為高壓應用注入“強心劑”1QP0650V45-Q IGBT驅動器——高可靠性驅動解決方案

傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率模塊驅動板，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向，致力于服務中國工業電源，電力電子裝備及新能源汽車產業鏈。

傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業自主可控和產業升級！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

引言：技術驅動未來，賦能工業升級

在新能源、軌道交通、工業變頻等高壓大功率應用領域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的可靠性與驅動技術直接決定了系統性能與安全性。基本半導體子公司-深圳青銅劍技術有限公司推出的1QP0650V45-Q單通道IGBT驅動器，憑借其高集成度、強保護機制與卓越性能，成為4500V以下壓接封裝IGBT模塊的理想驅動解決方案。

產品概述：專為高壓場景設計的核心驅動

1QP0650V45-Q是一款單通道、高絕緣電壓、緊湊型驅動器，采用ASIC芯片組與CPLD芯片協同設計，適配4500V以下壓接封裝IGBT模塊。其核心優勢在于：

寬電源輸入：18V~25V寬電壓范圍，適配復雜供電環境。

全集成保護：防反接、欠壓保護、動態有源鉗位、VCE短路保護、軟關斷等多重防護機制。

高性能指標：±50A峰值驅動電流、10kHz開關頻率、-40°C至85°C寬溫域運行。

高絕緣耐壓：原邊與副邊間10000Vac絕緣耐壓，滿足嚴苛安全標準。

技術亮點解析

1. 動態有源鉗位：抑制電壓尖峰，守護IGBT安全

在IGBT關斷過程中，高di/dt與雜散電感易引發電壓尖峰，威脅器件安全。1QP0650V45-Q通過動態有源鉗位電路，在開通和關斷階段自動切換鉗位電壓閾值（開通3950V/關斷4550V），結合TVS瞬態抑制二極管反饋控制，有效抑制過壓風險，確保IGBT在短路或過流工況下的穩定性。

2. 雙重短路保護機制：快速響應，精準防護

一類短路（直通短路）：通過VCE檢測電路實時監控，在IGBT退飽和瞬間觸發保護，8.7μs內完成軟關斷，鎖定故障信號并上傳至控制系統。

二類短路（相同短路）：針對電流緩升場景，動態調整保護響應時間，配合系統級過流保護，最大限度降低器件熱損風險。

3. 智能軟關斷：平衡速度與安全

傳統硬關斷易因母線電感引發電壓尖峰。本驅動器通過軟關斷功能，在短路保護時切換門極放電回路（增加串聯電阻RS），減緩關斷速度，顯著降低尖峰電壓，同時不影響正常關斷效率。

4. 全隔離與光纖通信：抗干擾，高可靠

隔離DC/DC電源：實現原邊與副邊電氣隔離，避免共模干擾。

光纖信號傳輸：PWM輸入與故障輸出均采用光纖接口（Broadcom HFBR系列），抗電磁干擾能力強，適用于高噪聲工業環境。

典型應用場景

直流斷路器：高響應速度與短路保護能力，確保分斷過程安全可靠。

軌道交通牽引系統：寬溫域與高絕緣耐壓，適應機車復雜工況。

中壓變頻器：動態有源鉗位功能有效抑制電機啟停時的電壓沖擊。

新能源儲能系統：軟關斷與多重保護機制延長IGBT使用壽命。

核心參數一覽

關鍵指標參數范圍供電電壓18V~25V門極驅動電壓+15V（開通）/ -10V（關斷）峰值驅動電流±50A最大開關頻率10kHz工作溫度-40°C ~85°C絕緣耐壓10000Vac（原邊-副邊）

為何選擇1QP0650V45-Q？

高集成化設計：集成隔離電源、保護電路與驅動核心，減少外圍元件，降低系統復雜度。

全生命周期保護：從電壓尖峰抑制到短路響應，覆蓋IGBT全工況風險點。

靈活適配性：支持門極電阻（RGON/RGOFF）定制化配置，匹配不同IGBT模塊需求。

工業級可靠性：通過IEC 61000-4-2靜電防護（±15kV空氣放電）與IEC 60077-1絕緣標準認證。

為高壓應用注入“強心劑”

1QP0650V45-Q驅動器以技術創新為核心，解決了高壓大功率場景下的驅動安全與效率難題。其模塊化設計、智能化保護與高可靠性，為工業設備制造商提供了“即插即用”的驅動解決方案，助力客戶在新能源與智能電網浪潮中搶占先機。

審核編輯 黃宇