文章
-
浮思特 | MOSFET技術(shù)發(fā)展掀起汽車電力電子行業(yè)的新潮流2024-11-04 11:51
隨著汽車系統(tǒng)日益先進(jìn),對(duì)能夠在更小、更高效設(shè)計(jì)中提供更高性能的組件的需求也在不斷增加。電動(dòng)機(jī)和先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等應(yīng)用需要可靠的電源管理解決方案,以減少熱量和功率損失。半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,特別是MOSFET的進(jìn)展,是滿足汽車電力電子行業(yè)不斷演變需求的核心要素。行業(yè)內(nèi)已經(jīng)取得了多項(xiàng)突破,使得MOSFET在功率密度、效率和成本上都有所提升。Nexperi -
固態(tài)電池技術(shù)能否為電動(dòng)汽車帶來更安全、更持久的未來?2024-11-01 11:03
隨著電動(dòng)汽車的普及,目前鋰離子電池技術(shù)的局限性變得越來越明顯。續(xù)航里程有限、充電時(shí)間慢以及對(duì)電池安全性,特別是火災(zāi)風(fēng)險(xiǎn)的擔(dān)憂,推動(dòng)了對(duì)替代電池技術(shù)的研究。固態(tài)電池因其更高的能量密度和改善的安全性,成為解決這些挑戰(zhàn)的有前景的方案。用固體電解質(zhì)替代液體電解質(zhì),使這些電池能夠在更高的電壓下工作,并降低與鋰離子電池相關(guān)的安全風(fēng)險(xiǎn)。電動(dòng)汽車用固態(tài)電池麥吉爾大學(xué)的研究人 -
SiC市場(chǎng)迎來快速增長(zhǎng),新廠商數(shù)量大幅增加!2024-11-01 11:01
近年來,碳化硅(SiC)市場(chǎng)經(jīng)歷了顯著的增長(zhǎng),主要受到汽車電氣化及充電系統(tǒng)普及的推動(dòng)。作為一種新興的半導(dǎo)體材料,碳化硅以其優(yōu)越的性能逐漸取代傳統(tǒng)的硅器件,尤其在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中展現(xiàn)出巨大的優(yōu)勢(shì)。碳化硅器件,如MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管),在運(yùn)行過程中能夠有效降低熱量損耗,從而提高能效。這一特性使得SiC器件在電動(dòng)汽車和可再生能源系統(tǒng)中越來越受到青睞。隨著全球?qū)? -
探索高效能電力解決方案——特瑞諾TGH80N65F2DS IGBT單管2024-10-31 11:26
-
德州儀器正式投產(chǎn)氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,展現(xiàn)自有制造能力新高度2024-10-30 11:59
德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會(huì)津的工廠正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,此舉標(biāo)志著該公司在GaN半導(dǎo)體自有制造能力上的前所未有的四倍增長(zhǎng)。這一進(jìn)展不僅強(qiáng)化了TI在半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力,也為新一代電子產(chǎn)品的高效能提供了有力的支持。氮化鎵作為硅(Si)的替代材料,因其在能源效率和功率密度方面的顯著優(yōu)勢(shì)而受到越來 -
被動(dòng)元件:電阻器、電感器和電容器如何在電路中發(fā)揮作用?2024-10-30 11:57
在電路中使用三種類型的被動(dòng)元件:電阻器、電感器和電容器。被動(dòng)元件意味著這些元件在電壓或電流波動(dòng)時(shí),其行為變化較小。其他元件被稱為有源元件,對(duì)電壓和電流的反應(yīng)是非線性的。二極管、晶體管和熱電子閥是有源元件的例子。電阻器、電感器和電容器根據(jù)用途有不同的樣式和類型。電阻器電阻器阻礙電流的流動(dòng),更具體地說,阻礙電流的流動(dòng)。在此過程中,電阻器會(huì)導(dǎo)致電壓下降并散發(fā)熱量。 -
意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代STPower硅碳化物MOSFET技術(shù)2024-10-29 10:54
-
為什么WBG材料是5G系統(tǒng)未來發(fā)展的關(guān)鍵?2024-10-29 10:52
電力半導(dǎo)體正在顯著影響下一代網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料在電信系統(tǒng)中的集成正在成為支持和增強(qiáng)5G基礎(chǔ)設(shè)施的戰(zhàn)略解決方案。在連接性方面,WBG半導(dǎo)體相較于傳統(tǒng)硅設(shè)備具有顯著優(yōu)勢(shì),使其成為先進(jìn)電信環(huán)境中理想的應(yīng)用材料。隨著時(shí)間推移,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在5G基礎(chǔ)設(shè)施中的重要性不斷上升,這得益于這些材料固有的技術(shù)特性,以及在能源效率和熱管理 -
全球成熟制程晶圓代工產(chǎn)能預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)6%2024-10-28 11:27
根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新調(diào)研,預(yù)計(jì)到2025年,全球成熟制程的晶圓代工產(chǎn)能將增長(zhǎng)6%。這一數(shù)據(jù)不僅反映了當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)的趨勢(shì),也揭示了先進(jìn)制程與成熟制程之間的明顯需求分化。隨著人工智能、5G和高性能計(jì)算等新興技術(shù)的迅速發(fā)展,半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷重要的轉(zhuǎn)型。在先進(jìn)制程領(lǐng)域,5/4nm和3nm技術(shù)的需求持續(xù)旺盛。AI服務(wù)器、高性能計(jì)算(HPC)芯片以 -
高壓電池?cái)嚅_開關(guān)的未來:氮化鎵技術(shù)能否解決關(guān)鍵挑戰(zhàn)?2024-10-28 11:25