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      標(biāo)簽　>　FET

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      FET簡介

      　　場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件

      FET百科

      　　場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

      　　FET電路工作原理

      　　一般在網(wǎng)上只有三極管放大電路的原理，而FET的工作原理很少提及，現(xiàn)在我簡單地分析一下它的放大原理：電路中柵極的直流電位VG是電源電壓VDD被偏壓電阻R3和R2分壓后的電位，即：VG=R2/（R1+R2）*VDD。這與三極管發(fā)射極接地的放大電路基極直流電位相同。但是由于雙極型晶體管中有基極電流流動，所以實(shí)際基極電位要比電源被R2和R3分壓要低一些（晶體管是電流控制電流，F(xiàn)ET是電壓控制電流）。但對于FET，由于柵極沒有電流流過，所以實(shí)際的柵極電位就是分壓公式所求得的值。源極的直流電位VS比VG高出柵極源極間電壓VGS的值，即： VS=VG+VGS 實(shí)際上，VGS是以源極為基準(zhǔn)的，像N溝JFET那樣，當(dāng)源極電位比柵極高應(yīng)該給VGS置以負(fù)號。因此，VS等于將VGS加到VG上時(shí)，就成為： VS=VG-VGS 雙極晶體管VBE=0.6V或者0.7V，是能夠相互置換的。但是對于FET來說，當(dāng)器件型號和工作點(diǎn)（ID）不同時(shí)，VGS的值是不同的。流過源極的直流電流Is可以由下式求得： Is=VS/RS=（VG-VGS）/RS 漏極的直流電位VD是從電源電壓VDD減去RD上的電壓降的部分。如果漏極電流的直流成分為ID，則有： VD=VDD-ID*RD 由于FET的柵極上沒有電流流過，ID=IS，所以上式也可以寫成： VD=VDD-Is*RD 下面來求它的交流放大倍數(shù)。

      FET電路

      　　由輸入Vi引起的源極電流表的交流變化量#is為： #is=vi/RS 高漏極電流的交流變化量為#id，那么可以認(rèn)為vd的交流變化量#vd就是#id在漏極電阻RD上的電壓降，即： #vd=#id*RD 又因?yàn)槁O電流和源極電流相等，所以#vd為： #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外，交流輸出電壓vo是被輸出電容C2隔斷VD的直流成分后的成分，也就是vd的交流成分#vd，即： Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不難求得：交流放大倍數(shù)Av為： Av=vo/vi=RD/RS

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      fet知識

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      fet技術(shù)

      TPS542021 4.5V 至 30V 輸入、2A、500kHz 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

      TPS542021 4.5V 至 30V 輸入、2A、500kHz 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

      TPS54202x 是一款 4.5V 至 30V 輸入電壓范圍、2A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件包括兩個(gè)集成開關(guān) FET、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償和 5ms 內(nèi)部軟啟動...

      2025-05-28 標(biāo)簽：元件FET輸入電壓 140 0

      TPS561300 4.5V 至 30V 輸入、1A、1.2MHz 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

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      2025-05-28 標(biāo)簽：封裝軟啟動FET 138 0

      TPS542025 4.5V 至 30V 輸入、2A、500kHz 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

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      2025-05-28 標(biāo)簽：FET輸入電壓同步降壓轉(zhuǎn)換器 148 0

      Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊

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      Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅(qū)動所有N溝道同步氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）功率級，輸出電壓高達(dá)100V。高性能...

      2025-05-27 標(biāo)簽：FETN溝道GaN 113 0

      UC1710系列 具有 5V UVLO 和分離地的 6A/6A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

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      2025-05-22 標(biāo)簽：驅(qū)動器封裝UVLO 187 0

      UC2710系列 具有 5V UVLO、分離接地和 6A 峰值輸出電流的 6A/6A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

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      2025-05-22 標(biāo)簽：驅(qū)動器電源電壓FET 171 0

      TPIC46L01 1.2mA/1.2mA 6 通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

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      TPIC46L01、TPIC46L02 和 TPIC46L03 是低側(cè)預(yù)驅(qū)動器，提供串行輸入接口和 并行輸入接口，用于控制 6 個(gè)外部場效應(yīng)晶體管 （F...

      2025-05-22 標(biāo)簽：輸入接口電源開關(guān)FET 173 0

      TPIC44H01 具有故障模式選擇的 1.2mA/1.2mA 4 通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

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      TPIC44H01 是一款四通道高側(cè)預(yù) FET 驅(qū)動器，提供串行或并行輸入接口來控制四個(gè)外部 NMOS 功率 FET。它設(shè)計(jì)用于電阻或電感負(fù)載的低頻開關(guān)...

      2025-05-22 標(biāo)簽：NMOS串行接口FET 147 0

      TPS2837 具有 TTL 輸入的 2.4A、28V 半橋柵極驅(qū)動器，用于反相同步降壓數(shù)據(jù)手冊

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      TPS2836 和 TPS2837 是用于同步降壓功率級的 MOSFET 驅(qū)動器。這些器件非常適合使用沒有 MOSFET 驅(qū)動器的開關(guān)控制器設(shè)計(jì)高性能電...

      2025-05-22 標(biāo)簽：控制電路FETMOSFET驅(qū)動器 161 0

      MAX14922帶限流功能的高端開關(guān)控制器技術(shù)手冊

      MAX14922帶限流功能的高端開關(guān)控制器技術(shù)手冊

      概述 MAX14922是一款高側(cè)、n溝道FET控制器，用于實(shí)現(xiàn)工業(yè)高側(cè)開關(guān)，以進(jìn)行接地負(fù)載開關(guān)操作。MAX14922器件控制一個(gè)外部nMOS功率晶體管，...

      2025-05-21 標(biāo)簽：控制器FETN溝道 91 0

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      fet資訊

      Nexperia擴(kuò)展E-mode GaN FET產(chǎn)品組合

      Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓...

      2025-03-19 標(biāo)簽：FETGaNNexperia 603 0

      一文解析現(xiàn)代場效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)

      一文解析現(xiàn)代場效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)

      朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場效應(yīng)晶體管（FET）直到1945年才出現(xiàn)，但這個(gè)想...

      2025-01-23 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管 528 0

      先進(jìn)制程面臨哪些挑戰(zhàn)

      在2024年底剛開過IEDM的主題演講（keynote speech），二維場效電晶體（2D Field Effect Transistor；2D FE...

      2025-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體FET先進(jìn)制程 565 0

      安世半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎

      在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會上，行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳，共同探討行業(yè)趨勢，深化交流合作。安世半導(dǎo)體作為其中的重要一員，...

      2024-12-17 標(biāo)簽：場效應(yīng)管FETGaN 763 0

      MS8258D——高增益帶寬積 FET 輸入放大器

      MS8258D——高增益帶寬積 FET 輸入放大器

      MS8258D 是一款具有 CMOS 輸入的低噪聲運(yùn)算放大器，適用于寬帶跨阻和電壓放大器應(yīng)用。提供方案和FAE支持，歡迎了解

      2024-11-28 標(biāo)簽：CMOSFET輸出放大器 863 0

      利用碲化汞（HgTe）膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長達(dá)18 μm的光探測

      利用碲化汞（HgTe）膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長達(dá)18 μm的光探測

      膠體量子點(diǎn)（CQD）憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外（UV）到紅外（IR）波段的寬帶隙可調(diào)諧性，因而在光電子器件中備受關(guān)注。

      2024-04-23 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管光電子器件 2204 0

      利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測器

      利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測器

      碲化汞（HgTe）納米晶體具有可調(diào)諧紅外吸收光譜、溶液可加工性、低制造成本以及易與硅基電路集成等特點(diǎn)。

      2024-04-07 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管紅外探測器 1036 0

      Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列

      Nexperia（安世半導(dǎo)體）再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍，可用于多個(gè)終端市場...

      2024-02-29 標(biāo)簽：繼電器MOSFETFET 929 0

      OVP可調(diào)過壓過流保護(hù)芯片集成功率FET開關(guān)

      OVP可調(diào)過壓過流保護(hù)芯片集成功率FET開關(guān)

      概述： PC9094過電壓和過電流保護(hù)該器件具有低80mΩ（TYP）導(dǎo)通電阻集成MOSFET，主動保護(hù)低電壓 系統(tǒng)的電壓供應(yīng)故障高達(dá)+29V直流電。輸入...

      2023-12-29 標(biāo)簽：芯片過流保護(hù)FET 1433 0

      針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

      GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應(yīng)管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù)，開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...

      2023-12-24 標(biāo)簽：場效應(yīng)管FET氮化鎵 1012 0

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      fet數(shù)據(jù)手冊

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        快充技術(shù)
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      • 尼吉康
        尼吉康
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      • trinamic
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        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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      • Pebble
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        +關(guān)注
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        　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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        A4WP
        +關(guān)注
        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
      • MAX660
        MAX660
        +關(guān)注
        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
      • 智能變電站
        智能變電站
        +關(guān)注
        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
      • USB PD
        USB PD
        +關(guān)注
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        光伏并網(wǎng)逆變器
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      • 浪涌抑制器
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        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
      • USB-PD
        USB-PD
        +關(guān)注
      • PWM信號
        PWM信號
        +關(guān)注
        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
      • 醫(yī)療電源
        醫(yī)療電源
        +關(guān)注
      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
        DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
        +關(guān)注
      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級 、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
      • LT8705
        LT8705
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