刻蝕工藝的核心機理與重要性

刻蝕工藝是半導體圖案化過程中的關鍵環節，與光刻機和薄膜沉積設備并稱為半導體制造的三大核心設備。刻蝕的主要作用是將光刻膠上的圖形轉移到功能膜層，具體而言，是通過物理及化學方法在晶圓表面襯底及功能材料上雕刻出集成電路所需的立體微觀結構，實現掩模圖形到晶圓表面的轉移。

刻蝕工藝的核心作用體現在三個方面：

圖形轉移：將光刻膠上的二維圖案轉化為三維功能層結構；
多層互連基礎：在刻蝕形成的結構上進行介質/金屬沉積，實現電路垂直集成；
工藝協同：與光刻、薄膜沉積構成"曝光-刻蝕-沉積"循環，最終形成完整集成電路。


刻蝕工藝分類及市場現狀

根據刻蝕工藝的不同，可分為干法刻蝕和濕法刻蝕兩大類，對應的刻蝕劑主要分為氣態和液態兩種（本文主要講解濕法刻蝕）。

值得注意的是，刻蝕工藝存在多項關鍵指標，這些指標對芯片良品率和產能影響重大。刻蝕設備要達到理想的工藝指標，需要長期的實驗和跑片來積累經驗，并不斷調試設備各個子系統的參數設置，因此刻蝕設備行業存在較高的技術壁壘。

濕法刻蝕設備技術詳解

濕法刻蝕設備按照加工方式可分為批量式和單片式兩大類。

一、批量式濕法刻蝕設備

多槽式刻蝕設備

多槽式刻蝕設備擁有多個化學反應槽，通過浸泡方式同時加工多片晶圓。由于刻蝕不同材料需要使用不同的刻蝕劑，化學槽內的刻蝕劑需要根據下游需求配置。加工過程中，機械臂按設定順序依次將晶圓放入化學槽/清洗槽中，通過控制浸泡時間和化學品溫度完成刻蝕。

英思特科研級濕法刻蝕全自動槽式設備

優點：
晶圓正面與背面可同時刻蝕
生產效率高，適合批量式生產

缺點：
只能通過浸泡時間、化學品溫度等參數控制刻蝕速率
無法控制刻蝕方向與實現單面刻蝕，刻蝕精度較差
設備占地面積大
化學品和超純水使用量大


二、單片式濕法刻蝕設備

英思特單片濕法刻蝕設備

單片式濕法刻蝕設備一次只能刻蝕1片晶圓。加工時，刻蝕劑/超純水通過噴嘴噴灑至晶圓表面進行刻蝕，設備通過控制化學品流量、溫度、制程時間和晶圓旋轉速度等參數，精確控制刻蝕效果。

英思特單片濕法刻蝕設備槽體

優點：
制程環境控制能力強
刻蝕均勻性高于槽式設備
占地面積小，節省潔凈室空間
缺點：
一次只能加工1片晶圓
生產效率低于批量式設備

隨著半導體制造工藝的不斷發展，濕法刻蝕設備在特定應用領域仍保持其獨特價值，而設備制造商也在持續優化技術，以平衡生產效率與工藝精度之間的關系。

審核編輯 黃宇