UCC27332-Q1 是一款單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器，能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27332-Q1 的典型峰值驅(qū)動強度為 9-A，可縮短電源開關(guān)的上升和下降時間，從而降低開關(guān)損耗并提高效率。UCC27332-Q1 器件的小傳播延遲通過改善系統(tǒng)的死區(qū)時間優(yōu)化、脈沖寬度利用率、控制環(huán)路響應(yīng)和瞬態(tài)性能，產(chǎn)生更好的功率級效率。
*附件：ucc27332-q1.pdf

UCC27332-Q1 的輸入可以處理 –5V 電壓，這提高了具有中等接地反彈的系統(tǒng)的穩(wěn)健性。獨立的使能信號允許獨立于主控制邏輯控制功率級進行控制。如果系統(tǒng)出現(xiàn)故障（需要關(guān)閉動力總成），柵極驅(qū)動器可以快速關(guān)閉功率級。enable 功能還提高了系統(tǒng)的穩(wěn)健性。許多高頻開關(guān)電源在功率器件的柵極處表現(xiàn)出高頻噪聲，這些噪聲可能會注入柵極驅(qū)動器的輸出引腳，并可能導(dǎo)致驅(qū)動器發(fā)生故障。UCC27332-Q1 由于其瞬態(tài)反向電流和反向電壓能力，在這種情況下表現(xiàn)良好。

如果 VDD 電壓低于規(guī)定的上電復(fù)位閾值，則強大的內(nèi)部下拉 MOSFET 將輸出保持低電平。這種主動 Pulldown 功能進一步提高了系統(tǒng)的穩(wěn)健性。小型 3mm × 3mm MSOP 封裝可實現(xiàn)最佳的柵極驅(qū)動器布局和改進布局。這種小型封裝還可以實現(xiàn)最佳的柵極驅(qū)動器布局和改進的布局。

特性

• 適用于汽車應(yīng)用
• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下：
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類等級 H2
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
• 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局
• 典型 9A 灌電流、9A 拉電流輸出電流
• 輸入引腳能夠承受高達(dá) –5 V 的電壓
• 絕對最大 VDD 電壓：20 V
• 4.5 V 至 18 V 的寬 VDD 工作范圍
• 采用 3mm x 3mm MSOP8 封裝
• 典型傳播延遲為 25ns
• TTL 兼容輸入閾值
• 工作結(jié)溫范圍為 –40°C 至 125°C

參數(shù)

方框圖

. 產(chǎn)品概述

UCC-Q是一款單通道、高速、低側(cè)門極驅(qū)動器，專為驅(qū)動MOSFET和GaN功率開關(guān)而設(shè)計。該器件具有A的源和沉電流能力，適用于汽車、電信、電力因數(shù)校正（PFC）電路、太陽能電源、電機驅(qū)動等多個領(lǐng)域。

. 主要特性

• ?汽車級應(yīng)用?：符合AEC-Q標(biāo)準(zhǔn)，適用于-°C至+°C的工作溫度范圍。
• ?高電流能力?：典型峰值驅(qū)動電流為A源和A沉。
• ?低傳播延遲?：典型傳播延遲為ns。
• ?輸入電壓范圍?：輸入引腳可承受高達(dá)-V的電壓，增強了對地彈跳的魯棒性。
• ?獨立使能信號?：具有獨立的使能（EN）引腳，允許獨立于主控制邏輯控制功率級。
• ?寬VDD工作范圍?：支持.V至V的電源電壓，絕對最大值為V。
• ?封裝選項?：提供mm x mm的MSOP封裝，優(yōu)化門極驅(qū)動器的布局。

. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器
• 汽車車載充電器（OBC）
• 電信開關(guān)模式電源
• PFC電路
• 太陽能電源
• 電機驅(qū)動
• 高頻線路驅(qū)動器
• 脈沖變壓器驅(qū)動器
• 高功率緩沖器

. 功能描述

. VDD電源上電復(fù)位（POR）

• 提供.V的電源上電復(fù)位閾值，具有.V的遲滯，避免電源電壓噪聲引起的抖動。

. 輸入階段

• 輸入引腳兼容TTL邏輯，具有固定的閾值電壓和寬遲滯（V），提高噪聲免疫能力。
• 推薦使用短上升/下降時間的信號驅(qū)動輸入引腳，以避免長跡線布局引起的問題。

. 使能功能

• EN引腳具有TTL兼容的輸入閾值和寬遲滯，內(nèi)部上拉至參考電壓。
• 留下EN引腳浮動將啟用驅(qū)動器，而驅(qū)動EN引腳低電平將禁用驅(qū)動器。

. 輸出階段

• 輸出級采用P溝道MOSFET上拉結(jié)構(gòu)，提供高峰值源電流，特別是在功率開關(guān)的米勒平臺區(qū)域。
• 輸出級還包含抗射通電路，以提高系統(tǒng)可靠性。

. 典型應(yīng)用

文檔提供了UCC-Q在驅(qū)動MOSFET應(yīng)用中的典型電路圖，并詳細(xì)討論了設(shè)計要求，包括輸入到輸出邏輯、輸入閾值類型、VDD偏置電壓、峰值源和沉電流、使能功能、傳播延遲、功率耗散等。

. 電源推薦

• 推薦VDD偏置電壓范圍為.V至V，絕對最大值為V。
• 建議在VDD和GND引腳之間放置兩個陶瓷電容器（≥μF和.μF），以支持高峰值電流和減少噪聲。

. 布局指南

• 推薦將驅(qū)動器設(shè)備盡可能靠近功率器件，以最小化高電流跡線的長度。
• 使用低電感SMD組件，如芯片電容器，并盡可能縮短VDD旁路電容器的跡線長度。
• 優(yōu)化電流環(huán)路的布局，以減少寄生電感和噪聲耦合。

. 文檔支持

文檔提供了詳細(xì)的規(guī)格表、特性曲線、應(yīng)用信息和布局指南，以幫助用戶正確選擇和使用UCC-Q。此外，還提供了設(shè)備支持資源，包括TI EE支持論壇和相關(guān)文檔更新通知。