LM5108 是一款高頻半橋柵極驅動器，最大開關節點 （HS） 額定電壓為 100V。它允許在基于半橋配置的拓撲結構中控制兩個 N 溝道 MOSFET，例如同步降壓、全橋、有源鉗位正激、LLC 和同步升壓。

該器件具有互鎖功能，可防止兩個輸出同時為高電平，當兩個輸入都為高電平時。這種聯鎖功能提高了電機驅動和電動工具應用中的系統穩健性。啟用和禁用功能允許靈活、快速地控制功率級。電池供電的工具還可以使用 LM5108 的使能功能來降低待機電流并響應系統故障。輸入與電源電壓無關，可以具有獨立的脈沖寬度。這允許最大的控制靈活性。inputs 和 enable 都具有足夠的遲滯，以提高系統在易受噪聲影響的應用（如電機驅動）中的穩健性。
*附件：lm5108.pdf

低側和高側輸出在彼此的導通和關斷之間匹配到 1ns。這允許死區時間優化，從而提高效率。5V UVLO 允許驅動器在較低的偏置電源下工作，從而進一步允許功率級在更高的開關頻率下工作，而不會增加開關損耗。VDD 和 HB UVLO 閾值規格的設計方式是，高端和低端驅動器通常都在 5 V 時導通。如果 VDD 和 HB UVLO 閾值相同，則設計人員將需要比 VDD UVLO 閾值更高的偏置電源來接通高端和低端驅動器。

板載自舉二極管無需外部分立二極管，從而提高了電路板空間利用率。小型封裝支持密集的電源設計，例如電動工具。

特性

• 在高側低側配置中驅動兩個 N 溝道 MOSFET
• 采用 3mm x 3mm 封裝
• 聯鎖或交叉傳導保護
• 啟用/禁用功能
• HS 上的絕對最大負電壓處理能力 （–7 V）
• 5V 典型欠壓鎖定
• 20ns 典型傳播延遲
• 11 ns 上升，8 ns 典型下降時間（負載為 1000 pF 時）
• 1ns 典型延遲匹配
• 2.6A 灌電流、1.6A 拉電流輸出電流
• 絕對最大啟動電壓 110 V
• 禁用時電流消耗低 （7μA）
• 集成自舉二極管

參數

方框圖

一、產品概述

LM8是一款高頻半橋門驅動器，能夠驅動兩個N溝道MOSFET，適用于高邊和低邊配置。該產品具備互鎖或交叉傳導保護功能，并提供使能/禁用功能，適用于電機驅動、電源工具以及開關模式電源等應用。

二、主要特性

• ?高電壓能力?：最大開關節點（HS）電壓額定值為0V。
• ?小封裝?：采用mm x mm封裝，適用于高密度功率設計。
• ?保護功能?：集成互鎖功能，防止兩個輸出同時為高電平；具備欠壓鎖定（UVLO）功能。
• ?低延遲?：典型傳播延遲為ns，上升時間為ns，下降時間為8ns。
• ?高驅動電流?：源輸出電流為.A，漏輸出電流為2.6A。
• ?低靜態電流?：禁用時電流消耗僅為7μA。
• ?集成自舉二極管?：消除了對外部離散二極管的需求。

三、應用領域

• 電機驅動和電源工具
• 開關模式電源
• 輔助逆變器

四、功能描述

• ?獨立輸入控制?：兩個輸入信號獨立控制高邊和低邊輸出，允許最大控制靈活性。
• ?互鎖功能?：當兩個輸入均為高電平時，兩個輸出均被關閉，提高系統魯棒性。
• ?使能/禁用功能?：通過使能（EN）引腳可靈活控制電源級。
• ?UVLO功能?：低邊和高邊電源軌均具備欠壓鎖定保護，確保在足夠電源電壓下工作。
• ?匹配延遲?：高邊和低邊輸出之間的開啟和關閉延遲匹配到1ns，優化死區時間，提高效率。

五、典型應用

文檔提供了LM8在同步降壓或半橋配置中驅動N溝道FET的典型應用電路，包括設計要求和詳細設計步驟。設計步驟涵蓋了自舉電容和VDD電容選擇、驅動器功率損耗估計、外部柵極電阻選擇、延遲和脈沖寬度考慮等內容。

六、電源推薦

• 推薦VDD供電電壓范圍為5.5V至6V。
• 需要在VDD和GND之間、HB和HS之間分別連接旁路電容，以支持高峰值電流。

七、布局指南

• ?旁路電容放置?：旁路電容應盡可能靠近相應的電源引腳，以最小化ESL和ESR。
• ?接地設計?：將高峰值電流限制在最小物理區域，以減小環路電感和最小化噪聲。
• ?熱設計?：將熱焊盤連接到大的重銅平面，以改善熱性能。