概述

HMC637BPM5E是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、級聯分布式功率放大器，在正常工作時可實現自偏置且具有IDQ可選偏置控制和增益調整。該放大器的工作頻率范圍為DC至6 GHz，提供15 dB小信號增益、27.5 dBm輸出功率（1 dB增益壓縮）、40 dBm典型輸出IP3和4 dB噪聲指數，采用V~DD ~12 V電源電壓時功耗為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz范圍內的增益平坦度（典型值±0.5 dB時）非常出色，因而極為適合軍事、太空和測試設備應用。HMC637BPM5E還具有內部匹配至50 Ω的輸入/輸出(I/O)，采用符合RoHS標準的5 mm × 5 mm LFCSP預制空腔封裝，可與高容量表貼技術(SMT)裝配設備兼容。
數據表：*附件：HMC637BPM5E GaAs、pHEMT、MMIC、單正電源、DC至6 GHz、1W功率放大器技術手冊.pdf

應用

• 軍事與太空
• 測試儀器儀表

特性

• P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 輸出IP3：40 dBm（典型值）
• 在V DD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，V GG1（針對IDQ調整）和V GG2（針對增益控制）具有可選偏置控制
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2

框圖

引腳配置和功能描述

接口示意圖

HMC637BPM5E是一款GaAs、MMIC、pHEMT、共源共柵分布式功率放大器。HMC637BPM5E的共源共柵分布式架構使用一個基本單元，由兩個場效應晶體管(FET)堆疊而成，上FET的源極連接到下FET的漏極。基本單元然后被復制幾次，RF傳輸線互連下部fet的柵極，RFOUT傳輸線互連上部fet的漏極。

每個單元都采用額外的電路設計技術來優化整體帶寬、輸出功率和噪聲系數。這種架構的主要優勢在于，在比單個基本單元提供的帶寬大得多的帶寬范圍內，仍能保持高輸出水平。這種架構的簡化原理圖如圖69所示。