女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

用于切割晶圓 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

jf_18672672 ? 來源:jf_18672672 ? 作者:jf_18672672 ? 2025-05-21 11:00 ? 次閱讀

摘要:本文針對晶圓切割過程中 TTV(總厚度偏差)控制難題,提出一種用于切割晶圓 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)。詳細(xì)介紹該機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計、工作原理及其在控制 TTV 方面的技術(shù)優(yōu)勢,為提升晶圓切割質(zhì)量提供新的設(shè)備方案 。

關(guān)鍵詞:晶圓切割;TTV 控制;硅棒安裝機(jī)構(gòu);結(jié)構(gòu)設(shè)計

一、引言

晶圓制造過程中,切割環(huán)節(jié)對晶圓 TTV 有著重要影響。精確控制晶圓 TTV 是保障芯片性能和良品率的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)硅棒安裝方式在切割過程中,因硅棒固定不穩(wěn)定、定位精度低等問題,易導(dǎo)致晶圓切割后 TTV 超差。因此,設(shè)計一種高效可靠的用于切割晶圓 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)具有重要意義 。

二、硅棒安裝機(jī)構(gòu)設(shè)計

2.1 機(jī)構(gòu)整體結(jié)構(gòu)

該硅棒安裝機(jī)構(gòu)主要由基座、定位組件、夾緊組件和微調(diào)組件構(gòu)成。基座為整個機(jī)構(gòu)提供穩(wěn)定支撐,采用高強度、高剛性材料制作,減少外界振動對硅棒安裝的影響。定位組件包括多個定位銷和定位槽,通過精密配合實現(xiàn)硅棒的精準(zhǔn)定位;夾緊組件采用氣動或液壓驅(qū)動方式,可快速且穩(wěn)定地夾緊硅棒,確保切割過程中硅棒不會發(fā)生位移;微調(diào)組件則由高精度的絲桿螺母副和傳感器組成,能夠?qū)璋舻陌惭b位置進(jìn)行微小調(diào)整,以達(dá)到最佳的切割姿態(tài) 。

2.2 工作原理

在安裝硅棒時,先將硅棒放置在定位組件的定位槽內(nèi),通過定位銷實現(xiàn)初步定位。隨后,夾緊組件啟動,對硅棒進(jìn)行夾緊固定。在切割前,微調(diào)組件根據(jù)預(yù)設(shè)的參數(shù)和傳感器反饋的信息,對硅棒的位置進(jìn)行微調(diào),使硅棒處于理想的切割位置。在切割過程中,夾緊組件持續(xù)保持對硅棒的夾緊力,定位組件和微調(diào)組件協(xié)同工作,實時監(jiān)測并補償硅棒可能出現(xiàn)的微小位移或姿態(tài)變化,從而有效控制晶圓切割過程中的 TTV 。

2.3 關(guān)鍵技術(shù)要點

硅棒安裝機(jī)構(gòu)的關(guān)鍵在于高精度定位和穩(wěn)定夾緊。定位組件的定位精度需達(dá)到微米級,以保證硅棒安裝位置的準(zhǔn)確性;夾緊組件的夾緊力要根據(jù)硅棒的材質(zhì)和尺寸進(jìn)行合理調(diào)節(jié),既不能因夾緊力過大導(dǎo)致硅棒損傷,也不能因夾緊力過小使硅棒在切割時發(fā)生位移。此外,微調(diào)組件的控制算法需要精確高效,能夠快速響應(yīng)并處理硅棒位置的變化信息 。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)

高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學(xué)相干層析成像原理,可解決晶圓/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,總厚度偏差)、BOW(彎曲度)、WARP(翹曲度),TIR(Total Indicated Reading 總局部厚度偏差)等這類技術(shù)指標(biāo)。

wKgZO2goVfCAHbt2AAvgRoheCYc339.png

wKgZPGgoVfCAEOS1AAZ2_3y_0wY972.pngwKgZO2goU4GAfKeZAAfMK22aQ5s010.png

高通量晶圓測厚系統(tǒng),全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù),相比傳統(tǒng)上下雙探頭對射掃描方式;可一次性測量所有平面度及厚度參數(shù)。

wKgZPGgoU4GAcqFbAAMORibJMwk182.png

1,靈活適用更復(fù)雜的材料,從輕摻到重?fù)?P 型硅 (P++),碳化硅,藍(lán)寶石,玻璃,鈮酸鋰等晶圓材料。

wKgZPGgoU4GAD2DdAACW3OHpaP8871.png

重?fù)叫凸瑁◤娢站A的前后表面探測)

wKgZO2goU4GAYvGOAAEs0Fpb4uI502.png

粗糙的晶圓表面,(點掃描的第三代掃頻激光,相比靠光譜探測方案,不易受到光譜中相鄰單位的串?dāng)_噪聲影響,因而對測量粗糙表面晶圓)

wKgZPGgohSKAFIROAABihPzD1sA361.png

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3);(通過對偏振效應(yīng)的補償,加強對低反射晶圓表面測量的信噪比)

wKgZO2goU4GAXyE6AADRmXH_hys314.png

絕緣體上硅(SOI)和MEMS,可同時測量多 層 結(jié) 構(gòu),厚 度 可 從μm級到數(shù)百μm 級不等。

wKgZO2goU4GABCPMAABnZWLru6E799.png

可用于測量各類薄膜厚度,厚度最薄可低至 4 μm ,精度可達(dá)1nm。

可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力,體現(xiàn)在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強,充分提高重復(fù)性測量能力。

wKgZPGgsUIaAINdfAAcxCTDIFmI838.png

4,采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器,一改過去傳統(tǒng)SLD寬頻低相干光源的干涉模式,解決了由于相干長度短,而重度依賴“主動式減震平臺”的情況。卓越的抗干擾,實現(xiàn)小型化設(shè)計,同時也可兼容匹配EFEM系統(tǒng)實現(xiàn)產(chǎn)線自動化集成測量。

5,靈活的運動控制方式,可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    5118

    瀏覽量

    129160
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    MICRO OLED 金屬陽極像素制作工藝對 TTV 厚度的影響機(jī)制及測量優(yōu)化

    引言 在 MICRO OLED 的制造進(jìn)程中,金屬陽極像素制作工藝舉足輕重,其對總厚度偏差(TTV)厚度存在著復(fù)雜的影響機(jī)制。
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:43 ?52次閱讀
    MICRO OLED 金屬陽極像素制作工藝對<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>TTV</b> 厚度的影響機(jī)制及測量優(yōu)化

    提高鍵合 TTV 質(zhì)量的方法

    關(guān)鍵詞:鍵合TTV 質(zhì)量;預(yù)處理;鍵合工藝;檢測機(jī)制 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,鍵合
    的頭像 發(fā)表于 05-26 09:24 ?98次閱讀
    提高鍵合<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>TTV</b> 質(zhì)量的方法

    激光退火后, TTV 變化管控

    摘要:本文針對激光退火后總厚度偏差(TTV)變化的問題,深入探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)、預(yù)處理以及檢測反饋機(jī)制等方面,提出一系列有
    的頭像 發(fā)表于 05-23 09:42 ?107次閱讀
    激光退火后,<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>TTV</b> 變化管控

    優(yōu)化濕法腐蝕后 TTV 管控

    摘要:本文針對濕法腐蝕工藝后總厚度偏差(TTV)的管控問題,探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測反饋機(jī)制完善等方面入手,提出一系列優(yōu)化方法,以有效降低濕法腐蝕后
    的頭像 發(fā)表于 05-22 10:05 ?82次閱讀
    優(yōu)化濕法腐蝕后<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>TTV</b> 管控

    利用 Bow 與 TTV 差值于再生制作超平坦芯片的方法

    摘要:本文介紹了一種利用 Bow 與 TTV 差值在再生上制作超平坦芯片的方法。通過對再生 Bow 值與
    的頭像 發(fā)表于 05-21 18:09 ?155次閱讀
    利用 Bow 與 <b class='flag-5'>TTV</b> 差值于再生<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>制作超平坦芯片的方法

    降低 TTV 的磨片加工方法

    摘要:本文聚焦于降低 TTV(總厚度偏差)的磨片加工方法,通過對磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進(jìn),有效控制
    的頭像 發(fā)表于 05-20 17:51 ?173次閱讀
    降低<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>TTV</b> 的磨片加工方法

    高精度劃片機(jī)切割解決方案

    高精度劃片機(jī)切割解決方案為實現(xiàn)高精度切割,需從設(shè)備精度、工藝穩(wěn)定性、智能化
    的頭像 發(fā)表于 03-11 17:27 ?307次閱讀
    高精度<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>劃片機(jī)<b class='flag-5'>切割</b>解決方案

    切割液潤濕劑用哪種類型?

    解鎖切割液新活力 ——[麥爾化工] 潤濕劑 切割液中,潤濕劑對
    發(fā)表于 02-07 10:06

    超薄的發(fā)展歷程與未來展望!

    是半導(dǎo)體制造中的基礎(chǔ)材料,主要用于生產(chǎn)各種電子元件,如晶體管、二極管和集成電路。它是通過將高純度的熔化后冷卻成單晶體結(jié)構(gòu),然后
    的頭像 發(fā)表于 12-26 11:05 ?757次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的發(fā)展歷程與未來展望!

    用于切割碳化硅襯底TTV控制安裝機(jī)構(gòu)

    的加工過程中,TTV控制是至關(guān)重要的一環(huán)。 二、安裝機(jī)構(gòu)的設(shè)計原理 為了有效控制碳化硅襯底
    的頭像 發(fā)表于 12-26 09:51 ?465次閱讀
    <b class='flag-5'>用于</b><b class='flag-5'>切割</b>碳化硅襯底<b class='flag-5'>TTV</b><b class='flag-5'>控制</b>的<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>棒</b><b class='flag-5'>安裝機(jī)構(gòu)</b>

    TTV,BOW,WARP,TIR是什么?

    TTV、BOW、WARP、TIR是評估質(zhì)量和加工精度的重要指標(biāo),以下是它們的詳細(xì)介紹: TT
    的頭像 發(fā)表于 12-17 10:01 ?1970次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的<b class='flag-5'>TTV</b>,BOW,WARP,TIR是什么?

    改善出刀TTV異常的加工方法有哪些?

    改善出刀TTV(Total Thickness Variation,總厚度變化量)異常的加工方法主要包括以下幾種: 一、設(shè)備調(diào)整與優(yōu)化 主軸與承片臺角度調(diào)整 通過設(shè)備自動控制,進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 12-05 16:51 ?595次閱讀
    改善<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>出刀<b class='flag-5'>TTV</b>異常的加工方法有哪些?

    降低TTV的磨片加工有哪些方法?

    高通量測厚系統(tǒng)以光學(xué)相干層析成像原理,可解決/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,總厚度偏差)、BO
    的頭像 發(fā)表于 10-31 17:38 ?548次閱讀
    降低<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>TTV</b>的磨片加工有哪些方法?

    的制備流程

    本文從硅片制備流程為切入點,以方便了解和選擇合適的的制備工藝流程比較復(fù)雜,加工工序
    的頭像 發(fā)表于 10-21 15:22 ?943次閱讀

    碳化硅的區(qū)別是什么

    以下是關(guān)于碳化硅的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?2813次閱讀