該 LMG1205 設計用于在同步降壓、升壓或半橋配置中驅動高壓側和低壓側增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件具有集成的 100V 自舉二極管以及用于高側和低側輸出的獨立輸入，可實現最大的控制靈活性。高壓側偏置電壓使用自舉技術產生，并在內部箝位為 5 V，從而防止柵極電壓超過增強型 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。LMG1205 的輸入與 TTL 邏輯兼容，無論 VDD 電壓如何，都可以承受高達 14 V 的輸入電壓。LMG1205具有分離柵極輸出，可以靈活地獨立調整導通和關斷強度。
*附件：lmg1205.pdf

此外，LMG1205 的強吸收能力將柵極保持在低電平狀態，防止開關期間意外導通。LMG1205 可以工作在幾兆赫茲。LMG1205 采用 12 引腳 DSBGA 封裝，具有緊湊的封裝尺寸和最小的封裝電感。

特性

• 獨立的高側和低側 TTL 邏輯輸入
• 1.2A 峰值拉電流，5A 灌電流
• 高壓側浮動偏置電壓軌可在高達 100 VDC 的電壓下工作
• 內部自舉電源電壓箝位
• 用于可調導通、關斷強度的分離輸出
• 0.6-Ω 下拉電阻，2.1-Ω 上拉電阻
• 快速傳播時間（典型值為 35 ns）
• 出色的傳播延遲匹配（典型值為 1.5 ns）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗

參數

方框圖

概述

LMG是一款由Texas Instruments（TI）生產的0V、.A至5A半橋GaN驅動器，集成了自舉二極管。該驅動器設計用于驅動同步降壓、升壓或半橋配置中的高側和低側增強型GaN FET，提供獨立的TTL邏輯輸入、高側浮動偏置電壓軌、內部自舉電源電壓鉗位以及可調開通和關斷強度的分裂輸出。

主要特性

• ?獨立的高側和低側輸入?：允許最大控制靈活性。
• ?高電流能力?：.A峰值源電流，A沉電流。
• ?高側浮動偏置電壓?：高達VDC。
• ?內部自舉電壓鉗位?：防止柵極電壓超過GaN FET的最大柵源電壓額定值。
• ?分裂輸出?：可調開通和關斷強度。
• ?快速傳播時間?：典型值為5ns。
• ?優秀的傳播延遲匹配?：典型值為1.5ns。
• ?欠壓鎖定保護?：確保供電電壓不足時驅動器的安全操作。
• ?低功耗?：優化設計以降低功耗。

應用領域

• ?電流饋電推挽轉換器?
• ?半橋和全橋轉換器?
• ?同步降壓轉換器?
• ?雙開關正激轉換器?
• ?帶有源鉗位的正激轉換器?

功能描述

輸入與輸出

• ?TTL邏輯兼容輸入?：可承受高達4V的輸入電壓，無論VDD電壓如何。
• ?分裂柵極輸出?：提供HOH、HOL、LOH和LOL四個輸出，允許獨立調整開通和關斷速度。
• ?優化的輸出電阻?：.Ω下拉電阻和2.1Ω上拉電阻，適用于高頻高效操作。

啟動與欠壓鎖定

• ?VDD欠壓鎖定?：當VDD電壓低于閾值時，禁用高側和低側輸出。
• ?自舉電壓欠壓鎖定?：當自舉電壓不足時，僅禁用高側關斷輸出。
• ?遲滯功能?：避免在供電電壓波動時引起的顫動。

自舉負電壓與電壓鉗位

• ?內部鉗位電路?：防止自舉電壓超過V，保護高側GaN FET免受損壞。
• ?負電壓處理?：解決由高側驅動器浮動自舉配置引起的負電壓瞬態問題。

典型應用

LMG適用于需要高頻、高效率和高功率密度的應用，如同步降壓或升壓轉換器。其分裂柵極輸出允許獨立調整開通和關斷速度，以滿足不同應用的需求。

布局指南

• ?最小化環路電感?：將GaN FET盡可能靠近驅動器放置，以減小柵極驅動環路電感。
• ?旁路電容?：在VDD和GND引腳以及HB和HS引腳附近放置低ESR/ESL電容，以支持高速開關時的瞬態電流需求。
• ?熱設計?：考慮驅動器的熱耗散，確保適當的散熱措施。