5G高頻率特性讓氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體制程成為功率放大器(PA)市場(chǎng)主流技術(shù),同時(shí),GaN功率元件也開(kāi)始被大量應(yīng)用在車(chē)聯(lián)網(wǎng)及電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域。看好GaN市場(chǎng)強(qiáng)勁成長(zhǎng)爆發(fā)力,世界先進(jìn)經(jīng)過(guò)3年研發(fā)布局,今年硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制程將進(jìn)入量產(chǎn),成為全球第一家提供8英寸GaN晶圓代工的業(yè)者,大啖5G及車(chē)電市場(chǎng)大餅。
臺(tái)積電及世界先進(jìn)近年來(lái)積極投入GaN制程研發(fā),今年可望開(kāi)花結(jié)果,合力搶進(jìn)快速成長(zhǎng)的GaN晶圓代工市場(chǎng)。臺(tái)積電與德商戴樂(lè)格(Dialog)等客戶合作,已開(kāi)始提供6英寸GaN晶圓代工服務(wù);世界先進(jìn)與設(shè)備材料廠Kyma、轉(zhuǎn)投資GaN硅基板廠QROMIS攜手合作,去年底已成功試產(chǎn)8英寸GaN晶圓,今年將成為全球首家提供8英寸GaN晶圓代工服務(wù)的業(yè)者。
相較于硅制程及砷化鎵(GaAs)等成熟半導(dǎo)體技術(shù),GaN是相對(duì)較新的制程。隨著5G技術(shù)即將全面商用,基地臺(tái)升級(jí)商機(jī)龐大,由于5G技術(shù)上采用更高操作頻率,業(yè)界對(duì)于GaN元件將逐步取代橫向擴(kuò)散金氧半導(dǎo)體(LDMOS)并成為市場(chǎng)主流技術(shù)已有高度共識(shí)。另外,在手機(jī)PA元件部份,3G及4G主要采用GaAs制程,5G因?yàn)楦哳l的關(guān)系,讓GaN制程的PA元件很有機(jī)會(huì)成為市場(chǎng)新主流。
市調(diào)機(jī)構(gòu)拓墣指出,GaN因具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢(shì),不僅可使芯片面積可大幅減少,并能簡(jiǎn)化周邊電路的設(shè)計(jì)。同時(shí),低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性,也能大幅降低車(chē)輛運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的能源轉(zhuǎn)換損失,對(duì)于電動(dòng)車(chē)?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭?/p>
在射頻及PA元件、與車(chē)用電子等相關(guān)芯片市場(chǎng)中,包括恩智浦、英飛凌、德儀等IDM廠位居主導(dǎo)地位,但在GaN技術(shù)上,IDM廠反而開(kāi)始透過(guò)晶圓代工廠取得產(chǎn)能。也因此,世界先進(jìn)順利搶進(jìn)8英寸GaN晶圓代工市場(chǎng),可望爭(zhēng)取到更多5G及車(chē)電等相關(guān)晶圓代工訂單。
世界先進(jìn)去年合并營(yíng)收年減3.6%達(dá)新臺(tái)幣249.10億元,歸屬母公司稅后凈利年18.7%達(dá)新臺(tái)幣45.05億元,每股凈利新臺(tái)幣2.75元,符合市場(chǎng)預(yù)期。由于8英寸晶圓代工產(chǎn)能吃緊,加上硅晶圓價(jià)格看漲,世界先進(jìn)與客戶協(xié)商后已小幅調(diào)漲第一季晶圓代工價(jià)格,由于產(chǎn)能全年供不應(yīng)求,價(jià)格應(yīng)可逐季調(diào)漲,有助于營(yíng)收及獲利表現(xiàn)。
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原文標(biāo)題:全球首條成功量產(chǎn)的8英寸GaN晶圓代工線,世界先進(jìn)造
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