ADL8142-2CHIP是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器,工作頻率范圍為23 GHz至31 GHz。在27 GHz至31 GHz范圍內,ADL8142-2CHIP提供26.5 dB典型增益、1.8 dB典型噪聲系數和20 dBm典型輸出三階交調截點(OIP3),采用2 V電源電壓時功耗僅為25 mA。注意,可通過較大的漏極電流改善OIP3。ADL8142-2CHIP還具有交流耦合的輸入和輸出,內部匹配至50 Ω,因而非常適合高容量微波無線電應用。
數據手冊:*附件:ADL8142-2 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,23 GHz至31 GHz技術手冊.pdf
特性
- 低噪聲系數:1.8 dB(典型值,27 GHz至31 GHz時)
- 單正電源(自偏置)
- 高增益:26.5 dB(典型值,27 GHz至31 GHz時)
- 高OIP3:20 dBm(典型值,27 GHz至31 GHz時)
- 裸片尺寸:0.945 mm × 1.015 mm × 0.100 mm
- 晶圓擴散批次可追溯性
- 輻射基準
- 總電離劑量(TID):30次碰撞
- 單粒子閂鎖(SEL):≥62.4 MeV-cm ^2^ /mg
引腳配置和功能描述
外形尺寸
應用
- 衛星通信
- 電信
- 民用雷達
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