近日，日本礙子株式會(NGK，下文簡稱日本礙子)在其官網宣布，已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓，并表示公司將于本月低在美國ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圓及相關研究成果。

公開資料顯示，日本礙子成立于1919年5月5日，主要業務包括制造和銷售汽車尾氣凈化所需的各種工業用陶瓷產品、電子及電氣設備用陶瓷產品、特殊金屬產品、蓄電系統、絕緣子和電力相關設備等。除了展示8英寸SiC晶圓以外，日本礙子還將披露“在多種襯底上生長低BPD密度4H-SiC單晶的新方法”。日本礙子表示，減少SiC襯底中的BPD是提高SiC功率器件產量和可靠性的重要手段。公司開發出了一種工藝，利用其陶瓷加工技術在多個襯底上生長具有低BPD密度的4H-SiC晶體。

今年3月，日本礙子表示，通過該工藝，其完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同時生長了9個晶體的實驗。除了碳化硅，日本礙子在氮化鎵(GaN)方面也有布局。早在2012年，日本礙子便在其他研究機構的協助下，在開發出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進行了發光性能試驗。據介紹，日本礙子的GaN晶片采用其專有的液相晶體生長法生產，整個晶圓表面的BPD密度大幅降低。