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LM2104系列 具有 8V UVLO、死區(qū)時間和關(guān)斷功能的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-16 09:58 ? 次閱讀

LM2104 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器,旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。IN 引腳允許該器件用于單個 PWM 輸入應(yīng)用,SD 引腳允許控制器在 SD 引腳為低電平時通過關(guān)閉驅(qū)動器的輸出來禁用驅(qū)動器的輸出,而不管 IN 引腳狀態(tài)如何。
*附件:lm2104.pdf

SH 引腳上的固定死區(qū)時間以及 –1V DC 和 –19.5V 瞬態(tài)負(fù)電壓處理提高了高噪聲應(yīng)用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。LM2104 采用與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局兼容的 8 引腳 SOIC 封裝。低側(cè)和高側(cè)電源軌均提供欠壓鎖定 (UVLO),用于在上電和斷電期間提供保護(hù)。

特性

  • 在半橋配置中驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET
  • GVDD 上的典型欠壓鎖定為 8V
  • BST 上的最大電壓為 107V
  • SH 上的最大絕對負(fù)瞬態(tài)電壓處理電壓為 –19.5V
  • 0.5A/0.8A 峰值拉電流/灌電流
  • 475 ns(典型值)固定內(nèi)部死區(qū)時間
  • 內(nèi)置交叉?zhèn)鲗?dǎo)預(yù)防
  • 115ns 典型傳播延遲
  • 關(guān)斷邏輯輸入引腳 SD
  • 單輸入引腳 IN

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

LM4是一款高電壓半橋驅(qū)動器,專為驅(qū)動兩個N溝道MOSFET設(shè)計,適用于同步降壓或半橋配置。該驅(qū)動器具有V欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)、固定內(nèi)部死區(qū)時間、關(guān)斷邏輯輸入引腳(SD)和單輸入引腳(IN)等特點。

2. 主要特性

  • ?高電壓能力?:支持最高V的BST電壓和-.V的負(fù)瞬態(tài)電壓處理。
  • ?電流驅(qū)動能力?:.A/0.8A的峰值源/沉電流。
  • ?固定死區(qū)時間?:5ns典型固定內(nèi)部死區(qū)時間,防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)。
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:V典型低側(cè)和高側(cè)電源軌欠壓鎖定保護(hù)。
  • ?關(guān)斷邏輯?:SD引腳允許控制器通過拉低該引腳來禁用驅(qū)動器輸出。
  • ?單輸入控制?:IN引腳支持TTL和CMOS輸入閾值,用于單PWM輸入應(yīng)用。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 無刷直流(BLDC電機
  • 永磁同步電機(PMSM)
  • 伺服和步進(jìn)電機驅(qū)動
  • 無線吸塵器
  • 無線園林和電動工具
  • 電動車和電動滑板車
  • 電池測試設(shè)備
  • 離線不間斷電源(UPS)
  • 通用MOSFET或IGBT驅(qū)動器

4. 功能描述

4.1 啟動與UVLO

  • LM在低側(cè)(GVDD)和高側(cè)(BST-SH)電源軌上均包含UVLO保護(hù)電路,確保在電源電壓足夠高以打開外部MOSFET之前,輸出保持低電平。
  • UVLO遲滯功能可防止電源電壓波動時的顫振。

4.2 輸入階段

  • IN引腳接收單個TTL/CMOS兼容的PWM信號,控制兩個輸出(GL和GH)。
  • SD引腳為關(guān)斷控制輸入,當(dāng)SD引腳拉低時,無論IN引腳狀態(tài)如何,GH和GL輸出均關(guān)閉。

4.3 電平移位

  • 內(nèi)置電平移位電路,將GND參考的控制信號轉(zhuǎn)換為高側(cè)驅(qū)動級所需的SH參考信號。

4.4 輸出階段

  • GL和GH輸出級具有高斜率、低電阻和高峰值電流能力,支持高效切換功率MOSFET。
  • 輸出級設(shè)計為低側(cè)(GL)參考GND,高側(cè)(GH)參考SH。

5. 典型應(yīng)用

文檔提供了LM4在半橋轉(zhuǎn)換器中驅(qū)動MOSFET的典型應(yīng)用電路圖,并詳細(xì)討論了設(shè)計要求、設(shè)計步驟、應(yīng)用曲線和布局指南。

6. 電源推薦

  • 推薦GVDD電源電壓范圍為9V至8V,以支持正常操作和UVLO功能。
  • 建議在GVDD和GND引腳之間放置低ESR陶瓷旁路電容器,以支持高峰值電流并減少噪聲。

7. 布局指南

  • 推薦將低ESR/ESL電容器放置在GVDD和GND引腳以及BST和SH引腳之間,以支持高峰值電流并減少串聯(lián)電感。
  • 驅(qū)動器應(yīng)盡可能靠近MOSFET放置,以最小化柵極驅(qū)動回路的寄生電感。
  • 特別注意高側(cè)柵極驅(qū)動回路的布局,以減少電壓瞬變和噪聲耦合
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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