也為新一代電子產(chǎn)品的高效能提供了有力的支持。氮化鎵作為硅(Si)的替代材料,因其在能源效率和功率密度方面的顯著優(yōu)勢(shì)而受到越來
  • 被動(dòng)元件:電阻器、電感器和電容器如何在電路中發(fā)揮作用?2024-10-30 11:57

    在電路中使用三種類型的被動(dòng)元件:電阻器、電感器和電容器。被動(dòng)元件意味著這些元件在電壓或電流波動(dòng)時(shí),其行為變化較小。其他元件被稱為有源元件,對(duì)電壓和電流的反應(yīng)是非線性的。二極管、晶體管和熱電子閥是有源元件的例子。電阻器、電感器和電容器根據(jù)用途有不同的樣式和類型。電阻器電阻器阻礙電流的流動(dòng),更具體地說,阻礙電流的流動(dòng)。在此過程中,電阻器會(huì)導(dǎo)致電壓下降并散發(fā)熱量。
  • 意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代STPower硅碳化物MOSFET技術(shù)2024-10-29 10:54

    意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技術(shù),標(biāo)志著在高效能和高功率密度領(lǐng)域的又一重大進(jìn)展。新一代MOSFET不僅在電動(dòng)汽車中具有廣泛應(yīng)用潛力,也適用于各類高壓和高功率密度的工業(yè)應(yīng)用。新發(fā)布的MOSFET特別針對(duì)電動(dòng)汽車的牽引逆變器,這是電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中不可或缺的部分,負(fù)責(zé)將電池組中的
    MOSFET SiC 半導(dǎo)體 788瀏覽量
  • 為什么WBG材料是5G系統(tǒng)未來發(fā)展的關(guān)鍵?2024-10-29 10:52

    電力半導(dǎo)體正在顯著影響下一代網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料在電信系統(tǒng)中的集成正在成為支持和增強(qiáng)5G基礎(chǔ)設(shè)施的戰(zhàn)略解決方案。在連接性方面,WBG半導(dǎo)體相較于傳統(tǒng)硅設(shè)備具有顯著優(yōu)勢(shì),使其成為先進(jìn)電信環(huán)境中理想的應(yīng)用材料。隨著時(shí)間推移,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在5G基礎(chǔ)設(shè)施中的重要性不斷上升,這得益于這些材料固有的技術(shù)特性,以及在能源效率和熱管理
    5G SiC 半導(dǎo)體 593瀏覽量
  • 全球成熟制程晶圓代工產(chǎn)能預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)6%2024-10-28 11:27

    根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新調(diào)研,預(yù)計(jì)到2025年,全球成熟制程的晶圓代工產(chǎn)能將增長(zhǎng)6%。這一數(shù)據(jù)不僅反映了當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)的趨勢(shì),也揭示了先進(jìn)制程與成熟制程之間的明顯需求分化。隨著人工智能、5G和高性能計(jì)算等新興技術(shù)的迅速發(fā)展,半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷重要的轉(zhuǎn)型。在先進(jìn)制程領(lǐng)域,5/4nm和3nm技術(shù)的需求持續(xù)旺盛。AI服務(wù)器、高性能計(jì)算(HPC)芯片以
  • 高壓電池?cái)嚅_開關(guān)的未來:氮化鎵技術(shù)能否解決關(guān)鍵挑戰(zhàn)?2024-10-28 11:25

    目前市場(chǎng)上的電動(dòng)車使用的是400V和800V的電池,標(biāo)稱電流超過200安培。如果這些高壓和高電流連接到車身或任何導(dǎo)電部件上,可能會(huì)導(dǎo)致致命風(fēng)險(xiǎn)。為了防止這種情況的發(fā)生,制造商采用高壓高電流直流接觸器繼電器,將電池的正負(fù)極與高壓電路網(wǎng)斷開,如圖1所示。圖1繼電器的挑戰(zhàn)如果使用繼電器為并聯(lián)于逆變器的直流鏈路電容充電,則需要預(yù)充電電路,該電路的涌入電流取決于電容的