TPS53626 器件是一款無驅(qū)動器、符合 VR13 SVID 標(biāo)準(zhǔn)的同步降壓 控制器。先進的控制功能，如 D-CAP+ 架構(gòu)，具有 重疊脈沖支持下沖減少 （USR） 和過沖減少 （OSR） 提供快速瞬態(tài)響應(yīng)、最低的輸出電容和高 效率。該器件還支持在 CCM 或 DCM 模式下進行單相作，以實現(xiàn) 輕載效率提升。該器件集成了一整套 VR13 I/O 功能包括 VR_READY （PGOOD）、ALERT 和 VR_HOT。 SVID 接口地址允許在 00h 到 07h 之間編程。可調(diào) V 的控制外轉(zhuǎn)換速率可設(shè)置為高達 20mV/uS。
*附件：用于 VR13 CPU VCORE 和 DDR 內(nèi)存的 2 相 D-CAP+ ? 降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf

與 TI NexFET 功率級配合使用，該整體解決方案可提供 極高的速度和低開關(guān)損耗。TPS53626 還提供四個 使用單個外部配置 VCCIO 和 VMCP 設(shè)置的默認(rèn)模式 resistor 來節(jié)省元件數(shù)量和電路板空間。

TPS53626 器件封裝采用節(jié)省空間的熱增強型 32 引腳 VQFN 封裝 封裝，工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C。

特性

• 符合 Intel VR13 串行 VID （SVID） 標(biāo)準(zhǔn)
• 1 相或 2 相作
• VR13 VCCIO 和 VMCP 的默認(rèn)配置模式
• 支持 Droop 和非 Droop 應(yīng)用
• 步長為 5mV 的 8 位 DAC
• 輸出范圍：0.25 V 至 1.52 V
• 優(yōu)化輕負(fù)載和重負(fù)載下的效率
• 8 個獨立的過沖減少 （OSR） 和下沖減少 （USR） 級別
• 用于高效高頻開關(guān)的無驅(qū)動器配置
• 支持分立、電源模塊、功率級或 DrMOS MOSFET 實現(xiàn)
• 精確、可調(diào)的電壓定位
• 300kHz 至 1MHz 頻率選擇
• 獲得專利的 AutoBalance 相位平衡
• 用于負(fù)載瞬態(tài)升壓的可編程導(dǎo)通脈沖擴展
• 可編程自動 DCM 和 CCM作
• 可選 8 級電流限制
• 4.5V 至 28V 轉(zhuǎn)換電壓范圍
• 小型 4 mm × 4 mm、32 引腳 VQFN PowerPad 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品基本信息

• ?型號?：TPS53626
• ?封裝類型?：VQFN RSM 32引腳
• ?工作溫度范圍?：-40°C至105°C
• ?狀態(tài)?：活躍（推薦用于新設(shè)計）

2. 環(huán)保與合規(guī)性

• ?RoHS合規(guī)?：符合歐盟RoHS指令要求
• ?無鹵?：滿足JS709B低鹵素要求
• ?綠色產(chǎn)品?：是

3. 封裝與尺寸

• ?封裝尺寸?：4x4mm，0.4mm引腳間距
• ?熱焊盤?：有，需焊接到PCB上以實現(xiàn)最佳熱性能和機械性能

4. 訂購信息

• ?樣品可用性?：是
• ?包裝數(shù)量?：3000（RSMR版本），250（RSMT版本）

5. 特性概述

• ?應(yīng)用領(lǐng)域?：適用于VR13 CPU VCORE和DDR內(nèi)存的2相降壓控制
• ?關(guān)鍵特性?：未具體說明，但通常包括高效率、低噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)等

6. 設(shè)計資源與支持

• ?技術(shù)支持?：通過[email protected]獲取完整的數(shù)據(jù)表和其他設(shè)計支持工具
• ?社區(qū)與文檔?：提供TI社區(qū)資源鏈接，用戶可獲取技術(shù)支持和經(jīng)驗交流