ADL8142S-CSL 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片式微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器,工作頻率范圍為 23 GHz 至 31 GHz。在 27 GHz 至 31 GHz 范圍內(nèi),ADL8142S-CSL 提供 27 dB 典型增益、1.6 dB 典型噪聲指數(shù)和 21.5 dBm 典型輸出三階交調(diào)截點(diǎn) (OIP3),采用 2 V 電源電壓時(shí)功耗僅為 25 mA。請(qǐng)注意,可通過較大的漏極電流改善 OIP3。ADL8142S-CSL 還具有交流耦合的輸入和輸出,內(nèi)部匹配至 50 Ω,因而非常適合高容量微波射頻應(yīng)用。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:ADL8142S GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,23 GHz 至 31 GHz技術(shù)手冊(cè).pdf
ADL8142S-CSL 采用符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 2 mm × 2 mm 8 引腳 LFCSP 封裝。
特性
- 低噪聲指數(shù):1.6 dB(典型值,27 GHz 至 31 GHz 時(shí))
- 單正電源(自偏置)
- 高增益:27 dB(典型值,27 GHz 至 31 GHz 時(shí))
- 高 OIP3:21.5 dBm(典型值,27 GHz 至 31 GHz 時(shí))
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 2 mm × 2 mm、8 引腳 LFCSP 封裝
引腳配置和功能描述
外形圖
應(yīng)用
- 近地軌道 (LEO) 空間有效載荷
- 衛(wèi)星通信
-
低噪聲放大器
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
321瀏覽量
33198 -
GaAs
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
893瀏覽量
23931 -
砷化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
178瀏覽量
19851 -
MMIC
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
735瀏覽量
25357
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
ADL9006CHIPS:2 GHz至28 GHz,GaAs,pHEMT,MMIC,低噪聲放大器數(shù)據(jù)表

HMC903LP3E:GaAs、PHEMT、MMIC、低噪聲放大器、6 GHz至17 GHz數(shù)據(jù)表

HMC8410:0.01 GHz至10 GHz,GaAs,pHEMT,MMIC,低噪聲放大器數(shù)據(jù)表

HMC1040CHIPS:20 GHz至44 GHz,GaAs,pHEMT,MMIC,低噪聲放大器數(shù)據(jù)表

HMC1049SCPZ-EP:GaAs,pHEMT,MMIC,低噪聲放大器,0.3 GHz至20 GHz

HMC8400:2 GHz至30 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器數(shù)據(jù)表

ADL7003:50 GHz至95 GHz,GaAs,pHEMT,MMIC,寬帶低噪聲放大器數(shù)據(jù)表

HMC902LP3E:5 GHz至11 GHz GaAs、PHEMT、MMIC、低噪聲放大器數(shù)據(jù)表

HMC7950:2 GHz至28 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器數(shù)據(jù)表

ADL8142S GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,23GHz至31GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8142 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,23GHz至31GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8142-2 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,23 GHz至31 GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8105 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,5 GHz至20 GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8121 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,0.025 GHz至12 GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8142 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,23 GHz至31 GHz技術(shù)手冊(cè)

評(píng)論