TPS53627 器件是一款無驅(qū)動(dòng)、符合 VR13 SVID 標(biāo)準(zhǔn)的同步降壓控制器。具有重疊脈沖的 D-CAP+ ?架構(gòu)等高級控制功能支持下沖減少 （USR） 和過沖減少 （OSR），以提供快速瞬態(tài)響應(yīng)、最低輸出電容和高效率。該器件還支持 CCM 和 DCM作中的單相作，以提高輕負(fù)載效率。該器件集成了一整套 VR13 I/O 功能，包括 VR_READY （PGOOD）、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允許在 00h 到 07h 之間編程。V 的可調(diào)控制外轉(zhuǎn)換速率可編程為 20mV/uS。
*附件：TPS53627 用于 VR13 CPU VCORE 和 DDR 內(nèi)存的 2 相 D-CAP+ ? 降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf

與 TI NexFET? 功率級配合使用，該整體解決方案可提供極高的速度和低開關(guān)損耗。

TPS53627器件封裝采用節(jié)省空間的熱增強(qiáng)型 32 引腳 VQFN 封裝，工作溫度范圍為 –40°C 至 +105°C。

特性

• 符合 Intel VR13 串行 VID （SVID） 標(biāo)準(zhǔn)^?^
• 1 相或 2 相作
• 支持 Droop 和非 Droop 應(yīng)用
• 步長為 10mV 的 8 位 DAC
• 4.5V 至 28V 轉(zhuǎn)換電壓范圍
• 輸出范圍：0.5 V 至 2.3 V
• 優(yōu)化輕負(fù)載和重負(fù)載下的效率
• 8 個(gè)獨(dú)立的過沖減少 （OSR） 和下沖減少 （USR） 級別
• 用于高效高頻開關(guān)的無驅(qū)動(dòng)器配置
• 支持分立、電源模塊、功率級?或 DrMOS MOSFET 實(shí)現(xiàn)
• 精確、可調(diào)的電壓定位
• 300kHz 至 1MHz 頻率選擇
• 獲得專利的 AutoBalance? 相位平衡
• 用于負(fù)載瞬態(tài)升壓的可編程導(dǎo)通脈沖擴(kuò)展
• 可編程自動(dòng) DCM 和 CCM作
• 可選 8 級電流限制
• 小型 4 mm × 4 mm、32 引腳 VQFN PowerPad? 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?型號?：TPS53627
• ?類型?：2相D-CAP+?降壓控制器
• ?應(yīng)用?：用于VR13 CPU VCORE和DDR內(nèi)存供電
• ?特點(diǎn)?：支持Intel VR13 SVID協(xié)議、單/雙相操作、快速瞬態(tài)響應(yīng)、高效率、小封裝等

2. 主要特性

• ?Intel VR13 SVID兼容?：支持00h至07h編程
• ?1-或2-相操作?：靈活配置以滿足不同負(fù)載需求
• ?支持Droop和非Droop應(yīng)用?：適應(yīng)多種電源管理策略
• ?8-Bit DAC?：輸出電壓調(diào)節(jié)精度高達(dá)10mV
• ?寬轉(zhuǎn)換電壓范圍?：4.5V至28V
• ?輸出電壓范圍?：0.5V至2.3V
• ?優(yōu)化輕載和重載效率?：支持CCM和DCM操作模式
• ?快速瞬態(tài)響應(yīng)?：D-CAP+?架構(gòu)，重疊脈沖支持，下沖和過沖減少
• ?高頻率選擇?：300kHz至1MHz
• ?專利AutoBalance?相位平衡?：自動(dòng)平衡兩相輸出電流
• ?可編程ON-脈沖擴(kuò)展?：增強(qiáng)負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)
• ?可編程自動(dòng)DCM和CCM操作?：根據(jù)負(fù)載條件自動(dòng)調(diào)整工作模式
• ?小封裝?：4mm × 4mm，32-Pin VQFN PowerPad?封裝

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?VDDQ for DDR Memory?：為DDR內(nèi)存提供穩(wěn)定電壓
• ?SoC Processor VCORE Power?：為系統(tǒng)級芯片（SoC）處理器提供核心電壓

4. 功能描述

• ?D-CAP+?架構(gòu)?：通過重疊脈沖技術(shù)減少下沖和過沖，提高瞬態(tài)響應(yīng)速度
• ?VR13 I/O特性?：集成VR_READY（PGOOD）、ALERT和VR_HOT等VR13接口功能
• ?SVID接口?：允許通過SVID接口進(jìn)行編程和控制
• ?輸出電壓斜率可調(diào)?：VOUT斜率可調(diào)，最高可達(dá)20mV/μS
• ?多種MOSFET實(shí)現(xiàn)方式?：支持離散、Power Block?、Power Stage?或DrMOS MOSFET實(shí)現(xiàn)

5. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：32-Pin VQFN PowerPad?
• ?封裝尺寸?：4mm × 4mm

6. 文檔與支持

• ?相關(guān)文檔?：提供TPS51604數(shù)據(jù)表等相關(guān)文檔鏈接
• ?文檔更新通知?：可通過TI官網(wǎng)注冊接收文檔更新通知
• ?社區(qū)資源?：鏈接到TI E2E?在線社區(qū)，提供技術(shù)支持和協(xié)作平臺

7. 注意事項(xiàng)

• ?靜電放電（ESD）保護(hù)?：設(shè)備內(nèi)置有限的ESD保護(hù)，存儲或處理時(shí)需采取防靜電措施
• ?操作溫度范圍?：-40°C至+105°C
• ?封裝熱焊盤?：封裝熱焊盤必須焊接到PCB上，以確保熱性能和機(jī)械性能